【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークＷ１、Ｗ２がそれぞれ搭載される第１、第２ワークホルダ３１ａ、３２ａと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域ＡＲ１との間で進退移動させる進退機構３３と、互いに異なる位置に設けられた第１及び第２ワーク収容部２１ａ、２２ａと、第１のワーク授受領域にある第１ワークホルダ３１ａと第１ワーク収容部２１ａとの間でワークＷ１を搬送する第１搬送アームと、第２のワーク授受領域にある第２ワークホルダ３２ａと第２ワーク収容部２２ａとの間でワークを搬送する第２搬送アームとを設けた。 （もっと読む）

【課題】大型の被露光材を露光するために、複雑且つ高コストの露光機構を要することなく、露光に使用するマスクのコストを抑えることである。
【解決手段】本発明に係る露光装置は、光源からの照射光を遮断する遮光領域と照射光を透過させる透光領域とを金属板に形成した複数のメタルマスクと、光源と搬送された被露光材との間に、複数のメタルマスクを保持するマスク保持部とを備える。マスク保持部は、同一平面上に並置された複数のメタルマスクを、隣り合うメタルマスクの各端部が互いに接触するように、連結して保持するものであり、複数のメタルマスクは、並置且つ連結されることによって全体として１個のメタルマスクを構成すると共に、マスク保持部に対して、それぞれ個別に着脱できるものである。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において占有床面積を小さくすることができる技術を提供すること。
【解決手段】キャリアブロックの背面側に設けられ、基板の処理の順番が前後する複数の階層部分を積層した構造を備えると共に各階層ごとに基板搬送機構及び基板を処理する処理モジュールが設けられた処理ブロックと、各々対応する階層の前記基板搬送機構により基板の受け渡しが行われる基板載置部を積層したタワー部と、キャリア載置部上のキャリアと前記タワー部の基板載置部との間、及び前記タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行う基板移載機構と、を備え、基板移載機構は、キャリアと基板載置部との間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第１の基板保持部材と、タワー部の基板載置部の間で基板の移載を行うときに専用に用いられる第２の基板保持部材と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】接合後のウエハの主面が平行となり生産性を向上させるウエハの接合方法を提供する。
【解決手段】一方のウエハの一方の主面に接着剤を塗布し、一方のウエハと他方のウエハとが対向するように接着剤をウエハの主面間で挟んだ状態でウエハを重ね合わせてワークを形成し、第一のプレス板と第二のプレス板と第二のプレス板から第一のプレス板に向かう方向に所定の圧力を加えることができる加圧手段とを備えたプレス装置の、第二のプレス板側を向く第一のプレス板の面に一方のウエハの他方の主面が接触するようにワークを配置するワーク配置工程と、加圧手段により第一のプレス板と第二のプレス板とでワークに加圧するワーク加圧工程と、プレス装置の第一のプレス板からワークを取り出した後、ウエハ間に存在する接着剤を硬化させる接着剤硬化工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を搬送可能なトレイを備えるプラズマ処理装置において、トレイの効果的な冷却と消耗抑制を実現する。
【解決手段】トレイ３の基板収容孔２７Ａ〜２７Ｉの孔壁には基板５の下面ｃの外周縁部分を支持する基板支持部１１が設けられている。ステージ２１の基板載置部２７Ａ〜２７Ｉは、基板収容孔４Ａ〜４Ｉに挿入され、基板載置面２８に基板支持部１１から基板５が受け渡される。基板支持部１１の下側部は、突出量がトレイ３の上面３ａ側に向けて漸次増加するテーパ状面１１ｂである。基板載置部１１の側面はテーパ状面１１ｂと適合する傾斜面２９であり、ステージ２１の基部２１ａとトレイ３との間に間隔Ｓ１が形成されるように、テーパ状面１１ｂに当接して支持する。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理中に基板の縁部およびトレイに付着した副生成物の除去を行って、製品の品質を向上させる。
【解決手段】基板が収容される複数の基板収容孔が設けられ、基板収容孔の内壁から突出する基板支持部を有するトレイを基板ステージのトレイ支持部上に載置するとともに基板保持部上に基板を載置して、基板保持部の端縁よりはみ出した基板の縁部と基板支持部とを離間させる基板載置工程と、トレイおよび基板が基板ステージ上に載置された状態にて、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給し、基板に対するプラズマ処理を行う第１プラズマ処理工程と、チャンバ内を減圧するとともに処理ガスを供給してプラズマ処理を行い、第１プラズマ処理工程により基板の縁部と基板支持部とに付着した副生成物を除去する第２プラズマ処理工程とを実施する。第２プラズマ処理工程は、副生成物の基板保持部への付着を抑制する位置までトレイを上昇させて行う。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、該サセプタの対面、該基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、原料ガスを供給する原料ガス導入部、反応ガス排出部、及び基板ホルダー回転駆動器を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、サセプタの脱着が容易でメンテナンス性に優れ、基板ホルダー回転駆動器及び基板ホルダー回転駆動軸に対するヒータからの熱伝導を抑制できる構造を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供することである。
【解決手段】 基板を保持する複数の基板ホルダーが、基板ホルダー回転駆動器から、基板ホルダー回転駆動軸、該基板ホルダー回転駆動軸に設けられた複数本のツメ、及び反応炉の中心部に設けられ該ツメと脱着可能に噛み合わされた基板ホルダー回転板を介して伝達される回転駆動力により回転する構成とする。 （もっと読む）

【課題】冷却による基板の損傷を防止可能な基板冷却装置、基板キュア装置、並びに基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板冷却装置において、複数の基板８０ａ〜８０ｆは、下側から上側に向かって、基板８０ａ〜８０ｆの順番で間隔Ｄを空けて積層されている。突出片６５は基板８０ｂと略同一線上の位置にあり、突出片６６は基板８０ｄと略同一線上の位置にあり、突出片６７は基板８０ｆと同一線上の位置にある。基板８０ａ〜８０ｆは、突出片６５〜６７によって、Ａ〜Ｃのエリアに区分されている。冷却室７内には、突出片６５〜６７と基板８０ａ〜８０ｆとによって、Ａ〜Ｃのエリアに区分された送風路Ｓが形成されている。送風路Ｓにおいて、各エリアに位置する基板８０ａ〜８０ｆは、略整流板である。 （もっと読む）

【課題】基板が少ない枚数のロットも効率的に搬送することができるとともに、ロット内に基板の抜けがあっても各基板の間隔を一定にすることができる基板移載装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰに収納可能な基板Ｗの枚数より少なく、かつ２個以上の支持アーム１７を備えている。３個の支持アーム１７により、ＦＯＵＰ内の不等間隔で収容されていた３枚の基板を、姿勢変換部に一度に搬送するとともに、３枚の基板の間隔を一定にすることができる。したがって、基板が少ない場合であっても複数の支持アーム１７によって効率的に搬送することができる。また、処理部における処理を３枚の基板について均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】２枚の基板がスペーサ部材を介して積層されてなる積層体を基板保持部との間で搬送するときに、搬送時間を短くすることができる基板搬送方法を提供する。
【解決手段】積層体を保持していないときにスペーサ部材を保持する基板保持部に対して、積層体を搬送する基板搬送方法であって、第１のフォーク５３の上方に設けられた第２のフォーク５４の一方の面５４ａ側に設けられた第１の掴み機構６１により、第１の基板を下掴みして受け取り、第２のフォーク５４を上下反転させて第１のフォーク５３に載置する第１の工程と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａと同一面側に設けられた第２の掴み機構６２により、基板保持部に保持されているスペーサ部材を上掴みして受け取り、第１の基板上に載置する第２の工程と、第１の掴み機構６１により第２の基板を上掴みして受け取り、スペーサ部材上に載置する第３の工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】同一のフォークにより基板及びスペーサ部材のいずれをも支持可能であるとともに、収納容器に収容されている基板及びスペーサ部材の間隔を小さくすることができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】裏面同士が対向する２枚の基板がスペーサ部材を介して積層されてなる積層体を上下方向に複数保持する基板保持部に対して、積層体を搬送する基板搬送装置において、基板保持部との間で積層体を受け渡す第１のフォーク５３と、第１のフォーク５３の上方に、基板及びスペーサ部材を収容する収容部に進退可能かつ上下反転可能に設けられ、収容部と第１のフォーク５３との間で基板又はスペーサ部材を受け渡す第２のフォーク５４と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａ側に設けられ、基板を上掴みする第１の掴み機構６１と、第２のフォーク５４の一方の面５４ａと同一面側に設けられ、スペーサ部材を上掴みする第２の掴み機構６２とを有する。 （もっと読む）

【課題】縦型炉内にカバーボート内の平面状の薄型半導体基板を搬入する改良型搬入装置を提供する。
【解決手段】バッチ処理用に構成される縦型炉において半導体基板を搬入する搬入装置に用いられるウエハボート組立体であって、半導体基板を保持するウエハボートと、これらの基板を実質的に取り巻くように構成されるカバーとを含むウエハボート組立体において：
ベース部と、ベース部に取り付けられる第１のカバー部分であって、少なくとも部分的にベース部上側周縁部に沿って延在する第１のカバー部分とを有する第１のウエハボート部分と；
第１のウエハボート部分に取外し可能に配設されると共に第１のカバー部分と協働するように構成される第２のカバー部分であって、少なくとも１つの加工処理対象の半導体基板を受ける受入れスロットを含む第２のカバー部分を有する第２のウエハボート部分とを具備するウエハボート組立体。 （もっと読む）

【課題】設置面積を増大させることなく、処理能力を向上させることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板Ｓに対し、真空雰囲気中で一貫して複数の処理を施す真空処理装置Ｍにおいて、相互に隔絶可能に連結された複数の処理室Ａ乃至Ｅと、各処理室間に対して基板を搬入または搬出する搬送ロボット１と、少なくとも搬送ロボット１の作動を制御し得る制御ユニット７と、を備える。処理室Ａ乃至Ｅのうち同一の処理を施す少なくとも２つの処理室Ｃ１、Ｃ２を、複数枚の基板を収容してこれら複数枚の基板に対して同時にストック処理を施すストック処理室とし、何れか一のストック処理室でストック処理を施す間、他のストック処理室に対しては基板の搬入又は搬出のみを行うように構成した。 （もっと読む）

【課題】成膜面を下にして上下を逆にして載置したウエハ上の堆積膜にクラック、バリ、剥がれの発生を防止する。
【解決手段】蒸着設備において、下から受けてウエハ２を支えて搭載するウエハ搭載用のヤトイ治具３において、ヤトイ治具３の内周側の先端部に庇状の段差部３ａが平面視リング状に設けられている。リング状のヤトイ治具３の段差部３ｂ上にはウエハ２が搭載され、さらに外周側のヤトイ治具３の段差部３ｃ上には、その下面がウエハ２の上面にと当接してウエハ２を自重で固定するための蓋４が搭載されている。段差部３ｃ上に搭載された蓋４の下面は、段差部３ｂ上に搭載されたウエハ２の上面を多少押圧する段差部３ｂ、３ｃの段差高さ関係を有している。 （もっと読む）

【課題】サセプタ及び化学気相蒸着装置に関する。
【解決手段】化学気相蒸着装置用サセプタ１００は、光透過性物質からなり基板１０１を収容するポケットを少なくとも一つ備えるサセプタ本体部１０４と、サセプタ本体部の上面に形成され、光吸収性物質になって前記サセプタ本体部を通過した光を吸収する光吸収部１０７とを含む。ポケットは、底部と、底部から上昇した位置に基板の周囲部を載せるように形成された係止段差部とを備え、係止段差部は、サセプタ本体部に形成されるか、または、ポケットまで延長されて形成された光吸収部の端部に形成される。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることが可能なアライメント装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】アライメント装置３０は、上から順に配置され昇降する第１〜第４の基板支持部５２ａ〜５２ｄと、第１〜第３の基板を回転させる第１〜第３の吸着部７６ａ〜７６ｃを有し、アライメント位置へと進入する進退部５６と、第４の基板を回転させる第４の吸着部７６ｄを有する基部６４と、第１〜第４の基板の端部が突き当てられる被突き当て部及び第１〜第４の基板を被突き当て部に対して突き当てる突き当て部を有する基板位置決め部５８と、第１〜第４の基板の切り欠き９２の位置をそれぞれ検出する第１〜第４の検出器６２ａ〜６２ｄとを備え、第１〜第４の基板支持部５２ａ〜５２ｄのうち、いずれか２つの第１の組及び残りの第２の組がそれぞれ共に昇降する。 （もっと読む）

【課題】熱処理プレートに基板を受け渡すときの基板の横滑りによる位置ずれが起きないようにして加熱処理の適正な処理が行われる熱処理装置（方法）を提供すること。
【解決手段】熱処理プレート６０の基板載置面と基板の裏面との間に第１の隙間距離をとるための伸縮自在な弾性部材からなる複数の第１の載置支持部材６４と、基板載置面と基板の裏面との間に前記第１の隙間距離よりも小さい隙間距離となる第２の隙間距離を設けるための複数の第２の載置支持部材６２と、熱処理プレート６０の基板載置面に設けられ前記基板の裏面との隙間の空間を吸引するための複数の吸引孔６３と、を備えて、前記吸引孔により第１の載置支持部材６４上に支持された基板を吸引することで第１の載置支持部材６４を収縮させて第２の載置支持部材６２に基板を支持させる。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面に回路パターンが存在しても、基板表面の平面度を確保して吸着保持を行うことができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持面を有するステージと、ステージの基板保持面に配置され、裏面に回路パターンを有する基板を支持するブロックユニットと、を備える基板保持装置であり、ブロックユニットは、基板保持面上の所定位置に配置変更可能に設けられる１以上のブロック部を有し、ブロック部の少なくとも１つには、基板と当接する部分に基板の裏面を吸着させる吸着機構が設けられ、ステージの基板保持面に基板の回路パターンを避けるように配置されたブロック部の基板当接部に基板の裏面が載置された状態で、基板当接部の吸着機構により基板の裏面が吸着されることにより、基板がステージ上に吸着保持される構成とする。 （もっと読む）