【課題】洗浄時に洗浄液が環状フレーム押さえに当たってウエーハ上面に飛散することのない保護膜塗布装置を提供することである。
【解決手段】環状フレーム押さえ手段４９は、強磁性体からなる錘部９２と、錘部に連結され環状フレームを抑える爪部９４とを含む振り子体９０と、スピンナテーブルの外周部に配設されて振り子体を回動可能に支持する支持部８８と、爪部が環状フレームを押さえる押さえ位置と爪部が環状フレームを解放する解放位置との間で回動可能なように振り子体を支持部に回動可能に取り付ける振り子軸９５と、錘部に対面して支持部に固定され、爪部が解放位置に位置付けられた状態で錘部を所定の磁力で固定する永久磁石からなる錘固定部９６とを有する。スピンナテーブルの回転速度が所定速度以下の時には、永久磁石の磁力が振り子体の遠心力に打ち勝って錘固定部が錘部を固定することにより爪部が解放位置に位置付けられる。 （もっと読む）

【課題】確実にダイを剥離できるダイボンダを提供すること，または前記ダイボンダを用い、信頼性の高いダイボンドまたはピックアップ方法を提供する。
【解決手段】ダイシングフィルム１６に貼り付けられた複数のダイ(半導体チップ)４ｄのうち剥離対象のダイ４を突上げて前記ダイシングフィルムから剥離する際に、前記ダイの周辺部のうちの所定部における前記ダイシングフィルムを突上げて剥離起点５１ａを形成し、その後、前記所定部以外の部分の前記ダイシングフィルムを突上げて前記ダイを前記ダイシングフィルムから剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを低下させず、認識精度が向上するチップソータを提供する。
【解決手段】本発明のチップソータは、第１のカメラがウェハのパターン面を撮像して第１の画像を取得し、第２のカメラがチップの裏面を撮像して第２の画像を取得し、認識処理部が前記第１の画像に基づいてウェハ認識し、また、前記第２の画像に基づいてチップのＸ、Ｙ、θ軸位置測定認識およびチップ欠け認識を行い、制御部は、前記認識処理部から出力された認識結果に基づいて前記駆動系を制御する、 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェハリングの高さとウェハカセットの高さにずれがあった場合には、ウェハリングの取り出しを失敗することが考えられる。さらに、近年、特にウェハサイズの大型化と薄板化が進み、ウェハのそりが問題となってきている。ウェハのそりが大きい場合にも、ウェハリングの取り出しを失敗する可能性が高い。ウェハリングの取り出しを失敗した場合、即ち、ウェハリングが取り出せなかった場合には、実装のスループットが長くなり、さらに、取り出せなかったウェハリングは、オペレータが手動で取り除く必要が出てくる。このため作業工数も増加する。
【解決手段】前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す前に、前記ウェハカセットリフト部を上下振動させ、その後に前記ウェハエキストラクタ部が前記ウェハカセット部からウェハリングを取り出す。 （もっと読む）

【課題】大径基板に対応した搬送系を構成する基板収容器（フープ）に、サイズダウンした基板を格納できるようにする。
【解決手段】８インチウェーハを支持し得る第１支持溝１６ｅに支持される上部板４０１および下部板４０２と、上部板４０１および下部板４０２に設けられ、２インチウェーハであるウェーハ１４（必要に応じて、ウェーハホルダ１００およびホルダ部材４０５を介して）を支持し得る第２支持溝４０４を有する各保持柱４０３ａ〜４０３ｃとを備える。８インチウェーハに対応したポッド１６に、２インチウェーハであるウェーハ１４を格納でき、搬送系であるポッド１６を共通化して半導体製造装置のコストを削減できる。各ガス供給ノズルから各ウェーハ１４までを遠ざけて、各ウェーハ１４に到達する前に反応ガスを充分に混合させることができ、各ウェーハ１４への成膜精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】データキャリアの交信距離が長いリングフレーム、及び当該リングフレームを用いた工程管理システムを提供すること。
【解決手段】リングフレーム１は、半導体ウエハ加工用であって、熱可塑性樹脂を環形状に成形して得られるフレーム本体２と、フレーム本体２の環形状に沿った形状を有するデータキャリア３と、を備えることを特徴とする。工程管理システムは、リングフレーム１と、読取装置と、を備え、半導体ウエハ加工工程の管理情報を前記データキャリアとの間で非接触で送受信することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トレイに対するマスクの位置ずれをより正確に検知する。
【解決手段】真空処理装置は、基板を真空処理する真空処理室と、前記基板と、前記基板を載置可能なトレイと、前記トレイに載置されるマスクと、からなる組体と、前記組体を前記真空処理室内に搬送する搬送アームと、前記真空処理室内に設置され、前記組体を支持する支持台と、前記真空処理室内に設置され、前記搬送アームと前記支持台の間で前記組体を移動させるリフタと、を備え、前記組体の状態を検出可能な複数の検出手段を有し、前記検出手段からの複数の検出結果によって前記マスクと前記トレイとの位置がずれた状態と判断する判断手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやサファイヤ等の難切削性硬質材料基板やメタル膜付基板であっても基板劈開およびメタル膜分断が確実に実施可能な半導体基板のエキスパンド装置を提供する。
【解決手段】エキスパンド装置は、半導体基板１が中央に貼り付けられた弾性体のダイシングテープ３の外周縁部を固定するための環状のダイシングフレーム２を保持するダイシングフレーム保持部（４〜７）と、凸型円盤面１１ａによってダイシングテープ３側から半導体基板１を押圧してダイシングテープ３を引き伸ばすテープ拡張ステージ１１と、凸型円盤面１１ａに対応する凹型円盤面１２ａが形成され、テープ拡張ステージ１１によって引き伸ばされたダイシングテープ３を半導体基板１とともに凹型円盤面１２ａと凸型円盤面１１ａとの間に挟み込む押さえ治具１２とから構成される。 （もっと読む）

【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗがキャリア２１からヒータ（アノードユニット）９０に移載された後、キャリアは成膜室１１から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 （もっと読む）

【課題】接着シートを貼付する際の被着体の撓みを抑制でき、接着シートの貼付不良や被着体の破損を防止できるシート貼付装置および貼付方法を提供すること。
【解決手段】シート貼付装置１は、被着体Ｗを支持する支持手段２と、支持手段２で支持された被着体Ｗを臨む位置に接着シートＳを供給可能なシート供給手段３と、接着シートＳを被着体Ｗに押圧して貼付する押圧手段８Ａ，８Ｂとを備え、支持手段２は、被着体Ｗの一方の面Ｗ１に当接して被着体Ｗの外縁領域Ｗ３を支持する第１支持部２１と、被着体Ｗの他方の面に当接して被着体Ｗの外縁領域Ｗ３を第１支持部との間で挟持する第２支持部２３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ベアダイをピックアップおよび実装するための装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるベアダイをピックアップおよび実装するための装置は、ウェハからベアダイを吸着してピックアップする複数の第１吸着ノズルを具備する第１ピックアップユニットと、前記第１ピックアップユニットを回転させて前記第１吸着ノズルに吸着した前記ベアダイの一面が上部に向かうようにする回転駆動部材を具備するフリッパーと、前記フリッパーによって回転した前記第１ピックアップユニットの前記第１吸着ノズルから前記ベアダイを再吸着してピックアップし、前記再吸着されたベアダイを基板に実装する複数の第２吸着ノズルを具備する第２ピックアップユニットと、を含む。 （もっと読む）

【課題】熱変形性のダイシングテープを用いて、ダイシングし、これをピックアップする際に、ダイシングテープの変形時における周辺チップの飛散等（飛散や傾き）を防止する。
【解決手段】チップ状部品のピックアップ方法は、加熱により変形する層を有するダイシングテープＤＴに貼着した板状部品を切断分離し、周辺チップ６とチップ状部品５とを含む複数のチップを得るダイシング工程と、ダイシングテープを吸引可能な吸引部材１１に、ダイシングテープＤＴの背面を対面させて、周辺チップ６を保持する部分に対応する背面を吸引する吸引工程と、テープＤＴを変形させるための加熱を行う加熱工程と、チップ状部品５の上面より、吸引コレットでチップ状部品５を吸引把持して、ダイシングテープＤＴから取り上げるピックアップ工程とを備え、加熱工程の際に、吸引工程の吸引を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの裏面側、あるいは保護膜付ウエハの保護膜側を粘着シートに貼付し、粘着シート側からレーザー光を照射してウエハ裏面あるいは保護膜にマーキングする際に、ウエハや保護膜の熱分解によって発生するガス状の汚染物質を効率よく除去し、マーキング適性の低下や、半導体装置の汚染を防止しうるウエハ加工用粘着シートを提供すること。
【解決手段】 本発明に係るウエハ加工用粘着シートは、貫通孔を有し、波長５３２ｎｍおよび１０６４ｎｍの光透過率が７０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程またはダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良またはダイ・ボンディング工程不良の低減方法を提供する。
【解決手段】チップをコレットで真空吸着してダイ・ボンディングする場合において、吸引コレットの真空吸着を早期に解除（吸着オフステップ２０６）して、ダイ・ボンディング（ボンディングステップ２０８）時のチップの湾曲状態に起因するボイド等の発生を回避するものである。 （もっと読む）

【課題】装置全体のコンパクト化、処理時間の短縮化を図ることができるようにすること。
【解決手段】支持装置１０は、半導体ウエハＷが載置される載置面１７を有する載置手段１１と、半導体ウエハＷのＶノッチＮの位置を検出する検出手段１２と、半導体ウエハＷの外縁に当接可能な複数の当接手段２２と、当接手段２２を回転して半導体ウエハＷを周方向に回転可能な回動モータ２３と、当接手段２２を介して支持された半導体ウエハＷを載置面１７に離間接近可能に設けられた昇降手段２５と、載置面１７と平行な方向に当接手段２２を移動可能な移動手段２６とを備えて構成されている。当接手段２２、回動モータ２３、昇降手段２５及び移動手段２６は、載置手段１１に組み込まれている。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスをウエハ状態のまま検査することができるパワーデバイス用のウエハキャリアを提供する。
【解決手段】本発明のパワーデバイス用のウエハキャリア２０は、パワーデバイスの電気的特性検査をウエハレベルで行う際に、検査装置１０の載置台１１上に吸着固定して用いられ且つ複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを保持するもので、キャリア本体２１と、キャリア本体２１の第１の主面上にウエハの載置面として形成された導電性金属膜２３と、載置面に形成された真空吸着用の溝２０Ａと、載置台１１の真空吸着用の溝１１Ａと連通し且つ真空吸着用の溝２０Ａ内で開口する吸引孔２０Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で精度よくウエハマウントを作製するウエハマン作製方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの回路面に液状の接着剤を塗布し、塗布面に支持板を貼り合わせ、当該支持板を保持して半導体ウエハの裏面を研削し、支持用の前記粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを支持し、半導体ウエハから支持板を分離し、さらに半導体ウエハ上でフィルム状になっている接着剤に半導体ウエハの直径以上の幅を有する剥離テープを貼り付けて当該剥離テープを剥離することにより、当該接着剤を一体にして半導体ウエハから剥離する。 （もっと読む）

【課題】ステータ表面と永久磁石表面の間隔を縮小してリニアモータ効率を向上することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】永久磁石４２と駆動磁石４１の間に配置され、永久磁石４２が配置されている空間を真空雰囲気に、駆動磁石４１が配置されている空間を大気圧雰囲気に隔てる真空隔壁４５は、永久磁石４２と対向する部分が大気圧雰囲気側に凸に湾曲した断面形状を有し、永久磁石４２及び駆動磁石４１はいずれも、真空隔壁４５と所定の距離を保つように真空隔壁４５と対向する部分が湾曲している。このため、真空隔壁４５の最大たわみ量を小さくすることができ、永久磁石４２と駆動磁石４１の距離を縮めることができる。 （もっと読む）