【課題】トライアックが形成された半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】裏面電極ＢＥと電極Ｅ１の間に、ｐ型半導体領域Ｐ５，Ｐ３、ｎ型基板領域Ｎ１、ｐ型半導体領域Ｐ２，Ｐ４およびｎ型半導体領域Ｎ２によってサイリスタＴＹ１が形成され、ｐ型半導体領域Ｐ４，Ｐ２、ｎ型基板領域Ｎ１、ｐ型半導体領域Ｐ３，Ｐ５およびｎ型半導体領域Ｎ４によってサイリスタＴＹ２が形成されている。サイリスタＴＹ１とサイリスタＴＹ２は、裏面電極ＢＥと電極Ｅ１の間に流れる電流の向きが反対である。高不純物濃度のｐ型半導体領域Ｐ４は、低不純物濃度のｐ型半導体領域Ｐ２に内包されるように形成され、高不純物濃度のｐ型半導体領域Ｐ５とｎ型基板領域Ｎ１との間には、低不純物濃度のｐ型半導体領域Ｐ３が介在している。 （もっと読む）