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Fターム[5F031HA71]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | 液槽への浸漬処理に関するもの (171)

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【課題】基板の洗浄処理を効率よく行うことができ、設置スペースを小さくすることができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給台30と、回収台36と、供給台30から回収台36までの搬送経路に沿って配置され、基板を洗浄する一連の洗浄処理工程を行う複数個の洗浄処理槽22,24,26と、互いに隣接する洗浄処理槽22,24,26の間に配置された仮置台32,34と、基板が収納されたラック2,4,6,8を搬送する複数の搬送アーム部44,46,48とを備える。搬送アーム部44,46,48は、それぞれ、搬送経路の互いに異なる区間において、基板が収納されたラック2,4,6,8を、供給台30又は仮置台32,34から洗浄処理槽22,24,26に搬送する第1の動作と、洗浄処理槽22,24,26から仮置台32,34又は回収台36に搬送する第2の動作とを繰り返す。 (もっと読む)


【課題】極薄のウェーハを安全、簡単、確実かつ迅速に単離させることができ、かつ従来と比べて処理スピードが改善されたウェーハ単離方法及びウェーハ単離装置を提供する。
【解決手段】多数枚又は複数枚のウェーハが積層されたウェーハ積層体を液体中に浸漬させて準備するステップと、前記最上層のウェーハの一端部を吸着し、前記最上層のウェーハの他端部は吸着せずにおさえ、前記最上層のウェーハを水平方向で傾斜させる吸着ステップと、前記最上層のウェーハの下面と隣接する下側のウェーハの上面との間に流体を吹き込む流体吹き込みステップと、前記傾斜させた最上層のウェーハを、その傾斜の延長線上に沿って変位させて液中から前記最上層のウェーハを取出せしめるウェーハ変位ステップと、を含み、ウェーハを単離するようにした。 (もっと読む)


【課題】貯留槽内の処理液の温度を槽内で一様にし、また、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和することでき、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液20を貯留する貯留槽10と、貯留槽の上部開口面を閉塞する覆蓋部28と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Wを搬送する搬送ローラ26と、貯留槽の底部に設けられた供給口22と、覆蓋部に設けられた補助供給口30と、供給口および補助供給口に処理液を供給する処理液供給管24、32とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する貯留槽10と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Wを搬送する手段と、貯留槽内の、処理液の温度を部分的に調節すべき領域に配設された温調用配管12と、貯留槽内に供給されて貯留される処理液の温度と異なる温度を有する温調用媒体を温調用配管内へ供給する手段とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ乾燥時にウェーハ表面にウォータマークが形成されないようにすると共に、ウェーハの乾燥効率及び品質性能を向上させる。
【解決手段】排水制御水引き乾燥装置1は、ウェーハ3上面が液体2の水面に極力近接するようにウェーハ3を保持する保持部材5と、ウェーハ3上面中央部の上方に設けられた供給ノズル7と、椀型の水槽4の底面中央部に形成された排水口17と、排水口17の下流側に設置された流量制御弁19を具備する。ウェーハ3上面中央部に供給ノズル7からIPA蒸気及び/又は窒素ガスを吹き付けて表面張力を低下させた後、排水口17から液体2を排出させることにより、水面を低下させながらウェーハ3表面を蒸発乾燥させる。又、IPA蒸気および窒素ガスN2の圧力と流速、並びに、排水口17からの排水速度は可変調整可能に構成する。 (もっと読む)


【課題】処理液の使用量を低減することができるとともに処理液の温度変動を抑制することができ、かつ、単純化された装置構成を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、一つの基板Wを保持し保持した一つの基板を処理する処理ユニット60と、複数の基板Wを同時に収容可能な処理槽であって、基板を浸漬して処理するための処理液を循環供給されながら貯留する処理槽と、前記処理槽の基板収容可能数未満の数の基板を同時に搬送可能な搬送装置と、を備える。搬送装置は、少なくとも前記処理液が貯留された前記処理槽へ基板を搬送する。前記処理ユニットと前記処理槽との少なくともいずれか一つを用いて基板が処理される。 (もっと読む)


【課題】未処理のウエハの戻し作業が生ずる事態を防止して、ロットごとの液処理を行うことにより生産効率を高めることを可能とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Wが収納されたキャリアCを搬入出するキャリア搬入出部5と、キャリアCを複数保管可能なキャリアストック部6と、キャリアCを搬送するキャリア搬送装置12と、検査/搬入出ステージ15と処理部7との間で基板Wを搬送する基板搬送部3と、キャリアC内の基板Wを検査する基板検査装置18と、一括して処理される複数のキャリアCのうち、一のキャリアを基板検査装置18に搬送し、液処理可能ならば一のキャリアをキャリアストック部6へ戻し、他のキャリアを基板検査装置18に搬送し、液処理可能ならば一のキャリア及び他のキャリア内の複数の基板Wを、検査/搬入出ステージ15から搬出するように制御する制御部90と、を具備する。 (もっと読む)


ここに開示されるのは、板状物品の流体処理用の装置であって、板状物品を保持しかつこれを実質的に垂直方向の回転軸線まわりに回転させるための回転ヘッド;回転ヘッドのまわりの放射状に配列され非接触で回転ヘッドを懸架しかつ駆動するための駆動手段;回転軸線と実質的に同心であり、かつ回転ヘッドと駆動手段との間に配置されそして回転ヘッドと駆動手段との間の間隙に挿入された実質的に円筒状の側壁;回転ヘッドと壁とを互いに昇降させるための持上げ手段を備えた装置である。
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シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも1つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および/または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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一実施形態において、本発明は、第1軸運動に沿って位置決め可能なキャリッジと、上記キャリッジに結合され、第1軸運動と実質的に直交して向けられた第2軸運動に沿って上記キャリッジに関し位置決め可能な第1基板グリッパと、上記キャリッジに結合され、上記第2軸運動に対し実質的に平行に向けられた第3軸運動に沿って上記キャリッジに関し位置決め可能な第2基板グリッパと、を備える基板ハンドラであって、上記第2グリッパは、第1グリッパに関し独立して移動可能である、上記基板ハンドラを提供する。
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【課題】半導体基板と半導体基板保持溝との隙間に残留した薬液等をより効果的に除去し得る半導体基板洗浄用治具を提供すること。
【解決手段】相対向する側板10間に、半導体基板3の外周縁に接触可能な少なくとも3本の棒状枠材4を設け、それら各棒状枠材4の周面には、半導体基板3の外周縁を差し込む半導体基板保持溝8を形成する鍔部6を棒状枠材4の軸方向に所定間隔で形成すると共に、上記半導体基板保持溝8と半導体基板3の間に滞留する液体を逃がすため、各棒状枠材4の周面に、棒状枠材4の軸方向に水切り用のスパイラル溝5を形成し、上記各棒状枠材4の端部に、引き上げ時にかかる水圧で当該棒状枠材を回転させるためのプロペラ7を設ける。 (もっと読む)


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