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Fターム[5F031JA02]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 検出 (10,411) | 手段(センサ) (4,555) | 光センサ (2,240)

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【課題】 従来、粘着シート上に配置されているチップワークを精度よく良好にスピーディに剥離し、次工程へ搬送する装置が存在していなかったという点である。
【解決手段】 粘着シートの表面側の粘着層上に配置されたLEDチップもしくはLDチップを、前記粘着シートの裏面側から工具で突き上げ剥離させ、ピックアップして次工程へ搬送するLEDチップもしくはLDチップの粘着シートからの剥離搬送装置であって、前記した工具は上端を錐状としたホーン部材とし、その下方に配設された超音波振動子から振動を加えられるものとしたこととする。 (もっと読む)


【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Wを水平に支持するセンターチャック13と、上向きの環状面57をそれぞれ有する複数のリング5とを含む。複数のリング5は、環状面57の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック13に支持されている基板Wの周縁部に近接した状態で、環状面57が基板Wを水平に取り囲むように、複数のリング5のいずれか一つが、センターチャック13に支持されている基板Wの周囲に配置される。 (もっと読む)


【課題】基板裏面の反射率に関わらず、基板の有無を確実に検出することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュ加熱後に支持ピン70に支持された半導体ウェハーから放射された放射光は、支持ピン70の先端70aから入射して基端70bに向けて導かれる。その放射光は光ケーブル16を介して受光部12によって受光されて電気信号に変換されてからアンプ13によって増幅され、さらに積分回路14を通って高周波ノイズが除去された後、コンパレータ15に送信される。コンパレータ15は、その電気信号の電圧と予め定められた閾値との比較を行うことにより支持ピン70上の半導体ウェハーの有無を検出する。半導体ウェハーからの放射光を用いて検出処理を行っているため、ウェハー裏面の反射率に関わらず、半導体ウェハーの有無を確実に検出することができる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置を構成する搬送機構が有する基板支持具の設計動作及び検出動作をシミュレートした動画像を生成することにより、基板支持具の異常動作に関する原因判定材料を提供可能な動画像生成装置、動画像生成方法及び動画像生成システムを提供する。
【解決手段】動作データ生成部21bは、受け付けた基板支持具に関する動作の履歴情報2Dに基づいて、基板支持具の検出動作データ4Dを生成する。抽出部21aは、基板処理装置に係るCADデータ1Dから基板支持具の形状データ5Dと設計動作データ6Dとを抽出する。動画像生成装置は、抽出した基板支持具の形状データ5D及び設計動作データ6D並びに生成した基板支持具の検出動作データ4Dに基づいて、基板支持具の設計動作と検出動作とをシミュレートした動画像を生成する動画像生成部21eを備えている。 (もっと読む)


【課題】真空において熱をともなう処理を行う基板処理装置において、基板を高速で搬送しても基板の位置精度を高くすることができること。
【解決手段】熱をともなう真空処理が行われる真空処理ユニットに対して基板の搬入および搬出を行う基板搬送装置は、基板を位置決めする位置決めピンを有し、基板を位置決めした状態で保持するピックと、ピックにより真空処理ユニットに対して基板を搬入および搬出するようにピックを駆動させる駆動部と、ピックによる基板の搬送動作を制御する搬送制御部とを有し、搬送制御部は、基板を真空処理ユニットに搬入する際の、常温における基板の基準位置情報を予め把握しておき、実処理において、基板を真空処理ユニットに搬入する際に、その基板の基準位置からの位置ずれを算出し、位置ずれを補正して基板を真空処理ユニットに搬入するように駆動部を制御する。 (もっと読む)


【課題】近年、特にフレームサイズの大型化と薄板化が進み、フレームのそりが問題となってきている。フレームのそりが大きい場合には、フレームの取り出しを失敗する可能性が高い。フレームの取り出しを失敗した場合、即ち、フレームが取り出せなかった場合には、実装のスループットが長くなり、さらに、取り出せなかったフレームは、オペレータが手動で取り除く必要が出てくる。このため作業工数も増加する。
【解決手段】ローダフィーダ部がフレームマガジンからフレームを取り出す前に、ローダリフト部をY方向に移動させ、その後に前記ローダフィーダ部が前記フレームマガジン部からフレームを取り出す。 (もっと読む)


【課題】走査型電子顕微鏡で表示された観察画面に設けられた仮想点を中心に試料を回転させるローテーションユーセントリック動作において、回転誤差を補正し、画面上の回転中心の位置変動を低減させるステージ装置を実現する。
【解決手段】試料もしくは試料ホルダもしくは回転テーブルに位置と方向が測定可能なマーカーを設け、所定の動作パターンに従ってステージの回転・並進移動を行いそのときのマーカーの位置と方向とを測定し、その結果から回転テーブルの回転中心を同定し、かつ、回転誤差を補正する回転角補正量と回転中心の位置変動を補正する並進補正量とを求め回転角に対する補正量テーブルを作成し、入力された回転角指令値もしくは実回転角に対応した補正量を補正量テーブルから取得して入力された回転・並進指令値もしくは検出された回転角・並進位置を補正してステージを制御する。 (もっと読む)


【課題】収納容器内の搬出対象物を精度よく判別してリングフレームと半導体ウエハの両裏面にわたって支持用の粘着テープを貼り付けてマウントフレームを作成する。
【解決手段】ウエハ収納容器からワークを持ち上げて取り出し、表面側を第1識別センサで検出し、ワークがウエハまたはスペーサのいずれであるかを判別する。ワークがウエハの場合、当該表面における保護テープの有無も判別する。表面に保護テープが無い場合、さらにウエハ収納容器の外周近傍に配備された第2識別センサによってウエハ裏面を検出し、保護テープの有無を判別する。 (もっと読む)


【課題】 4軸制御の原点復帰動作を駆動軸同士の機械的な姿勢の相互干渉を抑えた状態で可能にする。
【解決手段】 XYθガイドとボールねじ直動機構からなる駆動ユニットを4台備えた4軸アライメントステージにて、各駆動ユニットに仮の原点位置を設定して(S1)、それを基準に4軸制御による原点復帰動作を行う(S3)。次いで、全軸同時サーボオフを行い(S4)、その直後に生じる各駆動ユニットのガイドブロックの移動量を計測し(S5)記憶させる(S6)。その後、移動量の計測値を補正量として各駆動ユニットの仮の原点位置を補正し(S7)、補正後の仮の原点位置を基準とする原点復帰動作と、全軸同時サーボオフ直後の移動量の計測及び記憶と、移動量の計測値を補正量とする仮の原点位置の補正を繰り返し、全軸同時サーボオフ直後の移動量が収束したときの仮の原点位置を、4軸制御による実際の原点復帰動作用の原点位置に設定する。 (もっと読む)


【課題】ウエハを多段に収納するカセット内のウエハを安全に取り出すこと。
【解決手段】進入可否判定部が、移載対象となるウエハの直下および直上のクリアランスに基づいてハンドが進入可能であるか否かを判定する。そして、進入可否判定部によって進入可能であると判定されたならば、位置補正部は、ハンドの最終的な進入位置を、マッピングされた収納位置に基づいて算出し、算出した進入位置に基づいてロボットを制御するようにロボットシステムを構成する。 (もっと読む)


【課題】待機中の基板収容器内の基板に対し、基板表面へのパーティクルの付着等の問題を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部とを備えた基板処理装置において、前記載置台に載置された第1の基板収容器内の基板を対象として基板処理中に、第2の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第2の基板収容器の蓋を開けて、前記第2の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行った後に、前記第2の基板収容器の蓋を閉じる。 (もっと読む)


【課題】搬送対象物を保持するエンドエフェクタの大形化やセンサの損傷、搬送効率の低減を伴うことなく、搬送対象物の保持状態を適切に検出可能なロボットアーム型搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送対象物Wを保持する第一のリンク21を含む複数のリンク21・22・23を関節部24・25・26を介して水平面内で回動可能に接続して構成されるアーム機構2と、アーム機構2を構成する複数のリンク21・22・23のうち第一のリンク21よりも基端側のリンク22に取り付けられ、取り付け位置に応じて定まる検出位置Seに搬送対象物Wがあることを検出するセンサ3とを有し、センサ3を取り付けたリンク22に対し第一のリンク21が近づく方向に関節部24を回動駆動した場合に第一のリンク21に正規に保持される搬送対象物Wが検出位置Seを通過して検出できるように、センサ3の取り付け位置が設定されている。 (もっと読む)


【課題】ウエハの温度を精度良く制御する方法を提供する。
【解決手段】ウエハの裏面膜の種類の測定結果を取得する取得ステップと、チャンバ内に投入されるパワーと裏面膜の種類とウエハの温度とを対応付けて記憶した第1のデータベース330から、前記測定結果であるウエハの裏面膜の種類と、前記ウエハを処理するために投入されるパワーとに対応したウエハの温度を選択する選択ステップと、前記選択されたウエハの温度に基づき、前記ウエハの温度を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 次世代リソグラフィの半導体デバイス製造への導入を可能とするオーバーレイ制御方法を提供すること。
【解決手段】 実施形態のオーバーレイ制御は、基板上の第1の層の第1のパターンと、前記基板上の第2の層の第2のパターンとの間の合わせずれを、前記第2の層にて測定することを含む。ここで、前記第1の層は前記第2の層としてよりも低い層である。実施形態のオーバーレイ制御は、さらに、前記第2の層から前記第1の層にフィードバック情報を提供することを含む。ここで、前記フィードバック情報は、前記測定した合わせずれと前記第2の層に関連した許容範囲とを含み、前記許容範囲は、前記第2の層にて補正可能な合わせずれの程度を示す。 (もっと読む)


【課題】浮上ステージにおける基板の浮上高や姿勢を最適化しつつ、浮上用高圧気体の消費効率を改善すること。
【解決手段】このレジスト塗布装置における浮上ステージ10は、搬送方向において塗布領域MCTの前後に延びる搬入領域MINおよび搬出領域MOUTの浮上面をそれぞれ多数の浮上エリアに区画している。これらの浮上面には多数の噴出口12配置されている。各々の浮上エリアにおける高圧気体の噴出圧力は噴出圧力制御部により独立に可変ないしオン・オフ制御されるようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板処理(JOB)開始時に基板処理で使用される処理室に対して、予め必要と思われる前処理を一括で実施することにより、大気搬送ロボットの待機状態を解消し、基板処理(JOB)の処理スループットの向上を図る。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送手段を備える搬送室と、基板を格納する基板収容器が載置される基板載置台と、前記基板収容器から最初の基板を搬出するときに、前記基板を処理する際に使用される全ての処理室を前処理するように制御する制御手段で少なくとも構成されている。 (もっと読む)


【課題】リソグラフィ・プロセスを評価し、かつ制御するための方法、システムを提供する。
【解決手段】リソグラフィ・プロセス(16)中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも1つの特性を測定する(22)ことを含むことができる。リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準には、それだけには限られないかもしれないが、リソグラフィ・プロセス(32)中に形成されたフィーチャのクリティカル寸法を含むことができる。本方法はまた、リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュール(36)の少なくとも1つのパラメータを変更し、クリティカルな測定基準(46)のウェハ内変動を低減することを含むことができる。プロセス・モジュールのパラメータは、レジスト(16)の少なくともその1つの測定された特性に応答して変更することができる。 (もっと読む)


【課題】基板搬送を効率的に行うとともに、精度の高い基板の搬送処理に対応することができる基板処理装置、基板処理方法ならびに、プログラムを提供する。
【解決手段】複数のアーム103a、103bにより、同一水平線上で且つ水平位置と高さとが互いに異なる位置で把持した基板を処理室200に搬送する。処理室200に搬送された基板は、複数のアーム103a、103bの基板把持位置に対応する高さを有し、水平方向に並列に配置された複数の基板載置台206a、206bに載置される。また、排気処理は、第1室207の排気を第2室208の排気が開始する前に開始する。 (もっと読む)


【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、基板の接合面で急激に酸化が進行することを効率的に抑制する。
【解決手段】剥離装置30は、被処理ウェハWを保持する第1の保持部110と、
支持ウェハSを保持する第2の保持部111と、第1の保持部110又は第2の保持部111を相対的に水平方向に移動させる移動機構150と、移動機構150により水平方向に移動させることで露出した被処理ウェハWの接合面Wに不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構170と、を有している。不活性ガス供給機構170は、複数の孔が形成された平板形状の多孔質部171と、多孔質部171に接続され、当該多孔質部171に不活性ガスを供給するガス供給管172を有し、多孔質部171は、被処理ウェハWの接合面Wから鉛直方向に所定の距離離間して設けられている。 (もっと読む)


【課題】装置全体のコンパクト化、処理時間の短縮化を図ることができるようにすること。
【解決手段】支持装置10は、半導体ウエハWが載置される載置面17を有する載置手段11と、半導体ウエハWのVノッチNの位置を検出する検出手段12と、半導体ウエハWの外縁に当接可能な複数の当接手段22と、当接手段22を回転して半導体ウエハWを周方向に回転可能な回動モータ23と、当接手段22を介して支持された半導体ウエハWを載置面17に離間接近可能に設けられた昇降手段25と、載置面17と平行な方向に当接手段22を移動可能な移動手段26とを備えて構成されている。当接手段22、回動モータ23、昇降手段25及び移動手段26は、載置手段11に組み込まれている。 (もっと読む)


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