【課題】高速回転するスピンナーテーブルからフレームとともにウエーハが脱落しないようにすることを目的とする。
【解決手段】ウエーハＷを洗浄する洗浄装置２Ａに備えるフレーム保持手段３０は、フレーム４の下部４ｂを支持するフレーム支持部３１と、フレーム４の上部４ａを押さえスピンナーテーブル２０の回転中心に対して等角度に配設された複数のフレーム押さえ部３２とを備え、フレーム押さえ部３２は、アーム部３００と、上部３０１に形成されたフレーム４を押圧する爪部３１０と、下部３０２に形成された錘部３２０と、爪部３１０がフレーム４の上部４ａを押圧するようにアーム部３００を回転可能に支持する支点軸３３０と、を備え、錘部３２０にはスピンナーテーブル２０の回転時に遠心力に加え揚力が生じるように翼３２１が形成され、フレーム押さえ部３２がフレーム４を押さえてウエーハＷがスピンナーテーブル２０から脱落するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】長尺体が巻回されかつデータキャリアが設けられた軸芯部材を支持軸で支持する際に、データキャリアに対するデータの通信を適切に行うための正確な位置合わせが不要な長尺体の支持装置および支持方法を提供する。
【解決手段】基端部２２１Ｅと先端部２２１Ｔとを有し、軸芯部材２７における中空部の一端側から挿入することで当該軸芯部材２７を支持する支持軸２２１と、支持軸２２１を基端部２２１Ｅ側から支えるフレームとを備え、軸芯部材２７には、中空部の他端側であって、軸芯部材２７の軸線ＣＦに直交する面２７１内に所定のデータの記憶および送信の少なくとも一方が可能なデータキャリア２９が設けられ、支持軸２２１の先端面２２１Ｃには、ループアンテナ２６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウエーハを支持する支持基板の表面を傷つけることなく、ウエーハの面取り部を容易に切断することを目的とする。
【解決手段】ボンド剤を介在させて円形のウエーハＷが貼着される支持基板１は、その表面１ａにリング状の逃げ溝２が形成されているため、支持基板１の表面１ａにウエーハＷの表面Ｗａを貼着し、ウエーハＷの外周に形成された面取り部４を除去する際に、切削ブレード６０が逃げ溝２に入るため、切削ブレード６０が支持基板１に接触することを回避できる。これにより、切削ブレード６０が支持基板１の表面１ａを傷つけることなくウエーハＷの面取り部４を容易に切断できる。 （もっと読む）

【課題】剥離シートが薄厚化した場合でも、接着シートの形成、剥離及び貼付を良好に行えるようにすること。
【解決手段】帯状シートＷＳが帯状の剥離シートＲＬに仮着された原反ＲＳを繰り出す繰出手段１４と、帯状シートＷＳに切込ＣＵを形成して当該切込ＣＵの内側に接着シートＡＳを形成する切断手段１５と、接着シートＡＳを初期剥離領域Ｓａから次期剥離領域Ｓｂに向かって剥離する剥離板１８とを備えてシート貼付装置１０が構成されている。切断手段１５は、ダイカットローラ３６と、プラテンローラ３７と、これらローラ３６、３７の間隔を調整可能な調整手段３８とを備え、切込ＣＵ形成中に前記間隔を調整手段３８が調整することで、初期剥離領域（繰出方向先端部）Ｓａに対応する初期切込ＣＵ１の深さが次期剥離領域（内側領域）Ｓｂに対応する次期切込ＣＵ２の深さに比べて深い切込を形成する。 （もっと読む）

【課題】不要シートの剥離や、接着シートの貼付を良好に行うことができるようにすること。
【解決手段】帯状シートＷＳが帯状の剥離シートＲＬに仮着された原反ＲＳを繰り出す繰出手段１４と、帯状シートＷＳに切込ＣＵを形成して当該切込ＣＵの内側に接着シートＡＳを形成し、切込ＣＵの外側に不要シートＵＳを形成する切断手段１５と、接着シートＡＳを初期剥離領域（繰出方向先端部）Ｓａから剥離する剥離板１８とを備えてシート貼付装置１０が構成されている。繰出手段１４は、原反ＲＳに付与する張力を増減可能な張力付与手段１７を有し、張力の増加によって初期剥離領域Ｓａの接着シートＡＳ外縁と不要シートＵＳとの間に隙間ＳＰを形成可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供する。
【解決手段】基板に対して描画処理を施す描画装置１は、基板Ｗの裏面に対向する保持面１１１が形成された保持板１１と、保持面１１１に形成され、真空吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する真空吸引口１２と、保持面１１１に形成され、ベルヌーイ吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する複数のベルヌーイ吸引口１３とを備える。保持面１１１には、その中心と同心に配置された円形領域Ｍ１と、円形領域Ｍ１と同心に配置された円環状領域Ｍ２とが規定されており、円形領域Ｍ１と円環状領域Ｍ２とのそれぞれにベルヌーイ吸引口１３が配置される。 （もっと読む）

【課題】原版に対する熱および振動の影響を抑えるのに有利な露光装置を提供する。
【解決手段】この露光装置は、原版Ｍの外周部を引き付けて保持する保持枠２０と、パターン２４に対する光の照射領域を変更しつつ保持枠２０を移動可能とする駆動部２２とを含む原版保持部５を有する。ここで、保持枠２０は、移動方向に対して前後となる両方の側面に、原版Ｍと保持枠２０とに囲まれた空間２５に存在する気体を空間から排出可能とする貫通部２６を有する。 （もっと読む）

【課題】所定の平面形状に形成された接着剤層を有する接着シートをロール状に巻き取った場合において、接着剤層に巻き跡が転写されることを十分に抑制し、被着体に接着剤層を貼り付ける際に空気の巻き込みによるボイドの発生を十分に抑制することが可能な接着シートを提供する。
【解決手段】剥離基材と、該剥離基材上に部分的に形成された所定の平面形状を有する接着剤層と、該接着剤層を覆い、且つ、該接着剤層の周囲で前記剥離基材に接するように形成された粘着フィルムと、を有する接着シートであって、前記粘着フィルムを取り除く部分が剥離基材の短手方向（長手方向に直交する方向）の中心からずれている接着シート。 （もっと読む）

【課題】外周に枠部を備えている支持膜の中央部に接着された基板を保持しているときに、該支持膜を溶剤雰囲気などから保護し、該支持膜のたわみを抑制することができる保持技術を提供する。
【解決手段】本発明に係る保持装置１０は、ダイシングテープ（支持膜）３が接着されている側の面からウエハ（基板）２を吸引する第一吸引部１１、ダイシングフレーム（枠部）４を支持するとともに、ダイシングテープ３のウエハ２が接着されていない側の面におけるウエハ２とダイシングフレーム４とに挟まれた第一領域を覆う構造体１４、および、構造体１４と、ダイシングフレーム４および第一領域の少なくとも一方との間を密閉する第二吸引部１２を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを傷つけることなく、半導体ウェハの裏面に材料が堆積されることを抑制することができる半導体ウェハカバーを提供する。
【解決手段】半導体ウェハカバーは、第１のカバー部と、第２のカバー部とを備える。第１のカバー部は、半導体ウェハの表面を露出させつつ半導体ウェハの裏面の少なくとも外縁部を被覆するように半導体ウェハを収容し、半導体ウェハの裏面の中心部分において第１の開口部を有する。第２のカバー部は、第１の開口部に嵌合し、半導体ウェハの裏面の中心部分を被覆する。第１の開口部の径が半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって小さくなるように該第１の開口部の内側面はテーパーを有する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送機構の保持部材に基板を水平に保持し、昇降部材を介して載置台に基板を受け渡すにあたって、受け渡しに要する時間を短縮できる技術を提供すること。
【解決手段】保持部材２３の保持部に水平に保持されたウエハＷａ（Ｗｂ）を昇降ピン３７ａ（３７ｂ）を介して載置台３ａ（３ｂ）に受け渡すにあたって、保持部材２３上のウエハＷａ、Ｗｂの位置を検出し、その検出結果に基づいて保持部材２３を移動させると共に、昇降ピン３７ａ（３７ｂ）の上昇のタイミングを求め、保持部材２３を移動させながら昇降ピン３７ａ（３７ｂ）を突き上げてウエハＷａ（Ｗｂ）を受け取るようにしている。そしてウエハＷａ（Ｗｂ）を昇降ピン３７ａ（３７ｂ）に受け渡す動作が安定するように減速区間を設定し、それ以外の区間では、従来通り高速で保持部材２３を移動させる。 （もっと読む）

【課題】粘着部材と剥離部材のユニット化を構成し易くしながら剥離性能を向上させる。
【解決手段】支持部材３の側面３ｂと環状部材４の係止凹部４ａとの間に、剥離部材２の取付凸部２ｃを変形部２ａの変形方向へ移動不能に挟み込むとともに、環状部材４の取付面４ｂに、変形部２ａの外縁と隣接して粘着部材１を取り付けることにより、環状部材４を介して剥離部材２及び支持部材３と粘着部材１が一体的に組み付けられる。さらに変形部２ａと粘着面１ａが互いに隣り合って限りなく接近して配置されるため、粘着面１ａに粘着保持された板状ワークＷを変形部２ａの変形で剥離する際に、大きな剥離力が得られ、剥離時において板状ワークＷに生ずる撓みが最小限に抑えられる。 （もっと読む）

【課題】装置構成が簡単で、かつ修正対象の基板の撓みを抑制することが可能な基板支持装置およびこれを用いたパターン修正装置を提供する。
【解決手段】基板支持装置４は、基板３を搬送する搬送装置のハンド部が進入可能な隙間１３を形成するように互いに離れて配置され、基板３を保持する複数の副ステージ１２と、隙間１３内を移動可能なように隣り合う副ステージ１２の間に配置され、基板３を保持する補間ステージ１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁性体を一部に含む磁性体部と、該磁性体部をほぼ取り囲んだ状態で形成された空所部とを有する物体を簡単に加工する。
【解決手段】 加工装置は、磁性体を一部に含む磁性体部と、該磁性体部をほぼ取り囲んだ状態で形成された空所部とを有する物体Ｍを保持可能な保持面を有し、複数のマイクロコイルＭＣを有する電磁チャック２０と、電磁チャック２０を前記保持面と交差する方向に移動させる移動装置と、を備えている。移動装置が、該電磁チャック２０の複数のマイクロコイルＭＣにより物体Ｍの前記磁性体部が磁気吸着され、かつ前記空所部が磁気吸着されない状態で、電磁チャック２０を前記保持面と交差する方向に移動させることにより、磁性体部及びこれに連結された部分を電磁チャック２０の移動方向に応じて変形させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】柔らかく剛性の低い薄物ワークでも局所変形を生じさせることなく非接触保持することができる非接触式静電チャックの提供。
【解決手段】ベース面２ａに設けられたノズル４から空気を噴き出してワークを浮上させると共に、ベース面２ａに設けられた電極３に電圧を印加することによりワークを静電気力でベース面２ａに引き寄せる非接触式静電チャック１であって、ノズル４は、電極３が設けられた領域の少なくとも一部を囲うと共に、上記囲まれた領域Ｘの内側に向けてベース面２ａに対し斜めに延びて開口しており、上記囲まれた領域Ｘにおいて、該領域の中心からの距離に応じて複数の領域（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４）に分割し、該複数の領域のそれぞれについて上記静電気力を独立して調節する静電気力調節装置９を有するという構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハへの良好な密着性、粘着性を有し、耐薬品性、耐熱性、低透湿性に優れ、かつ、使用後は半導体ウエハ表面に残存せずに容易に剥離できる半導体ウエハの保護膜、ならびに該保護膜を利用する半導体ウエハ表面の保護方法および半導体ウエハの加工方法を提供する。
【解決手段】硬化性フルオロポリエーテルエラストマー組成物の硬化皮膜からなる半導体ウエハの保護膜；半導体ウエハの片面または両面を上記保護膜で被覆することを含む半導体ウエハ表面の保護方法；（ａ）半導体ウエハの片面を上記保護膜で被覆して保護膜被覆半導体ウエハを得る工程を有する半導体ウエハの加工方法。上記加工方法は、（ｂ）裏面研削工程、（ｃ）貫通孔形成工程、（ｄ）貫通電極作製工程、および（ｅ）保護膜剥離工程の特定の組み合わせを更に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、ＳｉＣヒータを備える成膜装置において、ＳｉＣヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハ７０の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置１０であって、ウエハ７０を設置可能なウエハステージ１４、１６と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ７０を加熱するＳｉＣヒータ４２と、ウエハ７０の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段６０、６２、６４と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路３２、３０、３６と、ウエハステージ内に形成されており、ＳｉＣヒータ４２に、ＳｉＣヒータ４２に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路４４、４８を有している。 （もっと読む）

【課題】基板を裏面側から支持装置により水平に支持するにあたり、当該基板と支持装置との接触による基板の裏面における傷の生成やパーティクルの発生を抑えること。
【解決手段】支持体本体３１上に形成された複数の凹部４１内に、磁性体からなる芯材４２ａと、この芯材４２ａの外周側を覆う被覆材４２ｂと、を備えた転動体４２を転動自在に収納し、これら転動体４２の上面によりウエハＷを裏面側から水平に支持すると共に、凹部４１の下方側に位置規制機構４３を設ける。そして、各々の位置規制機構４３について、支持体本体３１上に載置されるウエハＷが水平方向に移動する場合、当該ウエハＷの動きに倣って位置規制機構４３の引きつける力に抗して転動体４２が転動し、支持体本体３１上にウエハＷが載置されていない時には位置規制機構４３の上方側に転動体４２が戻るように構成する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気下でシリコン基材の表面部を微細加工により多孔質化し、次いで真空雰囲気のまま連続して当該表面部に成膜処理することができ、シリコン基材に不純物が付着することを抑えることのできる技術を提供すること。
【解決手段】真空室３１内にノズル部５を設け、ノズル部５の吐出口に対向するようにシリコン基板Ｗを保持する。例えばＣｌＦ３ガス及びＡｒガスをノズル部５の基端側から０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａで供給し、この混合ガスをノズル部５の先端側から１Ｐａ〜１００Ｐａの真空雰囲気に吐出させる。これにより混合ガスが断熱膨張し、Ａｒ原子やＣｌＦ３の分子が結合してガスクラスターＣとなる。このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの撓みを抑制する支持具であって、支持具に半導体ウエハが取り付けられた状態で半導体ウエハに対して加工を行うことができるとともに、半導体ウエハの破損を防止しながら半導体ウエハを搬送することができる支持具を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハを支持する支持具１０であって、枠体１２と、枠体１２に設けられており、枠体１２の内孔１４の中心に向かう方向に進退動可能であり、内孔１４の中心軸回りに均等角度間隔で設けられた少なくとも３つの可動部３０を有しており、各可動部３０は、枠体１２の内孔１４の中心軸が伸びる方向に隙間３０ｄを空けて配置された一対の支持部を有している。 （もっと読む）