【課題】レチクルの変形を最小限に抑えることができるレチクル支持機構を提供し、レチクルの検査装置を提供する。
【解決手段】レチクル１０４を支持するレチクル支持機構１を、レチクル支持台１０２とレチクル支持台１０２上に載置された中間部材１０３とを有して構成し、レチクル支持台１０２が中間部材１０３を介してレチクル１０４支持するように構成する。レチクル支持台１０２は、レチクル１０４の隣接する２隅を使用して２点でレチクル１０４を支持し、中間部材１０３を１点で支持する。中間部材１０３は、レチクル１０４の上述の２隅とは異なる２つの隅を使用してレチクル１０４を支持する。このレチクル支持機構１を使用して検査装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率が良好で、密着強度が高く信頼性に優れた半導体製造装置用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体製造装置用部材は、窒化アルミニウム質基体１の表面に水酸化アルミニウムからなる被膜（水酸化アルミニウム膜２）が設けられていることを特徴とするものである。これにより、水酸化アルミニウム膜２は水分との濡れ性がいいので、水酸化アルミニウム膜２から窒化アルミニウム質基体１への伝熱が良くなり、冷却効率が良好な半導体製造装置用部材を実現できる。また、水酸化アルミニウム膜２と窒化アルミニウム質基体１との界面へのクラックの発生が抑制され、密着強度が高く信頼性に優れたものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをステージ上に配置する際、確実に位置決め精度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における位置決めガイドＰＡＧがリング形状をしているため、半導体ウェハの外縁部全体にわたって位置決めガイドＰＡＧで保持することができる。このことから、たとえ、半導体ウェハの外縁部の一部に割れやカケが存在していても、本発明における位置決めガイドＰＡＧによれば、半導体ウェハを確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面内温度分布を解消し、基板表面に形成する薄膜の面内均一性を向上させて歩留まりを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板保持部材２０に設けた基板保持凹部２３に基板２２を保持し、加熱手段によって加熱される基板保持部材を介して基板を加熱するとともに、基板上に原料ガスを供給して基板表面に薄膜を形成する気相成長装置において、基板保持凹部は、基板の裏面に平行な平面部２６と、平面部から上方に突出して上端に基板載置部２７ａが設けられた基板支持凸部２７と、基板支持凸部に隣接する平面部に設けられた凹溝部２８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供する。
【解決手段】基板に対して描画処理を施す描画装置１は、基板Ｗの裏面に対向する保持面１１１が形成された保持板１１と、保持面１１１に形成され、真空吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する真空吸引口１２と、保持面１１１に形成され、ベルヌーイ吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する複数のベルヌーイ吸引口１３とを備える。保持面１１１には、その中心と同心に配置された円形領域Ｍ１と、円形領域Ｍ１と同心に配置された円環状領域Ｍ２とが規定されており、円形領域Ｍ１と円環状領域Ｍ２とのそれぞれにベルヌーイ吸引口１３が配置される。 （もっと読む）

【課題】機能材料層の厚さ分布を高精度かつ短時間で制御可能な技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるステージ装置は、被処理基板１３の下面側に配置され、上下方向に駆動される複数の高さ制御素子を備える高さ制御ユニット１２と、高さ制御ユニット１２を制御する制御ユニット１５とを備える。制御ユニット１５は、被処理基板１３の上面を複数のエリアに区分し、かつ、複数の高さ制御素子の各々の高さをデータ値に基づいて制御することにより各エリアの高さを独立に設定する。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージにおいて石英ガラスからなる当設部材が割れるのを防止する。
【解決手段】ウエハＷを支持する支持ユニット２をウエハＷの外周円上に配置したウエハステージであって、各支持ユニット２は、ウエハＷの外周縁に接するセラミック質の当接部材３と、当接部材３が装着される金属製のベース部と、当接部材３をベース部に固定する固定具とを備える。ベース部には挿入孔４０が形成され、当接部材３には挿入孔４０に向かって上下に貫通する係合孔３０が形成され、固定具は挿入孔４０に嵌合する上下に延びる軸部５４と係合孔３０に係合する係合頭部５３とが一体に形成されたピン５を備え、ピン５が永久磁石の磁力によって下方に向かって付勢されていることで当接部材を固定している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、載置する試料を一定の温度に維持する要求に応える載置用部材を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態に係る載置用部材１は、流路６を有する載置用部材１において、一主面に試料２が載置され、他主面に流路６の内壁を構成する溝部８を有するセラミックスからなる第１基板３と、一主面が該第１基板３の他主面に接続されたセラミックスからなる第２基板４と、第１基板３と第２基板４との間に介在した、第１基板３よりも熱伝導率の低いガラスからなる接合層５とを備え、第２基板４の一主面は、第１基板３の他主面に接合層５を介して接続された第１領域９と、流路６の内壁を構成する第２領域１０とを有し、該第２領域１０は、前記第１領域９と同一平面をなす。 （もっと読む）

【課題】静電吸着装置における吸着力又はその分布を容易に調整可能とする。
【解決手段】ウエハＷを吸着して保持する静電チャック２２であって、ウエハＷに対向して配置される支持面３３を有するベース部材３２と、支持面３３に設けられてウエハＷを支持する複数の円柱状の支持部３４と、支持面３３の複数の支持部３４の間に設けられた吸着用の電極３８Ａ，３８Ｂと、電極３８Ａ，３８Ｂの支持面３３に対する高さを調整する複数のアクチュエータ４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】吸着対象物を安定して吸着保持でき、かつ、放電が発生し難い基板温調固定装置を提供すること。
【解決手段】本基板温調固定装置は、基体に内蔵された電極に電圧を印加して吸着対象物を前記基体上に吸着保持する静電チャックと、接着層を介して前記静電チャックを固定するベースプレートと、前記電極と電気的に接続された給電部と、前記給電部を保持する保持部と、を有する基板温調固定装置であって、前記保持部は、保持部本体と、封止部と、を有し、前記保持部本体は、前記ベースプレートに固定され、前記接着層の反対側に開口する凹部と、前記凹部内から前記接着層側に貫通する貫通孔と、を備え、前記給電部は、電極ピンと、電線と、を有し、前記電極ピンは、前記凹部内に固定され、前記電線は、前記接着層内、前記貫通孔内、及び前記凹部内に配線されて、前記電極と前記電極ピンとを電気的に接続し、前記封止部は、少なくとも前記凹部に充填されている。 （もっと読む）

【課題】基板と静電チャックとの間に供給される伝熱ガスによって基板全体の温度を均一する。
【解決手段】ドライエッチング処理される基板２を静電吸着する静電チャック１１は、基板２と相似形状の静電吸着面１３ａを備える基板保持部１３を有する。基板保持部１３は、静電吸着面１３ａの縁１３ｂ，１３ｃに沿って形成された環状溝１３ｅと、環状溝１３ｅに囲まれた静電吸着面１３ａの部分に且つ環状溝１３ｅに沿って形成された凹部１３ｄと、凹部１３ｄの底面１３ｆの中央に形成されて凹部１３ｄ内に伝熱ガスを導入する第１の導入孔１３ｊと、凹部１３ｄの底面１３ｆの縁１３ｈに沿って形成されて該凹部内に伝熱ガスを導入する複数の第２の導入孔１３ｋとを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部は、基板の縁側を下方から支持する凸領域と、凸領域により支持された基板に接触しないように凸部の内側に設けられた凹領域と、凹領域に設けられ、凸領域よりも低く形成された補助凸領域と、を上面に有し、凹領域内に連通し、基板と、基板支持部との間の気体を凹領域側から逃す流路を有する。 （もっと読む）

【課題】基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、基板の撓みを生じ難くできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレート２と、ベースプレート２の上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレートとを備え、フェイスプレートは、アルミ基板と、アルミ基板に設けられてウェハを加熱するフィルムヒータとを備え、フィルムヒータの外周には、ターミナルブロック９に結線される給電用の端子３３が設けられ、端子３３は、長手方向の途中に折曲部３３Ａ，３３Ｂを有したチャンネル形状に形成され、ターミナルブロック９は、ベースプレート２の下面に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】照射光の広域な波長に亘って安定した低反射率を得られ、安定した二重露光防止作用と良好な露光作用を得られるとともに、液晶ディスプレイの軽量化と大型化に対応し、設備費と反射率の低減を図れるとともに、基板ステージの機能低下や故障を未然に防止し、低反射率の液晶基板保持盤を確実かつ安価に製造できる、液晶基板保持盤およびその製造方法を提供する。
【解決手段】母材１１表面に低反射率の材料からなる溶射皮膜１２を形成したこと。前記溶射皮膜１２の表面に透明または半透明の基板Ｗを保持可能な支持部１３を形成した液晶基板保持盤であること。前記溶射皮膜１２をアルミナとチタニアを含有する複合材料（Ａｌ₂Ｏ₃−α％ＴｉＯ₂）で形成したこと。前記溶射皮膜１２表面の全反射率を、光の波長３６０〜７４０ｎｍの範囲に亘って９％以下に形成したこと。 （もっと読む）

【課題】基板を格段に薄くして温度変更を高速化した場合でも、球体の位置を安定させてウェハを適正位置に支持させておくことができる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレートと、ベースプレートの上方に位置してウェハが載置されるフェイスプレート３とを備え、フェイスプレート３は、アルミ基板３１と、アルミ基板３１に設けられたウェハＷを加熱するフィルムヒータ３２Ｂと、アルミ基板３１に設けられてウェハＷとの間に介装されるギャップボール６とを備え、アルミ基板３１には、ギャップボール６が圧入される第２取付孔３Ｂが設けられ、ギャップボール６は、圧入により第２取付孔３Ｂ内の内壁面でのみ保持されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハへの成膜に悪影響を及ぼすことを抑えることが可能なクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハ１００を下部電極に固定するためのクランプリング６１は、クランプリング６１におけるウエハ１００と接触しない側の表面６３には、複数の凹部６４が設けられており、クランプリング６１の内側における円周方向の凹部６４の間隔Ｘ１は、クランプリング６１の外側における円周方向の間隔Ｘ２と比べて同等である。 （もっと読む）

【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽１０１と、処理槽１０１内に配され、基板１０２を一面に接して載置する支持部材１０３と、処理槽１０１外に配されたガス供給手段１０４から、支持部材１０３と基板１０２との間の空隙１０３Ｄ内へ、ガスを供給する流路１０５と、を有し、空隙１０３Ｄは、空隙１０３Ｄを通してプラズマ処理槽１０１内にガスを誘導するように形成されている。 （もっと読む）