【課題】基板搬送用治具への基板の着脱によりその基板を用いて製造した素子基板における素子特性の変化及び異物の付着を抑制する。
【解決手段】被搬送基板１を表面に保持するための保持体１０を備え、保持体１０の表面に被搬送基板１を吸着させるように構成された吸着機構１５，２０と、吸着機構１５，２０による被搬送基板１の吸着及びその吸着の解除を行うように構成された吸着制御機構１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】底面を簡便に密閉および開放できるカセット構造を提供する。
【解決手段】基板４０を収納するカセット１００であって、内部に基板４０が配置されるカセット本体部１０と、カセット本体部１０の側面に形成されたカセット開口部１２と、カセット本体部１０の底面１５に形成された底面開口部１４と、底面開口部１４を塞ぐ底板２０とを備え、底板２０とカセット本体部１０とは互いに分離可能であり、カセット本体部１０は、底面開口部１４の下方に凹部３２を有する置台３０の上に配置され、凹部３２は、カセット本体部１０が置台３０の上に配置された際に底板２０を収納可能であり、且つ、凹部３２の一部には、底板台３４が形成されている、カセット１００である。 （もっと読む）

【課題】IMSシステムにおいてポッドの蓋に付随する極微小な塵等のミニエンバイロンメント内への拡散を抑制するポッド及び該ポッドに応じたFIMSシステムを提供する。
【解決手段】ポッドの蓋外側面内に被係合部３ｃを配置し、ポッド開口周囲に配される蓋が嵌合可能なフランジ部２ｃに対して外部空間より被係合部３ｃにアクセス可能となる挿通孔２ｅを配する。ラッチ機構はフランジ部２ｃにおけるポッド本体側の面においてフランジ側壁に平行な方向に摺動可能に支持され、ラッチ機構５における係合部５ｂは挿通孔２ｅを介して被係合部３ｃに至り、ラッチ機構の移動に応じて係合及び非係合の状態変化を為す。 （もっと読む）

本発明の方法および装置は、材料シートに均衡した吸込みおよび反発ガス流を提供するために少なくとも１つのベルヌーイチャックへのガスの供給を制御すること；並びに材料シートへのガス流が高温で提供されるように、少なくとも１つのベルヌーイチャックへのガスの供給温度を上昇させること、ドナー半導体ウエハーからの剥離層の分離を促進するために、絶縁体基板にガス流を提供すること、および絶縁体基板と支持構造との分離を促進するために、絶縁体基板と任意の支持構造の接合部にガス流を提供すること、の内の少なくとも１つを提供する。
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【課題】半導体ウェーハのバックグラインドされた裏面に回路が形成される場合に、裏面の回路の汚染や損傷を抑制し、リングスペーサを省略して薄い半導体ウェーハの破損を防止できる半導体ウェーハ用治具を提供する。
【解決手段】バックグラインドされた薄い半導体ウェーハＷを搭載する積層可能な治具であって、中空に形成され、半導体ウェーハＷよりも拡径の治具本体１と、治具本体１に形成されて半導体ウェーハＷを支持する複数の弾性支持片１０とを備える。そして、各弾性支持片１０を、治具本体１の内周縁部から上方内側に傾斜しながら伸長する傾斜起立部１１と、傾斜起立部１１の上部に屈曲形成されて半導体ウェーハＷの周縁部を水平に支持する保持部１３とから形成する。半導体ウェーハＷの表裏面に何も接触させないので、例えバックグラインドされた裏面に回路が形成される場合でも、汚染を嫌う裏面に合紙等が接触することがない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチックディスク、特に成型ウエハを熱処理する方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】当該方法は、成型ウエハ(15)における樹脂硬化温度(T_H)以下の第１の温度(T1)で、第１の保持手段(5,50)上に保持し、第１の保持手段上に保持された成型ウエハを第１の温度より高く硬化温度(T_H)以上である第２の温度(T2)に加熱し、第１の保持手段の保持を終了し、第２の温度(T2)に加熱された成型ウエハを第１の保持手段から第２の保持手段(9、90)に実質的に非接触で搬送し、成型ウエハを第２の保持手段上に保持し、第２の保持手段上に保持された成型ウエハを第２の温度より低く前記硬化温度以下である第３の温度(T4)まで冷却し、第２の保持手段による保持を終了するステップを有する。 （もっと読む）

【課題】搬送トラブルのおそれを防止することのできる基板搬送装置を提供すること。
【解決手段】ＬＬ／ＵＬチャンバー１およびプロセスチャンバー２の第１〜第３ガイドプレート５，６，７には、複数の浮上用ガス噴出孔８，……，８が形成されている。第１ガイドプレート５および第２ガイドプレート６は、上下２段に、かつ、昇降機構４５により基板載置面５ａ，６ａの高さが変化するように構成されている。第２ガイドプレート６における第３ガイドプレート７を臨む端部には、基板４を第３ガイドプレート７の基板載置面７ａから第２ガイドプレート６の基板載置面６ａへ誘導する誘導部６ｂが設けられている。同様に、第３ガイドプレート７における第１ガイドプレート５を臨む端部には、基板４を第１ガイドプレート５の基板載置面５ａから第３ガイドプレート７の基板載置面７ａへ誘導する誘導部７ｂが設けられている。 （もっと読む）

本発明は、複数のＡＬＤ反応炉があるパターンの相互位置関係で載置され、各ＡＬＤ反応炉はＡＬＤ処理のために一回分の基板群を収容するように構成され、上部からアクセス可能な反応室が各ＡＬＤ反応炉に設けられた装置および方法に関する。複数の装填シーケンスが装填用ロボットによって実行される。各装填シーケンスは、収納域または棚において一回分の基板群を担持している基板ホルダを取り上げることと、この基板ホルダを一回分の基板群と共に当該ＡＬＤ反応炉の反応室に移動させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハから指定の半導体素子をピックアップすることができるとともに、指定されていない半導体素子はダイシングテープの接着層に接着されている状態をそのまま維持する技術を提供する。
【解決手段】 半導体素子のピックアップ装置（１００）は、紫外光照射により接着力が低下する接着層を有する接着テープ（２０２）上に接着された半導体ウエハ（ＳＷ）から分離された個々の半導体素子を取り外す半導体素子のピックアップ装置である。このピックアップ装置は、接着テープ（２０２）の下面側から紫外光を照射する紫外線光源（１１）と、この紫外線光源と半導体ウエハとの間に配置され、個々の半導体素子の大きさに紫外光を遮光する遮光部材（５０）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】FIMSシステムにおいてポッド開口を蓋によって閉鎖する動作時に当該蓋が適切にポッドに固定されていることを検知する構成を提供する。
【解決手段】ポッドの蓋に対して外部から検出可能な検複数の出マークを配し、当該マークが所定位置に存在することにより、蓋がポッド本体に対して適切に固定されていることを知る。 （もっと読む）

【課題】 電子部品等の小型物品を支持用キャリアで支持したときに、物品との相対的位置が変化しにくい支持用キャリアを提供すること。
【解決手段】 基体６上に１以上の電子部品２を配置する支持用キャリア１０であって、基体６は、電子部品２の下面を支持する支持領域面と、この支持領域面の周囲に電子部品２の水平方向の移動を拘束する拘束面を備えた複数の凸部とを有してなり、支持領域面と拘束面とは、平面どうしで隣り合っている支持用キャリア１０とする。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部に形成される処理液の循環領域を狭小化して処理液の置換効率を向上させるとともに、複数枚の基板の間隙に処理液を良好に流入させる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】下段ノズル１４ｂの吐出孔１４１の向きを、底板１１ａの上面の法線Ｎに対して内側方向に５°以上かつ４０°以下の角度θに設定する。これにより、吐出孔１４１から吐出された処理液の流圧が過度に低減されることはなく、また、内槽１１の内部において大きな処理液の循環領域ＣＡが形成されることもない。したがって、基板Ｗの間隙に処理液を良好に流入させつつ、内槽１１の内部の処理液を効率よく置換できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁性のワークを搬送する際の帯電を抑制することが可能な搬送システムおよびコンベア装置を提供する。
【解決手段】搬送システム１００は、ガラス基板Ｗをトレイ１に載置して搬送する搬送システムであって、ローラ２５と、トレイ１とを備えている。ローラ２５は、搬送方向に並んで複数配置されている。トレイ１は、絶縁性のガラス基板Ｗを載置する。そして、トレイ１とローラ２５とにおいて、少なくとも互いの接触部（外側フランジ１１およびローラ２５）が導電性を有しており、接触部は接地されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法を実現する。
【解決手段】本発明の半導体チップの加工方法では、粘着テープ２上に配置された複数の半導体チップ１上に接合用樹脂４を形成し、接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませて、半導体チップ１間に入り込んだ部分以外の不要な接合用樹脂４を除去する。これにより、半導体チップ１の相対位置は固定されるため、位置ズレが生じることなく、半導体チップ１に対して高精度の加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】外部のガス導入装置などによる加圧手段に頼ることなく、簡便な構造で収納空間を外部環境よりも高い圧力に維持することが可能な収納容器を提供することを目的とする。
【解決手段】収納部を収納する収納空間に、容積が可変なポンプ空間を前記収納空間に対して気密に連結して形成した。前記ポンプ空間の内容積を変化させるために移動可能な作用部を有する。たとえば、作用部には伸縮自在のベローズや弾性体を用いる。さらに、ポンプ空間は収納空間と一体とすることも可能である。 （もっと読む）

【課題】１つの処理室内で少なくとも２つのウェハを同時に処理するロードロック室、移送室及び１以上の処理室を含むウェハ処理用装置を提供する。
【解決手段】ロードロック室と、搬送室と、前記搬送室に接続された互いに空間的に隔離される複数の処理領域を各々に形成する１つ以上の処理室と、前記搬送室内に配置された第１ウェハ・ハンドリング部材を含むウェハ処理装置を提供する。処理室は、少なくとも２つの処理領域で複数の分離されたプロセスを同時に行なうことができるように構成し、共有ガス源、共有排気システム、別個のガス分配アセンブリ、別個のＲＦ電源、および別個の温度制御システムによってもたらされる高度な処理制御により、１つの処理室内で少なくとも２つのウェハを同時に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】フレームの重量増大を招くことなく剛性を高めることができ、積層時の位置ずれや崩れを防止したり、専用の輸送容器等を省略したり、さらにはハンドリング作業の便宜を図ることのできる基板保持具を提供する。
【解決手段】フレーム２にその中空を覆う弾性の保持層３を貼着し、この保持層３上に大口径の半導体ウェーハＷを着脱自在に保持させ、フレーム２の表裏厚さ方向に、剛性を向上させる凹凸部４を形成する。また、フレーム２の凹凸部４を、フレーム２の外周縁部を断面略山形に屈曲することにより形成する。凹凸部４が断面略山形に屈曲してフレーム２の剛性を高めるので、フレーム２の大口径化が要求されても、フレーム２の反りや撓みが大きくなるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の中心を回転テーブルの回転中心に精度よく位置決めする。
【解決手段】基板トレイ４０に形成された円形開口４１ａ〜４１ｃに、回転テーブル３２に設けられた固定ロックピン５０Ａ,５０Ｃ、及び移動ロックピン５０Ｂが挿入した状態で、基板トレイ４０を回転テーブル３２に載置し、その後、回転テーブル３２の移動ロックピン５０Ｂを、半径方向に沿って、回転テーブル３２の中心から離れる方向へ移動することで、基板トレイ４０の円形開口４１ａ〜４１ｃが内接する円Ｃ１の中心を、回転テーブル３２の回転中心に位置決めする。これにより、基板Ｗの中心を、回転中心に精度よく位置決めすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、又は複雑な装置を必要とせず、粘着保持した薄板状物を変形させることなく剥離することのできる保持治具及び薄板状物の剥離方法を提供する。
【解決手段】保持治具１は薄板状物５を粘着保持することのできる粘着部１４を頂面に有する突出部材１２と、非粘着部３２を表面に有する板状部材３０とを備え、板状部材３０は、突出部材１２に対して相対的に前後進可能に配置される。この保持治具１に粘着保持された薄板状物５を剥離させるには、板状部材３０を、突出部材１２に対して相対的にその軸線方向に前進させて、薄板状物５を突出部材１２の粘着部１４から引き離す。 （もっと読む）