【課題】サセプタに複数枚の基板を設置して一度に複数枚の基板に薄膜を成長させる気相成長装置において、ゴミ等の介在やサセプタの設置不良を原因とする膜厚の不均一が生じない気相成長装置を得る。
【解決手段】本発明の気相成長装置１は、回転可能でかつ着脱可能なサセプタ５に複数の基板を載置して各基板に化合物半導体薄膜を成長させる気相成長装置１であって、
サセプタ５の載置状態を判定するサセプタ載置判定装置３を有し、サセプタ載置判定装置３は、回転するサセプタ５における少なくとも2カ所の高さ位置を計測する位置測定装置２２と、位置測定装置２２の計測値を入力してサセプタ５の高さ位置と傾斜が予め定めた許容値の範囲内かどうかを判定する判定手段４７とを備えたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板を鉛直方向に向けて搬送する場合にも安定した高速搬送が可能な基板搬送装置及び真空処理装置を提供する。
【解決手段】基板３ａ、３ｂを保持するトレイ４ａ、４ｂ、軸受（案内部材）６を介して搬送路７の上を移動するキャリア２０、キャリア２０を搬送路７に沿って移動させる駆動手段を具備する。駆動手段の駆動により搬送路に沿って基板を搬送路を含む面に対して鉛直方向に向けて搬送する。その際、搬送路７の床面との接触部分に搬送路７に沿って防振材８を配置し、キヤリア２０の搬送時の振動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】ウェハから補強部をなくす際のスループットの低下を防ぐこと。設備コストの増大を抑制すること。ウェハ当たりのチップの取れ数が減るのを防ぐこと。
【解決手段】ウェハを垂直または任意の角度で傾いた状態で保持して回転するレーザ加工ステージ２と、レーザ加工ステージ２に保持されたウェハの素子領域とその素子領域よりも厚い補強部との境界またはその境界よりも内側の部位に固定位置からレーザを照射するレーザヘッド３と、レーザ照射部位に斜め上方から、ウェハの回転の向きに対して逆向きでかつウェハの外へ向けてガスを吹き付けるガス噴射部４と、レーザ照射後のウェハに、ダイシング時にウェハを保護するテープを貼り付けるテープ貼り付け装置１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面への傷付きを防止すること。
【解決手段】基板８の斜め下側を向いた基板８裏面の周縁部を支持する複数の基板支持板５２，５３を備えた基板受け渡し機構により基板テーブル１２と基板８との隙間が制御され、基板テーブル１２には、基板受け面に配置される基板８の下側の端面を支持する基板支持突起３３と、基板支持板５２，５３を受け入れる複数の凹所３８，３９とが設けられ、基板８の受け渡し時に、搬送部４２に対して基板テーブル１２が駆動機構により進退可能に構成されているとともに、搬送部４２に対して基板支持板５２，５３が基板受け渡し機構により進退可能に構成され、基板受け渡し機構は、基板テーブル１２と基板支持板５２，５３との隙間を制御することで基板テーブル１２と基板８との隙間を制御するように構成した。 （もっと読む）

【課題】液浸露光後、現像処理前において、基板の最上層の膜の表面、例えばレジスト膜の表面に吸着した異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】まず、基板にレジスト膜を形成する（ステップＳ２０）。その後、レジスト膜を液浸露光する（ステップＳ４０）。その後、基板を傾けて回転させながら、基板に洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給する（ステップＳ５０）。その後、レジスト膜を現像する（ステップＳ７０）。この方法によれば洗浄液を、基板の表面に対して斜め方向又は水平方向から供給することができる。このため、基板の最上層の膜に異物が吸着していた場合、この異物に対して洗浄液は、斜め方向又は水平方向にあたる。このため、異物は基板の最上層の膜表面から浮き上がりやすくなり、除去されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】大型化し、薄型化した平板状の基板の自重による大きな撓みを発生させない基板保持方法を提案すること。また、前記提案する基板保持方法を用いることにより、多段積み上げ式の基板処理装置を効率の良い形態で、処理の均一性も良好にできる装置として提案すること。
【解決手段】平板状の基板の保持方法であって、該基板を上に凸に湾曲させて湾曲方向と垂直に交わる対向する２辺で湾曲状態を固定する。また、基板処理装置は、前記湾曲状態に固定した複数の基板を順送りに処理室内に格納する機構と、前記基板を複数段積み上げて処理する機構と、処理の終了した基板を処理室内から払い出しする機構と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製膜される膜の膜質を安定させることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】内部で製膜処理が行われる真空容器と、製膜処理が施される基板Ｓが載せられる基板テーブル１２と基板Ｓおよび基板テーブル１２における温度分布を所定の範囲内に制御する基板ヒータ１３と、基板テーブル１２の基板Ｓと接する面における複数の箇所の温度を測定する温度測定部２３−１から温度測定部２３−９と、基板Ｓが基板テーブル１２に載せられて、基板Ｓの温度分布を均一化させる温度安定化期間が終了する前に、基板Ｓに対して製膜処理を開始させる制御部６と、が設けられ、制御部６は、複数の箇所における温度の間での温度差に基づいて、安定化期間の長さを制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ用基板の製造工程の効率化とこの製造工程における基板の破損防止を図ることが出来るディスプレイ用基板の搬送プレートを提供する。
【解決手段】搬送プレートＰ１上に、搬送するディスプレイ用のガラス基板１０が載置される基板載置エリアＥ１が設定され、この基板載置エリアＥ１の周囲を囲む位置に、搬送プレートＰ１の基板載置エリアＥ１内に載置されたガラス基板１０の基板載置エリアＥ１内からの移動を規制する複数個の突起層Ｐ１ｂが、搬送プレートＰ１と分離不能に一体的に形成されている。 （もっと読む）

処理システムが、基板の底面を露出させるように、それぞれが基板を支持するように構成された複数のチャックと、連続的な経路に沿って複数のチャックを案内するように構成されたトラックと、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面を処理するように構成され、トラックがそれぞれのチャックを処理装置上で案内するとき、各基板の底面に接触するように配置された流体メニスカスを含む処理装置とを含む。
（もっと読む）

【課題】ウエハ表面の検査結果はいわゆるウエハ・マップ・データとして表示画面に表示可能な形で電子情報処理システムに格納され、後の処理に活用される。従って、裏面検査の結果もウエハ・マップ・データに反映する必要があるが、欠陥や不良のあった裏面の位置と対応する表面の位置を検査者が判断して当該不良情報をウエハ・マップ上に登録する必要がある。しかし、このような表裏の対応付け作業はウエハの大型化に伴い著しく困難なものになってきている。
【解決手段】本願発明はウエハ・プロセス完成時の外観検査において、ウエハ裏面の不良位置と対応するウエハ表面の位置を自動的に対応させることで、ウエハ裏面の外観不良データのウエハ・マップ・データへの反映を確実にするものである。 （もっと読む）

【課題】真空吸着状態が切れても基板の健全性を維持し、検査時に発見した基板の裏面の汚れ等をクリーニングすることを可能にする。
【解決手段】基板Ａの少なくとも裏面の目視検査を行うための基板検査装置１であって、基板Ａの裏面を真空吸着する吸着保持部６と、該吸着保持部６により吸着された状態の基板Ａの外周縁に接触して半径方向に挟む複数の接触部１０を有する押圧保持部８とを備える基板検査装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】フットプリントの大幅な増大を抑え、エッジ部分を含む高速・高分解能で、検査条件の確認を簡便に行える異物・欠陥検査・観察システムを提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系による観察機能と、荷電粒子光学系および試料周辺を真空にするための排気機能と、稼動範囲が小さいｒθステージと、を設け、従来異物・欠陥検査装置に搭載されていた光学式の観察機能では判別できない観察対象物表面およびエッジ部の微細な異物・欠陥を、他の観察装置を介することなく、検出された欠陥の致命／非致命を判断するための高分解能観察機能を設けた。 （もっと読む）

【課題】セッターを用いることなく、平板状部材を変形させたり疵付けたりすることなく炉内を搬送し、熱効率良く熱処理することができる平板状部材の熱処理炉を提供する。
【解決手段】炉室２の床面を構成するチャンバー３の上面を炉幅方向に僅かに傾斜させるとともに、炉室２の床面に浮上用気体の噴出機能を持たせて平板状部材Ｐを浮上保持させる。平板状部材Ｐは自重により下側に位置決めされるので、下側となる炉室内に平板状部材Ｐの側縁と接触して前進力を与える搬送機構を設ける。水平面に対する床面の傾斜角度は、１〜１０°とすることが好ましい。また搬送機構は、炉長方向に一定間隔で配置された多数のキャリアローラ６とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板の落下を防ぐ基板保持装置を提供する。
【解決手段】Ｘ方向移動用ステージ、Ｙ方向移動用ステージ、傾斜用ステージから成るステージ体４の上にウエハを保持するための基板保持体２が載置されている。傾斜ステージによって傾斜した基板保持体２の傾斜方向下側部分に穴２０を開けられており、穴２０の中に傾斜により滑り落ちてくるウエハ１′の滑落を停止させる第１ストッパー２２が設けられている。穴２０より更に傾斜方向下側のステージ体４上に、ウエハ１の滑落を停止させる第２ストッパー５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板外周部でのエピタキシャル層の膜厚の均一性、及びフラットネスの均一性を向上し、高品質のエピタキシャルウエーハを歩留り良く生産できる気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】基板を傾斜させて載置して下端にて支持する１つ以上のザグリを形成した気相成長用サセプタであって、該サセプタのザグリは、気相成長時に供給する原料ガスの上流側から下流側の方向に向かって深さが増すものであることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

実施形態は、サセプタ及びこれを備える半導体製造装置を提供する。実施形態に係るサセプタは、ウェハがローディングされ、底面が傾いたポケットを一つ以上含む。実施形態に係る半導体製造装置は、反応チェンバと、反応チェンバ内で熱を発生する加熱手段と、ウェハがローディングされ、少なくとも一つは底面が傾いたポケットを一つ以上含むサセプタと、前記サセプタに軸結合される回転軸と、を含む。 （もっと読む）

【課題】イオンビームによる基板加工時にホルダからの塵の発生を防止することができる基板保持装置及び、ホルダからの発塵を防止して歩留まりを向上した基板加工装置を提供する。
【解決手段】基板１００が載置されるステージ１４と、ステージ１４上に載置された基板１００の周縁部に当接して基板１００をステージ１４との間に挟持可能に設けられた爪部１５を有するホルダ１６とを有し、ホルダ１６の爪部１５の少なくとも先端部に、爪部１５の母材よりもイオンビームによって加工され難い材料からなる剛体部２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板温度を適切な分布に制御し、複数枚の基板の成膜時、温度分布の均一性を高めることのできるＣＶＤ装置を提供することである。
【解決手段】化学的気相成長によって基板上に膜を形成するＣＶＤ装置において、基板５を保持するサセプタであって、サセプタは、３分割構造を有し、基板５を保持する基板サセプタ２と、基板サセプタ２の上部に外部から導入されるガス流路を確保するための空隙を有して配置される円柱状の上サセプタ１と、基板サセプタ２の下部にガス流路を確保するための空隙を有して配置される円筒状の下サセプタ３と、サセプタを発熱させるために断熱材４を介して当該サセプタの周囲に配置される高周波コイルと、を備え、基板サセプタ２は、上サセプタ１とともに所定の角度で傾斜して配置される。 （もっと読む）

【課題】ロード室内における処理に要する時間が短縮された基板予熱方法及び真空処理システムを提供する。
【解決手段】共通搬送室と、外部から基板が搬入されると大気圧下から高真空排気雰囲気下まで減圧され、高真空排気雰囲気下の状態で基板を前記共通搬送室内へ受け渡すロード室と、前記ロード室内に設けられ、搬入された基板を加熱するＩＲヒータと、前記ロード室を減圧する真空ポンプ部と、前記真空ポンプ部及び前記ＩＲヒータの動作を制御する制御装置と、を具備し、前記真空ポンプ部は、前記ロード室内を大気圧から所定の第１圧力までの減圧を行う粗引きラインと、前記第１圧力の雰囲気下から前記第１圧力よりも更に低い第２圧力までの減圧を行う高真空排気ラインと、を有し前記制御装置は、前記ロード室内の減圧を行うラインを前記粗引きラインから前記高真空排気ラインへ切り換える以前に、前記ＩＲヒータの加熱を開始とする。 （もっと読む）

【課題】設置スペースが少なくてすむばかりか、基板の供給と搬出とを同じ箇所で行なうことができる処理装置を提供することにある。
【解決手段】装置本体１と、装置本体に設けられ基板を所定の角度で傾斜させて搬送する搬送ローラと、搬送ローラによって搬送される基板を処理する処理部３と、装置本体の上部に設けられ基板を水平な状態で、傾斜させて搬送する搬送方向と逆方向に搬送する上部搬送部４と、装置本体の少なくとも一端に設けられ上部搬送部によって水平に搬送された基板を受けると、この基板を下降させると同時に所定の角度に傾斜させて搬送ローラに受け渡す傾斜受け渡しユニット６１とを具備する。 （もっと読む）