【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板とともに処理部を移動することにより、流体の使用量を低減することができる槽キャリアを提供する。
【解決手段】筐体３内の支持部材１１に複数枚の基板Ｗを支持させた槽キャリア１を所望の処理部に移動させる。そして、筐体３に処理液を供給されることにより、複数枚の基板Ｗに対する処理を行うので、処理液の供給量を低減できる。したがって、処理に要する処理液の使用量を低減することができる。また、基板Ｗの受け渡しの機会を少なくできる。 （もっと読む）

【課題】上部と下部のバネ定数を変えることにより、上部における破損を防止することができるベローズを提供することができる。
【解決手段】ベローズ１は、伸縮部７における上部と下部が中間部に比べてバネ定数が大きくなるように設定されている。したがって、ベローズ１を垂直姿勢で取り付けて伸長させた場合であっても、伸縮部７の上部は、中間部よりも山部２３と谷部２５とが拡がりにくく、上部が自重により中間部より拡がることがない。その結果、伸縮部７の上部が破損するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単な構成で液中でも半導体基板を安全かつ確実に保持でる半導体基板の保持機構を提供し、さらに、ウエット状態で密着した半導体基板同士を破損することなく自動的に、高速で分離し、保持して搬送することが可能な半導体基板の保持装置とこれを用いた分離装置および分離方法を提供する
【解決手段】チャック本体１１０に２以上の液体流入口１１３とこの液体流入口に接続されている中空円筒状のノズル本体１２０とを有し、前記ノズル本体にはその前端を閉鎖する蓋１２１とこの蓋から僅かに離れた位置に径方向に向けて開口形成された吐出口１２２を有し、吐出口から排出された流体の流路に所定角度に傾斜した斜面を有する液流規制部１１９を有し、前記液流規制部の外周に基板面と平行な平坦部１１８を有し、前記平坦部の一部領域に半導体基板に接するように突出した保持部材１２５が配置されている構成の基板保持機構とした。 （もっと読む）

【課題】ウェハ同士の貼り付きを防止し、移送中の揺れによるウェハへのダメージを軽減するウェハカセットを得ること。
【解決手段】対向する一対の側面１ａの双方の内壁に、底面に対して傾きを有するように形成された複数の保持溝１１を備え、複数の保持溝１１の各々に、複数のウェハＷの各々を傾いた状態で収容する。ウェハカセットは、保持溝１１同士の間に設けられた複数のリブ１ｂを備え、複数のウェハＷの各々を複数のリブ１ｂの各々にもたれ掛かった状態で保持する。 （もっと読む）

【課題】複数の処理槽のそれぞれに複数の基板を良好に一括搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送ロボット１０と、処理部４０とを有している。処理部４０は、複数の処理槽４１、４２を有しており、処理槽４１には処理液として洗浄液が、処理槽４２には処理液として薬液が貯留される。搬送ロボット１０は、単一の搬送ユニットとして構成されている。搬送ロボット１０は、本体部１２と、本体部１２から離隔して配置された各処理槽４１、４２に向かって伸びるアーム部１３とを有している。ここで、各処理槽４１、４２は、搬送ロボット１０の可動範囲内となるように、複数の基板の搬送空間８に配置されている。これにより、搬送ロボット１０は、複数の基板を、各処理槽４１、４２の配置によらず、任意の順番で、各処理槽４１、４２に対応して貯留された処理液に、浸漬することができる。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】液浸領域の液体に接触する部材の汚染に起因する露光精度及び計測精度の劣化を防止できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置ＥＸＳは、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を形成し、投影光学系ＰＬと液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱとを介して基板Ｐを露光するものであって、液浸領域ＡＲ２を形成するための液体ＬＱに接触する基板ステージＰＳＴの上面３１などに対して、光洗浄効果を有する所定の照射光Ｌｕを照射する光洗浄装置８０を備えている。 （もっと読む）

【課題】研磨後の多数枚のウェハを効率的に省スペースで水没させて保管し、また、ウェハの表面にウォータマークが形成されず且つ傷がつかないウェハ収納装置を提供する。
【解決手段】水槽５の水面より上部に置かれたカセット４を水平にし、且つリンス機構９のノズルバー９ａをカセット４の後部へ移動して、研磨後のウェハ３をカセット４に上下方向多段に個別に効率よく収納する。全てのウェハ３がカセット４に収納されたら、傾斜手段８によってカセット４を１°〜２０°の範囲で傾斜させ、ノズルバー９ａによってウェハ３の表面にリンス水を噴射させる。次に、カセット昇降機構７によって、カセット４を水槽５の内部の水中へウェハ１枚分の間隔で沈める。カセット４を水槽５から引き上げるときも、傾斜手段８によってカセット４を傾斜させながら引き上げる。これにより、ウェハ３が傷ついたりウォータマークが形成されることなく、効果的にウェハ３の収納・洗浄・搬送を行える。 （もっと読む）

【課題】リブと半導体基板との間の貼り付きを防止し、洗浄液、エッチング液を半導体基板表面にスムーズに流し、均一なエッチングが実現できる方法を提供する。
【解決手段】基板カセットに設けられた複数のリブ１０の間に、単結晶シリコン基板を配置し、基板カセットをエッチング液が収容された槽内に浸漬し、単結晶シリコン基板の表面処理を行う半導体装置の製造方法であって、基板カセットのリブ１０の表面に単結晶シリコン基板との接触面積を低下させる穴部１０１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】分離促進されて貼り付き力を低減した状態の積層ワークから薄型のワークを所定押圧力で連続して一枚ずつ切り出し、円滑に搬送する積層ワーク切り出しシステムおよび積層ワーク切り出し方法を提供する。
【解決手段】積層ワークの分離を促進する分離水槽２０と、積層ワークの分離を促進しつつ、切り出しコンベアが積層ワークの最上のワークを切り出す切り出し装置３０と、二枚以上のワークの通過を防止する複数枚ワーク送り防止装置４０と、ワークを加振しつつ搬送してワークの割れの入ったコーナー部を欠損させるワーク加振搬送装置５０と、搬送されるワークのコーナー部の欠損を検出する欠損ワーク判別装置６０と、欠損ワークを回収し良品のワークを下流へ流すワーク仕分け装置７０と、良品のワークを収納するワーク収納装置８０と、を備える積層ワーク切り出しシステム、および、このシステムを用いる積層ワーク切り出し方法とした。 （もっと読む）

【課題】隣接基板またはキャリア内壁との間に支持材を入れることにより、基板の貼り付きを容易かつ確実に防止して基板表面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板搬送用キャリア１において、複数枚の基板３のうちの隣接基板間およびキャリア内壁面と基板３間に、基板貼り付き防止用の球状の支持部材６が配設されている。この球状の支持部材６は、互いに対向するキャリア側板５の隣接溝部５１間にそれぞれ接続されて、基板３の高さ方向中心部とその上部に対応する上下位置にそれぞれ設けられている。このため、洗浄処理時や乾燥処理時に、キャリア溝ピッチ以上に基板３が反っても、基板３同士の貼り付きやキャリア内壁と基板３との貼り付きが防止される。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長前の表面処理（エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理）において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 （もっと読む）

【課題】液体を介した露光処理及び計測処理を良好に行うことができる露光装置を提供する。
【解決手段】投影光学系と液体とを介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、前記投影光学系の先端よりも下方に配置された物体上に液体が有るか否かを検出する検出装置を備える露光装置。また、投影光学系とその像面側に配置された物体との間に形成された液浸領域に対して検出光を射出する射出部と、前記検出光に対して所定位置に配置された受光部とを有し、前記受光部の受光結果に基づいて前記液浸領域の大きさ及び形状のうち少なくとも一方を求める検出装置も開示する。検出装置を使って、投影光学系の先端よりも下方に配置された物体上における液体の有無や液浸領域の状態、あるいは液体の形状や接触角を検出することで、その検出結果に基づいて高い露光精度及び計測精度を維持するための最適な処置を施す。 （もっと読む）

【課題】ウェハへの液滴の落下を抑制し、ウェハに直線状の欠陥が形成されてしまうことを抑制することが可能なウェット処理用キャリアを提供する。
【解決手段】ウェット処理用キャリア１は、搬送装置のアームに固定される固定部４と、固定部４から垂下するように該固定部４に設けられ、複数のウェハ１０が搭載されるウェハ搭載器具（ボート）６を吊り下げ支持する吊り下げ支持部（チャック）２３とを備える。ウェット処理用キャリア１は、固定部４をアームに対して固定する止着部材（ボルト）８を備える。固定部４の表面であって、鉛直方向に対して平行な面、又は、鉛直方向に対して平行な面よりも上側を向く面に、止着部材８の頭部を収容する収容凹部６０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理槽から引き上げられた被処理体から立ち上る処理液の蒸気が、搬送駆動部の設けられた隔壁の他方側に侵入することを防止すること。
【解決手段】処理装置は、間隙２５を有する隔壁２８と、隔壁２８の一方側に配置され、被処理体Ｗｇを処理する処理液Ｃ１が貯留された処理槽３１と、隔壁２８の間隙２５を通過可能な支持部２１と、隔壁２８の他方側に設けられ支持部２１を移動させる搬送駆動部２３と、を有する搬送機構と、を備えている。隔壁２８の間隙２５には、間隙２５を覆う遮蔽部１２が設けられている。遮蔽部１２は、可塑性を有し、上下方向に延在する複数の延在遮蔽部１３を有している。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハをキャリアと共に洗浄する際に、半導体ウエハを破損させることなく、半導体ウエハがキャリアから離脱すること防止する。
【解決手段】 半導体ウエハを洗浄する洗浄装置であって、半導体ウエハを収容するキャリアと、キャリアを収容する洗浄槽と、洗浄槽内でキャリアを支持し、キャリアと共に回転する回転部材を備えている。キャリアには、半導体ウエハを出し入れするための開口部が形成されている。回転部材には、回転部材に支持されたキャリアの開口部に配置される保持部材が形成されている。保持部材は、キャリアの開口部において、キャリアに収容された半導体ウエハの外周縁に対向する。その保持部材では、半導体ウエハの外周縁に当接し得る当接面が、半導体ウエハの外周縁に沿って湾曲していることを特徴とする。 （もっと読む）