【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板８の裏面と対向する面に１つ以上の開口部を有する基板支持部材９と、基板８を搭載した基板支持部材９を駆動させて、イオンビーム３の少なくとも一部が基板８上に照射される照射領域とイオンビーム３が基板８上に照射されない非照射領域に基板８を搬送する基板駆動機構と、基板８の下流側でイオンビーム３が照射される位置に配置されたビーム電流計測器１１を備えたイオンビーム照射装置１で、照射領域内に基板８が搬送されているときに、ビーム電流計測器１１によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 （もっと読む）

【課題】大型の被露光材を露光するために、複雑且つ高コストの露光機構を要することなく、露光に使用するマスクのコストを抑えることである。
【解決手段】本発明に係る露光装置は、光源からの照射光を遮断する遮光領域と照射光を透過させる透光領域とを金属板に形成した複数のメタルマスクと、光源と搬送された被露光材との間に、複数のメタルマスクを保持するマスク保持部とを備える。マスク保持部は、同一平面上に並置された複数のメタルマスクを、隣り合うメタルマスクの各端部が互いに接触するように、連結して保持するものであり、複数のメタルマスクは、並置且つ連結されることによって全体として１個のメタルマスクを構成すると共に、マスク保持部に対して、それぞれ個別に着脱できるものである。 （もっと読む）

【課題】レチクルの変形を最小限に抑えることができるレチクル支持機構を提供し、レチクルの検査装置を提供する。
【解決手段】レチクル１０４を支持するレチクル支持機構１を、レチクル支持台１０２とレチクル支持台１０２上に載置された中間部材１０３とを有して構成し、レチクル支持台１０２が中間部材１０３を介してレチクル１０４支持するように構成する。レチクル支持台１０２は、レチクル１０４の隣接する２隅を使用して２点でレチクル１０４を支持し、中間部材１０３を１点で支持する。中間部材１０３は、レチクル１０４の上述の２隅とは異なる２つの隅を使用してレチクル１０４を支持する。このレチクル支持機構１を使用して検査装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの湾曲を防止した搬送装置を得ること。
【解決手段】太陽電池モジュール２４の出力特性を測定する電流電圧特性模擬装置本体１１の上で受光面を下向きとして太陽電池モジュール２４を搬送する搬送装置５０であって、電流電圧特性模擬装置本体１１の上方に配置され、太陽電池モジュール２４の対向する２辺を支持して太陽電池モジュール２４を搬送する一対の搬送ベルト２３と、一対の搬送ベルト２３によって搬送される太陽電池モジュール２４の受光面と反対側の面を吸着して、太陽電池モジュール２４の中央部を引き上げる吸着ユニット３５と、吸着ユニット３５を、一対の搬送ベルト２３による太陽電池モジュール２４の搬送に同期させて移動させる搬送ベルト３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】原版に対する熱および振動の影響を抑えるのに有利な露光装置を提供する。
【解決手段】この露光装置は、原版Ｍの外周部を引き付けて保持する保持枠２０と、パターン２４に対する光の照射領域を変更しつつ保持枠２０を移動可能とする駆動部２２とを含む原版保持部５を有する。ここで、保持枠２０は、移動方向に対して前後となる両方の側面に、原版Ｍと保持枠２０とに囲まれた空間２５に存在する気体を空間から排出可能とする貫通部２６を有する。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】冷却による基板の損傷を防止可能な基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板冷却装置において、複数の基板８０ａ〜８０ｆは、下側から上側に向かって、基板８０ａ〜８０ｆの順番で間隔Ｄを空けて積層されている。突出片６５は基板８０ｂと略同一線上の位置にあり、突出片６６は基板８０ｄと略同一線上の位置にあり、突出片６７は基板８０ｆと同一線上の位置にある。基板８０ａ〜８０ｆは、突出片６５〜６７によって、Ａ〜Ｃのエリアに区分されている。冷却室７内には、突出片６５〜６７と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓが形成されている。送風路Ｓにおいて、各エリアに位置する基板８０ａ〜８０ｆは、略整流板である。 （もっと読む）

【課題】 回転機構を持たない基板処理装置であっても、基板と接触する部位を清掃することができる基板処理装置の清掃装置を提供する。
【解決手段】 清掃装置２は、処理されるウエハＷと同じ外形のベース４００と、ベース４００の下面の周縁部に下向きに植設された清掃具であるブラシ４０２と、ブラシ４０２を動かす駆動源の振動発生装置４０４とからなり、ハンド１１上で清掃装置２の振動発生装置４０４が振動してブラシ４０２が振動し、ハンド１１のウエハ支持部材８１の支持面８６ａを清掃する。 （もっと読む）

【課題】剥離動作における板状部材の振動を低減し、板状部材へのストレスを抑制することを可能とし、かつ、板状部材を確実に支持することができるようにすること。
【解決手段】支持装置１１は、半導体ウエハＷの表裏何れか一方の面における外周部だけに接して当該半導体ウエハＷを保持する保持部１９と、この保持部１９に連設されて半導体ウエハＷに対向可能に設けられた本体部２０と、この本体部２０と半導体ウエハＷの間であって保持部１９で囲まれる保持空間Ｃを加圧又は減圧可能な圧力付与手段２１とを備えている。圧力付与手段２１により保持空間Ｃを加圧又は減圧することで、保持空間Ｃの空気によって半導体ウエハＷを支えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ２を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具３において、ヤトイ治具３の内周側の先端部に庇状の段差部３ａが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具３の段差部３ｂ上にはウエハ２が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具３の段差部３ｃ上には、その下面がウエハ２の上面にと当接してウエハ２を自重で固定するための蓋４が搭載されている。段差部３ｃ上に搭載された蓋４の下面は、段差部３ｂ上に搭載されたウエハ２の上面を多少押圧する段差部３ｂ、３ｃの段差高さ関係を有している。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りの状態に依らず、ウエハを保持することができるウエハ保持装置およびウエハ保持方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ保持装置は、反りの生じているウエハ１を真空吸着して保持する。ウエハ保持装置は、ウエハ１を真空吸着して保持する吸着チャック１１と、ウエハ１の反りを矯正して、反りの生じているウエハ１を平坦な状態に近づける矯正部２１と、ウエハ１の外周部を保持する吸引ガード３１と、を備える。吸引ガード３１は、矯正部２１の上方にウエハ１を保持する。また、吸引ガード３１は、ウエハ１を支持した状態で下降し、ウエハ１を矯正部２１に押し付ける。これにより、ウエハ１は平坦な状態に近づけられる。この状態で、矯正部２１の下方に位置する吸着チャック１１を上昇させる。吸着チャック１１は、矯正部２１の吸着チャック用開口部２３内を上昇して、ウエハ１の吸着チャック用開口部２３に露出する部分を吸着する。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす基板保持具を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗに所定の熱処理を施す熱処理方法において、基板保持具１１に裏面を上面にした被処理基板ｗを上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環３４で支持した単板ユニット３５を構成し、上記基板保持具１１は、被処理基板ｗの周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱２７と、該支柱２７に被処理基板ｗを保持する爪部３６と、上記単板ユニット３５の支持環３４の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニット３５を支持するユニット支持部３７とを有することにより、上記被処理基板ｗの裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの回路が形成された面を傷つけずに、ウエハの表面にテープを貼付することができるテープ貼付装置およびテープ貼付方法を提供すること。
【解決手段】裏面の中央部に外周端部２よりも薄い凹部３が形成された半導体ウエハ１の、おもて面４側の外周端部２のみをウエハ支持台１３によって支持する。テープ貼付装置内の第１の密閉空間２１を真空状態にした後、第１の密閉空間２１のうち、半導体ウエハ１とウエハ支持台１３との間に形成される第２の密閉空間２２に、加圧装置１５によって圧力を導入する。それと同時に、半導体ウエハ１の上方に粘着テープ５を介して昇降可能な状態で設けられた貼付部材１７を下降させ、半導体ウエハ１の裏面の凹部３に粘着テープ５を押込んで貼付する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部（５）を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔（７）およびガス流出孔（８）が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理されたウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理システムを提供する。
【解決手段】複数の試料が収納されたカセットを設置したカセット台と、前記試料を搬送する大気搬送室と、前記大気搬送室から搬送された前記試料を収納し大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能なロック室と、前記ロックに連結された真空搬送室と、前記真空搬送室を介して搬送された前記試料を処理する真空処理室とを備える真空処理システムにおいて、少なくとも１つの前記真空処理室で処理された前記試料を第一の温度に冷却する冷却室と、前記冷却室で冷却された前記試料を第二の温度に冷却する冷却部とを備え、前記冷却部は、前記大気搬送室に配置され、前記冷却室で冷却された前記試料を前記第二の温度に冷却する冷却手段を有することを特徴とする真空処理システムである。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に回路パターンが存在しても、基板表面の平面度を確保して吸着保持を行うことができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持面を有するステージと、ステージの基板保持面に配置され、裏面に回路パターンを有する基板を支持するブロックユニットと、を備える基板保持装置であり、ブロックユニットは、基板保持面上の所定位置に配置変更可能に設けられる１以上のブロック部を有し、ブロック部の少なくとも１つには、基板と当接する部分に基板の裏面を吸着させる吸着機構が設けられ、ステージの基板保持面に基板の回路パターンを避けるように配置されたブロック部の基板当接部に基板の裏面が載置された状態で、基板当接部の吸着機構により基板の裏面が吸着されることにより、基板がステージ上に吸着保持される構成とする。 （もっと読む）

【課題】光透過性の高い基板を使用する場合であっても、基板の配設状態を検知可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する反応室と、前記基板が載置された基板ホルダを保持すると共に基板処理中前記反応室内に配置される基板保持具１２と、前記基板が前記基板ホルダに載置された状態で該基板ホルダの搬送を行う基板移載機１１とを具備し、基板移載機１１は前記基板ホルダを保持するアーム１３と、光を投光する第１の投光部と該第１の投光部から投光された光を受光する第１の受光部を有する第１のファイバセンサとを有し、該第１のファイバセンサはアーム１３が正常に前記基板ホルダを保持している場合に、前記第１の投光部と前記第１の受光部との間に前記基板ホルダが位置する様に配置される。 （もっと読む）

【課題】成長条件とを駆使し、基板上への成長膜厚を均一にする方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１２０内に、支持台１１０上に載置された基板１０１が収容され、この基板１０１上に成膜するためのガスを供給する第１の流路及びガスを排気する第２の流路が接続された気相成長装置を用い、基板上に半導体層を気相成長する際に、成膜するための反応ガス及びキャリアガスの流量と濃度、チャンバ内の真空度、基板温度及び基板を回転する回転速度を制御して、半導体層の膜厚を均一にする。 （もっと読む）