【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】上部と下部のバネ定数を変えることにより、上部における破損を防止することができるベローズを提供することができる。
【解決手段】ベローズ１は、伸縮部７における上部と下部が中間部に比べてバネ定数が大きくなるように設定されている。したがって、ベローズ１を垂直姿勢で取り付けて伸長させた場合であっても、伸縮部７の上部は、中間部よりも山部２３と谷部２５とが拡がりにくく、上部が自重により中間部より拡がることがない。その結果、伸縮部７の上部が破損するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板とともに処理部を移動することにより、流体の使用量を低減することができる槽キャリアを提供する。
【解決手段】筐体３内の支持部材１１に複数枚の基板Ｗを支持させた槽キャリア１を所望の処理部に移動させる。そして、筐体３に処理液を供給されることにより、複数枚の基板Ｗに対する処理を行うので、処理液の供給量を低減できる。したがって、処理に要する処理液の使用量を低減することができる。また、基板Ｗの受け渡しの機会を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面に残った水の表面張力によりウェハが貼り付くことを防ぐウェハカセット搬送装置を得ること。
【解決手段】対向する一対の側面の内壁に設けられた複数のリブが形成する複数の保持溝の各々によって、複数のウェハ２を立てた状態で前後に並べて収容するウェハカセットを搬送するウェハカセット搬送装置１０であって、ウェハカセット１を把持する把持装置６と、一対の側面と略同じ間隔で二列に配列され、複数の保持溝と同じピッチで配置された複数の歯を有するクシ５と、把持装置６及びクシ５を移動させる移送装置４と、を備え、移送装置４は、把持装置６がウェハカセット１を把持するのに先だって、複数の保持溝の各々において、ウェハ２とリブとの間に歯が挿入されるように把持装置６及びクシ５を移動させる。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な構成で液中でも半導体基板を安全かつ確実に保持でる半導体基板の保持機構を提供し、さらに、ウエット状態で密着した半導体基板同士を破損することなく自動的に、高速で分離し、保持して搬送することが可能な半導体基板の保持装置とこれを用いた分離装置および分離方法を提供する
【解決手段】チャック本体１１０に２以上の液体流入口１１３とこの液体流入口に接続されている中空円筒状のノズル本体１２０とを有し、前記ノズル本体にはその前端を閉鎖する蓋１２１とこの蓋から僅かに離れた位置に径方向に向けて開口形成された吐出口１２２を有し、吐出口から排出された流体の流路に所定角度に傾斜した斜面を有する液流規制部１１９を有し、前記液流規制部の外周に基板面と平行な平坦部１１８を有し、前記平坦部の一部領域に半導体基板に接するように突出した保持部材１２５が配置されている構成の基板保持機構とした。 （もっと読む）

【課題】マランゴニー対流を用いる乾燥方式で乾燥させる際に、薄板状基板と基板支持治具との支持接点に残り易い液滴残渣を少なくし、良好な品質で安定した乾燥を可能とする基板支持治具を提供すること。
【解決手段】基板を洗浄し、その後マランゴニー乾燥させるために用いる基板支持治具が、前記基板を直立させて保持するための支持板を備え、該支持板が前記基板の支持用接点に溝を有し、前記支持板表面の純水に対する接触角が１５度以下であるとする。 （もっと読む）

【課題】複数の処理槽のそれぞれに複数の基板を良好に一括搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送ロボット１０と、処理部４０とを有している。処理部４０は、複数の処理槽４１、４２を有しており、処理槽４１には処理液として洗浄液が、処理槽４２には処理液として薬液が貯留される。搬送ロボット１０は、単一の搬送ユニットとして構成されている。搬送ロボット１０は、本体部１２と、本体部１２から離隔して配置された各処理槽４１、４２に向かって伸びるアーム部１３とを有している。ここで、各処理槽４１、４２は、搬送ロボット１０の可動範囲内となるように、複数の基板の搬送空間８に配置されている。これにより、搬送ロボット１０は、複数の基板を、各処理槽４１、４２の配置によらず、任意の順番で、各処理槽４１、４２に対応して貯留された処理液に、浸漬することができる。 （もっと読む）

【課題】液浸領域の液体に接触する部材の汚染に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸＳは、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成し、投影光学系ＰＬと液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱとを介して基板Ｐを露光するものであって、液浸領域ＡＲ２を形成するための液体ＬＱに接触する基板ステージＰＳＴの上面３１などに対して、光洗浄効果を有する所定の照射光Ｌｕを照射する光洗浄装置８０を備えている。 （もっと読む）

【課題】研磨後の多数枚のウェハを効率的に省スペースで水没させて保管し、また、ウェハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェハ収納装置を提供する。
【解決手段】水槽５の水面より上部に置かれたカセット４を水平にし、且つリンス機構９のノズルバー９ａをカセット４の後部へ移動して、研磨後のウェハ３をカセット４に上下方向多段に個別に効率よく収納する。全てのウェハ３がカセット４に収納されたら、傾斜手段８によってカセット４を１°〜２０°の範囲で傾斜させ、ノズルバー９ａによってウェハ３の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構７によって、カセット４を水槽５の内部の水中へウェハ１枚分の間隔で沈める。カセット４を水槽５から引き上げるときも、傾斜手段８によってカセット４を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェハ３が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェハ３の収納・洗浄・搬送を行える。 （もっと読む）

【課題】リブと半導体基板との間の貼り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。
【解決手段】基板カセットに設けられた複数のリブ１０の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ１０の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部１０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】分離促進されて貼り付き力を低減した状態の積層ワークから薄型のワークを所定押圧力で連続して一枚ずつ切り出し、円滑に搬送する積層ワーク切り出しシステムおよび積層ワーク切り出し方法を提供する。
【解決手段】積層ワークの分離を促進する分離水槽２０と、積層ワークの分離を促進しつつ、切り出しコンベアが積層ワークの最上のワークを切り出す切り出し装置３０と、二枚以上のワークの通過を防止する複数枚ワーク送り防止装置４０と、ワークを加振しつつ搬送してワークの割れの入ったコーナー部を欠損させるワーク加振搬送装置５０と、搬送されるワークのコーナー部の欠損を検出する欠損ワーク判別装置６０と、欠損ワークを回収し良品のワークを下流へ流すワーク仕分け装置７０と、良品のワークを収納するワーク収納装置８０と、を備える積層ワーク切り出しシステム、および、このシステムを用いる積層ワーク切り出し方法とした。 （もっと読む）

【課題】隣接基板またはキャリア内壁との間に支持材を入れることにより、基板の貼り付きを容易かつ確実に防止して基板表面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板搬送用キャリア１において、複数枚の基板３のうちの隣接基板間およびキャリア内壁面と基板３間に、基板貼り付き防止用の球状の支持部材６が配設されている。この球状の支持部材６は、互いに対向するキャリア側板５の隣接溝部５１間にそれぞれ接続されて、基板３の高さ方向中心部とその上部に対応する上下位置にそれぞれ設けられている。このため、洗浄処理時や乾燥処理時に、キャリア溝ピッチ以上に基板３が反っても、基板３同士の貼り付きやキャリア内壁と基板３との貼り付きが防止される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長前の表面処理（エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理）において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 （もっと読む）

【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】たとえばワイヤソーによる切断の後に、人手を介することなく半導体ウエハを１枚ずつ分離回収することが可能な半導体ウエハ搬送装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体ウエハ搬送装置は、ウエハ槽１と、ウエハ排出手段２とを備えている。ウエハ槽１は、液体１１を収容しており、鉛直方向上方に開口しているとともに、鉛直方向と交差する方向において互いに対向するように列をなした状態で、その少なくとも一部ずつが液体１１に浸された複数のウエハｗを収容する。ウエハ排出手段２は、複数のウエハｗのうち上記列の先頭に位置するものを吸着する吸着部２１２を有しかつ当該ウエハｗを開口１ａからウエハ槽１上方に移送可能な吸着スライダ２１を備えている。 （もっと読む）

【課題】たとえばワイヤソーによる切断の後に、人手を介することなく半導体ウエハを１枚ずつ分離することが可能なウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置を提供すること。
【解決手段】積み上げられた複数枚のウエハＷｆを搬送するウエハ搬送方法であって、液体Ｌｑ中に置かれた複数枚のウエハＷｆのうち最上位にあるものを吸着した状態で、このウエハＷｆをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段としての吸着コンベア２によって、最上位のウエハＷｆから順に搬送する。 （もっと読む）

【課題】洗浄効果を犠牲にすることなく、洗浄中の基板の振動を抑えることができる基板洗浄用ラックを提供する。
【解決手段】基板洗浄用ラック１０は、ラック本体１２内に複数の基板１４を立てた状態で収容し、その流通路１２ａを通じて上から下方向へ洗浄液等の流体を流通させて基板１４の洗浄作業を行うものである。ラック本体１２内には両端保持部材１６及び下部保持部材１８が設けられており、基板１４の両側の縁辺部及び下側の縁辺部は、それぞれ両端保持部材１６及び下部保持部材１８により保持されている。また基板１４を収容した状態で、ラック本体１２内には上部保持部材２０が取り付けられ、この上部保持部材２０によって基板１４の上側の縁辺部が保持される。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキ法により形成された各パンプにおいて、丈を所望の高さに維持させること、丈を一定化させること、および、電極パッドとの密着性を向上させることができるメッキ処理装置を実現する。
【解決手段】無電解メッキ装置６０は、半導体ウエハ１の回路形成面２０が、水平方向よりも上方を向くように、ウエハキャリア１１を傾斜させた姿勢で保持する角度可変チャック９と、角度可変チャック９より保持されているウエハキャリア１１の、浮上、沈降、および搬送を行う搬送アーム１０と、を備え、角度可変チャック９による、ウエハキャリア１１の傾斜角度θは、２０°以上かつ４０°以下となる。 （もっと読む）