【課題】ウェーハの裏面に貼着したシートのエキスパンドを行い、チップ間の間隔を広げた状態でエキスパンド状態を維持させることができ、ウェーハのカセットに収納できるような、簡易化、コンパクト化を可能とする。
【解決手段】エキスパンドリング１０は、環状部材の内径より小径の外径であるリング本体１２と、リング本体外周上縁より外側下方に向って延設され先端部の外径が環状部材の内径より大径である張り出し片１４とより構成される。シート材Ｓの下方よりエキスパンドリング１０を押し込み、シート材Ｓに張力を加えて引き伸ばした際に、張り出し片１４が下方に撓んで先端部が環状部材Ｆの内径部分を乗り越え、次いで張り出し片１４の撓みが回復し、張り出し片１４の先端部がシート材Ｓを介して環状部材Ｆの上面に係合することにより、シート材Ｓの引き伸ばされた状態が維持される。 （もっと読む）

【課題】 所望の厚さの半導体ウェハを精度よく得ることができる半導体ウェハ用キャリア及びそれを用いた半導体ウェハ表面の研磨方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明に係る半導体ウェハ用キャリア２０は、キャリア本体２１に形成されたウェハ収納ホール２２に、両面研磨すべき半導体ウェハ２３が収納保持されるものであり、キャリア本体２１の厚さt1を、半導体ウェハ２３の研磨目標厚さと同じ厚さに設けたものである。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを支持するサセプタにプリコートを施した場合でも、その上のウエハの温度を均一にすることができる基板処理装置およびそれに用いられるサセプタを提供する。
【解決手段】 サセプタ１２のウエハ支持面の中央部の周囲に、環状の凹部１２ａが形成されている。凹部１２ａは、サセプタ１２の中央部の中央凸部１２ｂと、サセプタ１２の周縁部の周縁凸部１２ｃとの間の溝として形成されている。この凹部１２ａにより、載置されたウエハＷとサセプタ１２との間に、チャンバ内の圧力に応じて、支持されたウエハＷの面内温度が均一になるような空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】 プリント配線基板等のワークの周縁部をステージ上に確実に固定できるワーク固定装置と、そのステージに対する位置決め方法、及びそのワーク固定装置を備えた画像形成装置の提供を課題とする。
【解決手段】 ステージ１１０上に吸着されたワーク２００の周縁部を上方から押さえて密閉する押さえ部１４と、ワーク２００の周縁部を除く領域を露出させる開口部１２と、を有するワーク固定装置１０とする。このワーク固定装置１０をワーク２００用の位置決め部材２６によってステージ１１０上に位置決め載置する。また、このワーク固定装置１０を備えた画像形成装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】安全且つ、確実に基板を平面矯正し、オーバーレイ精度やスループットの向上を図る。
【解決手段】真空吸着機構を有する基板吸着部と、該前記基板吸着部に設けられた真空排気口に微小隙間を介して対向する真空排気配管と、前記基板吸着部外部の気体が前記微小隙間から流入するのを防止する前記真空排気配管を取り囲み、かつ前記基板吸着部に隙間を介して対向する隔壁とを備える基板吸着装置。真空吸着で基板を平面矯正し、基板を平面矯正した後に静電吸着して、基板を平面に維持する。平面を保った状態で露光装置の基板処理室へ搬送するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 高剛性であり、断熱効果を高めることにより、チャックトップを支持する支持体底部の温度を下げ、位置精度の向上や、均熱性の向上、更にはチップの急速な昇温と冷却ができるウェハプローバ用ウェハ保持体およびそれを搭載したウェハプローバ装置を提供する
【解決手段】 本発明のウェハプローバ用ウェハ保持体は、表面にチャックトップ導体層を有するチャックトップと、該チャックトップを支持する支持体とからなり、チャックトップと支持体との間の少なくとも一部に空隙を有し、該空隙に反射板を備えることを特徴とする。前記反射板のチャックトップに対面する面の輻射率は、０．５以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーＷを保持するサセプタ７２に、平面視で半導体ウェハーＷの直径よりも大きな外径を有する凹面形状の凹部７６が形設されている。すなわち、サセプタ７２を上方から見ると凹部７６の凹面形状は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。凹部７６が形成されたサセプタ７２によって半導体ウェハーＷを保持するときには、凹部７６の内壁面によって半導体ウェハーＷの周端部が支持されることとなる。その結果、半導体ウェハーＷの裏面とサセプタ７２の表面と間に気体層の隙間が形成されることとなる。 （もっと読む）

加工物を処理するためのリアクタ内で用いられるリフトピンアセンブリには、リフト方向とほぼ平行に伸長する複数のリフトピンが含まれ、複数のリフトピンのそれぞれは加工物を支持するための最上端と最下端とを有する。リフトテーブルは、ピンの最下端に面し、リフト方向とほぼ平行な方向に移動する。小さい力検出器は、チャックされたウエハを示すのに十分に大きく且つウエハのチャック開放を回避するのに十分に小さいリフトピンによって加えられる力を感知する。大きい力検出器は、ウエハをチャック開放するのに十分な範囲でリフトピンによって加えられる力を感知する。 （もっと読む）

処理装置（１）、例えば、イオン注入装置において用いられるガスベアリングスピンドル（２）である。スピンドル（２）は、鋼製のベアリング面（２３）、及び、クロム（３ａ）または他の硬い材料にて被覆されたシャフト（３）を備えている。
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【課題】 構造の簡素化とメンテナンス性の向上が図られ、伝熱ガスのシール性も確保できる静電チャック及びこれを備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】 ホットプレート１７とステージ１８との間に中間体１９を挟持させ、ホットプレート１７と中間体１９の各々の接触面１７Ａ，１９Ａを表面粗さ（Ｒａ）１０ｎｍ以下とすることにより、これらホットプレート１７と中間体１９とを直に接触させて両者間の所定のシール性を得るようにしている。これにより、耐熱性のあるシール材を用いることなく、ホットプレート１７とステージ１８間の接触界面を介しての伝熱ガスの外部への漏洩を抑制でき、構造の簡素化及び低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ワックスレスとすることにより工数を低減することができるとともに、ウエハの厚みを局所的に残すことにより、ウエハ強度を保ってハンドリングを容易にすることができる。
【解決手段】 収容器１にウエハＷが載置されて収容器１に蓋部材５が係合され、処理部分の円Ｃに相当する部分だけが化学的にエッチングされてウエハＷの厚みが薄くされる。ウエハＷは、収容器１に載置されているだけであり、ワックス等が使われていないので、貼付や剥離工程を省略することができて工数を低減できる。ウエハＷの外周部の厚みは元のままであり、全面研磨に比較して機械的な強度が高いので、従来から使われている搬送機構やウエハキャリアをそのまま使用できる。したがって、ウエハＷのハンドリングを容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング用リングフレームからダイシングシートを迅速且つ確実に剥離させる。
【解決手段】外周縁よりも内側で内孔を含む片面全領域を被うようにシートを貼着されたリングフレームの前記片面の外周縁を水平状に支持する支持台部１２と、該支持台部１２に支持されたリングフレームの内孔内を上下方向へ通過するように往復駆動される移動支持体１１とを備え、該移動支持体１１には針部材１１ｆと、該針部材１１ｆの近傍に位置された押圧部材１１ｇとが上下方向の相対変位作動可能に装設され、移動支持体１１が特定高さよりも高い位置にあるときには押圧部材１１ｇが針部材１１ｆの先端よりも上側に位置され、一方、移動支持体１１が特定高さよりも低い位置に降下されたときには押圧部材１１ｇが針部材１１ｆの先端よりも下側に位置される構成である。 （もっと読む）

【課題】前面及び背面の「オートドーピング」、「ハロー」及び不利なナノトポグラフィーを十分に回避することができるサセプタの提供。
【解決手段】少なくとも１５％の多孔率、０．５〜１．５ｇ／ｃｍ^３の密度、０．１ｍｍより小さい孔径及び１００００ｃｍ^２／ｃｍ^３よりも大きな孔の内部表面積を有するガス透過性構造を有することを特徴とする、化学気相堆積により半導体ウェハの前面に層を堆積させる際に半導体ウェハを収容するためのサセプタ。 （もっと読む）

【課題】 サセプタの面内温度の均一性を確保し破損を防止するとともに、ウエハ温度の低下や金属汚染を生じさせない基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】
成膜装置１００は、ウエハＷに対して処理を行なう処理容器１と、処理容器１内でウエハを載置するサセプタ２と、サセプタ２を加熱するヒーター５と、ウエハ載置面に突没可能に設けられ、ウエハＷをウエハ載置面に当接した載置状態とウエハ載置面から離間した離間状態に変位させるウエハ支持ピン３９と、ウエハ載置面に当接した状態と離間した状態とに変位可能に設けられ、当接した状態では、ウエハ載置面におけるウエハ載置領域の周囲を覆うカバーリング４と、を備えている。プリコートの際には、ダミーウエハＷｄの表面とカバーリング４の表面にプリコート膜５０が形成されるため、ウエハ載置面にプリコート膜５０は堆積せず、輻射率が均一化されサセプタ２の破損が防止される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ媒質を用いた真空においてその処理のために薄い半導体基板ウエハを支持するように適合されたデバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板デバイスを支持するデバイスは、冷却システムおよび電気的接続手段を含んだ処理室に取り付けられたサンプルホルダ１を備える。このデバイスは静電的手段によって、またはクランプを用いてサンプルホルダ１に固定されるとともに電気的かつ熱的にサンプルホルダ１に接続された中間要素５ａを備える。中間要素５ａは取外し可能であり、支持する薄い基板４の操作を可能にするのに十分な剛性を有し、かつ基板４よりも高い導電率を有する第１の材料から成るベース７を含む。ベース７を被覆する第１の層８は高い誘電強度を有する第２の材料から成る。第１および第２の電極９ａ、９ｂが第１の層８上に配設される。第１の層８および電極を被覆する第２の層１２は高い誘電強度を有する第３の材料から成る。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウェハをガスの風圧により浮上させて処理する場合においても、ウェハの位置、水平姿勢を保持することができ、処理を均一に行うことができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 基板処理装置は、ウェハＷを処理する処理室１と、処理室１内に処理ガスを供給するガス供給口３と、処理室１内を排気する排気口４と、処理室１内でウェハＷを浮上させるためにウェハ下面に対して下方からガスを吹き出すガス吹き出し口９と、ウェハ浮上時にウェハの水平姿勢を保持するためのホルダ１１と、ホルダ１１の垂直位置を制限するストッパ１２と、を有する。
【選択図】 図１
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リソグラフィ装置が、放射線ビームを提供するための照明システムと、パターニング・デバイスを支持するための支持構造とを含む。パターニング・デバイスは、ビームの断面にパターンを付与するように機能する。このリソグラフィ装置は、基板を保持するための基板テーブルと、パターン付与されたビームを基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを含む。このリソグラフィ装置は、リソグラフィ装置内の基板またはパターニング・デバイスといったオブジェクトを支持するためのチャック・システム１００を有する。チャック・システムは、オブジェクトを支持するためのチャック１２０、チャックを支持するためのフレーム１１０、およびチャックをフレームに対して支持するためのチャック支持構造１１４を含む。チャック支持構造は、少なくとも１つの自由度で可撓な、チャックおよびフレームに結合された少なくとも１つのたわみ要素１３０を含む。
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工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び方法。機器は、工作物の動きを熱により誘起するように構成された工作物加熱システムを備え、さらに、工作物から離間し、減衰力を加えて工作物の動きを減衰させるように構成された減衰部材を備える。この減衰部材は、減衰部材と工作物の間のガス圧が工作物の動きを妨げるのに十分に短い距離だけ工作物の静止位置から離間し得る。この距離は、好ましくは調節可能である。
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支持構造体が半導体作業片またはウェハーの第１の側に、完全にウェハーの周囲の縁部であり内部に延在するが、所望の回路パターンがその内部に配置される選択された区域の外側で層毎の様式でステレオリソグラフィープロセスによって直接施され、この支持構造体は、作業片が反対の第２の側で周囲の縁部に酸エッチングに施されたときに選択された区域の回路パターンを酸から封止するのに効果的な、酸エッチング・プロセスに耐性のある材料の、所望の高さのものである。支持構造体はさらに、曲げ破損に対して作業片を補強する。
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