【課題】 載置される基板の加工または検査を高精度に行なう要求に応える。
【解決手段】 外側第１リニアガイド６ａは、ステージベース５に接続された、第１方向に沿って直線状である外側第１レール１１ａと、外側第１レール１１ａに取り付けられ、外側第１レール１１ａ上を第１方向に沿って移動可能であるとともに、第１テーブル７に接続された外側第１スライダ１２ａとを有する。内側第１リニアガイド１２ｂは、ステージベース５に接続された、第１方向に沿って直線状である内側第１レール１１ｂと、内側第１レール１１ｂに取り付けられ、内側第１レール１１ｂ上を第１方向に沿って移動可能であるとともに、第１テーブル７に接続された内側第１スライダ１２ｂとを有する。第２リニアガイド８の第２レール１８の熱膨張率は、第１テーブル７の熱膨張率よりも大きい。内側第１スライダ１２ｂの高さＨｂは、外側第１スライダ１２ａの高さＨａよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】再製作が容易な基板保持体を提供する。
【解決手段】ウェハＷを吸着保持するスピンチャック１は、第１の温度以上の耐熱性を有する吸着盤１０と、吸着盤１０上面の外周縁部に沿って連続して設けられたシール部材１１と、吸着盤１０の上面であってシール部材１１の内側に設けられた支持部材１２と、を有している。シール部材１１と支持部材１２は、第１の温度より低い第２の温度以上で炭化する紫外線硬化樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｙ_２Ｏ_３を主体相として含む第１の多結晶セラミックス基材と、Ａｌ_２Ｏ_３またはＹ_２Ｏ_３を主体相として含む第２の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＺｒＯ_２から選ばれる少なくとも３種類の酸化物を含む複合酸化物からなる多結晶セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０は、被処理ウェハＷを第１の温度に調節する温度調節機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に移動させる移動機構１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の３箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台１１と、保持部に対応して、載置台１１の外周部分の３箇所に形成され、保持部を収容する切欠部１３とを備える載置板１０とを有し、基板トレイを載置板１０上に載置すると、貫通孔の内側に載置台１１が配置されて、基板が載置台１１の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台１１の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台１１の外周部分に基板の外縁を案内するガイド１２を設けた。 （もっと読む）

【課題】対象物が載置される多孔質体の平滑度の向上を図りながらも当該多孔質体の強度の向上を図ることができる真空吸着装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナ粉末と、二酸化珪素の粒子と、１Ａ族、２Ａ族及び３Ａ族の元素のそれぞれの酸化物、水酸化物、硝酸塩及び炭酸塩から選ばれる少なくとも１つ以上の添加物粉末とを含むスラリーが調整される。このスラリーが支持部２の基礎となるセラミックス成形体に形成されている凹部２１に充填される。成形体が凹部２１に充填されたスラリーの乾燥物とともにシリカ−アルミナ系複合酸化物の軟化点以上の温度で熱処理される。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハから容易に、かつ短時間に剥離することができるとともに、半導体ウエハに各種加工または処理を行う際には半導体ウエハの剥離を生じさせることがない支持基板を提供する。
【解決手段】実施形態の支持基板は、補強のために半導体ウエハに接着剤を介して接着される支持基板１２である。支持基板１２の一主面には、平坦面からなる低密着性領域１６と、この低密着性領域１６を取り囲む非平坦面からなる高密着性領域１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】接着剤を介して２枚の基板を押圧によって接合する際、接合後の基板の厚みを均一なものとする。
【解決手段】第１の保持部２００に保持され、接着剤Ｇが塗布された被処理ウェハＷに、第２の保持部２０１に保持された支持ウェハＳを押圧部材２５１で押圧する。押圧部材２５１は、複数の押圧機構２５２を有している。各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂは、ボールねじ機構によってモータＭの回転によってなされる。押圧部２５２ｂの押圧度合いは、モータＭの制御によって独立して制御されるので、接合後のウェハの厚みが所定の厚みとなるモータＭの積算回転数を求めておくことで、各押圧機構２５２の押圧部２５２ｂによる押圧を等しくすることができ、これによって接合後のウェハの厚みを均一なものとすることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】高温でのウェハプロセスに使用されたときに静電チャック本体とベースとの間の熱膨張差を吸収し、熱応力による静電チャック本体の破損、反り、歪みなどの発生を防止できる構造を提供する。
【解決手段】静電チャック本体１１が、その静電吸着面１２の外側周縁部の固定地点においてベース（水冷プレート２０）に移動不能に固定されると共に、固定地点から離れた可動地点においてベースに対してスライド移動可能に連結されるので、この静電チャック装置１０を高温のウェハプロセスに使用した際の静電チャック本体の熱膨張が吸収され、破損や反り、歪みなどを発生させない。一例として、静電チャック本体に固定される可動ポスト２６がベースの長穴（貫通穴２３）をスライド移動可能に挿通する。静電チャック本体とベースとの間に所定の高さ間隔が保持され、これらの間にリフレクタなどの中間部品を配置可能である。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を構成する搬送機構が有する基板支持具の設計動作及び検出動作をシミュレートした動画像を生成することにより、基板支持具の異常動作に関する原因判定材料を提供可能な動画像生成装置、動画像生成方法及び動画像生成システムを提供する。
【解決手段】動作データ生成部２１ｂは、受け付けた基板支持具に関する動作の履歴情報２Ｄに基づいて、基板支持具の検出動作データ４Ｄを生成する。抽出部２１ａは、基板処理装置に係るＣＡＤデータ１Ｄから基板支持具の形状データ５Ｄと設計動作データ６Ｄとを抽出する。動画像生成装置は、抽出した基板支持具の形状データ５Ｄ及び設計動作データ６Ｄ並びに生成した基板支持具の検出動作データ４Ｄに基づいて、基板支持具の設計動作と検出動作とをシミュレートした動画像を生成する動画像生成部２１ｅを備えている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】表示部に接続された複数の制御部のうち、表示部に表示される表示対象を制御することができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板処理装置を操作する作業者が操作する操作部３４２と、操作部３４２に接続され、前記基板処理装置を制御する少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２と、制御部３０２，３０４，３１２が出力する信号を表示する少なくとも１つ以上の表示部３４２と、前記基板処理装置の起動時に、前記少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２のうち、少なくとも２つ以上の制御部３０２，３０４，３１２の起動時間を異ならせるように制御部３０２，３０４，３１２への電源の投入時機を制御する起動時間制御部３４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】 低温から高温に至る広い温度範囲に亘って高い耐久性を有しており、信頼性の高い電極構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体用のセラミックス基体１内に埋設されたヒータ回路や高周波電極回路などの電気回路２に接続される電極構造であって、一端が電気回路２に電気的に接続されると共に他端が接地または外部電源に接続された例えば棒状のセラミックス電極４を有しており、該セラミックス電極４の表面にはメタライズ層４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】脆弱な構造物が搭載されたウェハへのテープ貼り付け時の負荷を低減し、ウェハの破損や損傷を防ぐ。
【解決手段】テープ貼付装置１は、チャンバ６に形成された気密空間５を第１及び第２の気密空間７、８に仕切り、上面にウェハ９が載置されるゴムシート１０と、ゴムシート１０の上方でテープ１１を保持するテープフレーム１２と、第１及び第２の気密空間７、８に対する気体の供給及び吸引により加圧及び減圧を切り替える給排気機構３とを備え、第１及び第２の気密空間７、８を減圧した後、第２の気密空間８の加圧によりゴムシート１０を膨張させてウェハ９をテープ１１に貼り付け、第１の気密空間７を加圧してゴムシート１０を収縮させる。給排気機構３は、第１の気密空間７の減圧時に、吸引する気体の流量を制御する第１の流量制御弁２７と、第１の気密空間７の加圧時に、供給する気体の流量を制御する第２の流量制御弁２８とを有する。 （もっと読む）

【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、載置する試料を一定の温度に維持する要求に応える載置用部材を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態に係る載置用部材１は、流路６を有する載置用部材１において、一主面に試料２が載置され、他主面に流路６の内壁を構成する溝部８を有するセラミックスからなる第１基板３と、一主面が該第１基板３の他主面に接続されたセラミックスからなる第２基板４と、第１基板３と第２基板４との間に介在した、第１基板３よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層５とを備え、第２基板４の一主面は、第１基板３の他主面に接合層５を介して接続された第１領域９と、流路６の内壁を構成する第２領域１０とを有し、該第２領域１０は、前記第１領域９と同一平面をなす。 （もっと読む）