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Fターム[5F031JA47]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 検出 (10,411) | 検出する情報 (3,081) | 物理量 (856) | 圧力 (242)

Fターム[5F031JA47]に分類される特許

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【課題】外縁部に切欠部を有する板状部材を吸引して支持し、その減圧状態から切欠部の位置を認識することのできる支持装置及び支持方法、切欠部を基準として板状部材に貼付された接着シートを剥離するシート剥離装置及び剥離方法、切欠部を基準として板状部材に接着シートを貼付するシート貼付装置及び貼付方法、を提供する。
【解決手段】板状部材WFを支持する支持面14を備えたテーブル16と、支持面14に設けられて板状部材WFの外縁部を吸引する吸引手段17を含む吸引手段19と、吸引手段17の減圧状態を検出する検出手段22とを含んで支持装置11が構成されている。この支持装置11の上方に剥離用テープPTを板状部材WFに貼付された接着シートASに貼付するシート保持手段12を設けてシート剥離装置が構成されている。シート保持手段12は、板状部材WFに設けられた切欠部20、21を基準として、剥離開始位置を決定し、当該剥離開始位置から接着シートを剥離するようになっている。 (もっと読む)


【課題】ワークの板厚が薄く形成されたとしても、簡易な構成で、ワークの利用部位を非接触状態に維持したまま安定してチャックできる。
【解決手段】チャック装置1は、ワークWと対向する本体2と、本体に配され、ワークと接触する突出部3と、本体と突出部とワークとで囲繞される囲繞空間Nから気体を吸引する吸引手段5と、ワークまでの相対距離dを測定する測定センサ6と、相対距離に基づいて、相対距離が所定の目標値で安定化するように吸引手段の吸引力を制御する吸引制御部7と、を備える。 (もっと読む)


【課題】粘着シート5から基板Wを剥離する際に、基板Wが破損してしまうといった問題の発生を抑制する。
【解決手段】粘着シート5と基板Wとの間に気体(窒素ガス)を圧入することで、粘着シート5から基板Wを剥離している。したがって、基板Wに対して局所的に大きな力を作用させることなく、圧入した気体(窒素ガス)が基板Wに及ぼす比較的分散化された力によって、粘着シート5から基板Wを剥離することができる。その結果、粘着シート5から基板Wを剥離する際に、基板Wが破損してしまうといった問題の発生を抑制することが可能となっている。 (もっと読む)


【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第1の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第2の開閉器と、を備える。 (もっと読む)


【課題】装置自体の有する能力を超えた処理条件が設定されるのを防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを格納し、真空排気可能な少なくとも1つの真空容器と、この真空容器にガスを供給するガス供給部と、開度を調整することにより真空容器内からの排気量を制御するAPCバルブと、真空容器内の圧力を、ガス供給部によるガス供給量とAPCバルブの開度とに対応付けて記憶する記憶部と、操作者から所定の圧力、ガス供給量、及び開度に関する指示を受付ける受付部と、受付部が受付けたガス供給量の範囲及び開度の範囲のうち、受付部が受付けた所定の圧力に対応する記憶部が記憶するガス供給量の範囲及び開度の範囲に含まれる範囲を算出する算出部と、算出部が算出した範囲を表示する表示部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 反りと反発力の大きいウェハであっても、確実に吸着して保持しながら搬送することができる搬送技術を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板搬送装置は、基板を吸着保持しながら搬送する搬送ピック40を有する。搬送ピック40の吸着面40aは複数の領域46a,46bに分割され、複数の領域の各々に対して吸着経路が設けられる。制御部60は、吸着経路への負圧の導入を制御して、搬送ピック40による基板の吸着保持動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】 極めて簡単な構成で液中でも半導体基板を安全かつ確実に保持でる半導体基板の保持機構を提供し、さらに、ウエット状態で密着した半導体基板同士を破損することなく自動的に、高速で分離し、保持して搬送することが可能な半導体基板の保持装置とこれを用いた分離装置および分離方法を提供する
【解決手段】チャック本体110に2以上の液体流入口113とこの液体流入口に接続されている中空円筒状のノズル本体120とを有し、前記ノズル本体にはその前端を閉鎖する蓋121とこの蓋から僅かに離れた位置に径方向に向けて開口形成された吐出口122を有し、吐出口から排出された流体の流路に所定角度に傾斜した斜面を有する液流規制部119を有し、前記液流規制部の外周に基板面と平行な平坦部118を有し、前記平坦部の一部領域に半導体基板に接するように突出した保持部材125が配置されている構成の基板保持機構とした。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供する。
【解決手段】基板に対して描画処理を施す描画装置1は、基板Wの裏面に対向する保持面111が形成された保持板11と、保持面111に形成され、真空吸引により基板Wを保持面111に吸引する真空吸引口12と、保持面111に形成され、ベルヌーイ吸引により基板Wを保持面111に吸引する複数のベルヌーイ吸引口13とを備える。保持面111には、その中心と同心に配置された円形領域M1と、円形領域M1と同心に配置された円環状領域M2とが規定されており、円形領域M1と円環状領域M2とのそれぞれにベルヌーイ吸引口13が配置される。 (もっと読む)


【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 (もっと読む)


【課題】脆弱な構造物が搭載されたウェハへのテープ貼り付け時の負荷を低減し、ウェハの破損や損傷を防ぐ。
【解決手段】テープ貼付装置1は、チャンバ6に形成された気密空間5を第1及び第2の気密空間7、8に仕切り、上面にウェハ9が載置されるゴムシート10と、ゴムシート10の上方でテープ11を保持するテープフレーム12と、第1及び第2の気密空間7、8に対する気体の供給及び吸引により加圧及び減圧を切り替える給排気機構3とを備え、第1及び第2の気密空間7、8を減圧した後、第2の気密空間8の加圧によりゴムシート10を膨張させてウェハ9をテープ11に貼り付け、第1の気密空間7を加圧してゴムシート10を収縮させる。給排気機構3は、第1の気密空間7の減圧時に、吸引する気体の流量を制御する第1の流量制御弁27と、第1の気密空間7の加圧時に、供給する気体の流量を制御する第2の流量制御弁28とを有する。 (もっと読む)


【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置30は、加熱機構128を備え、且つ被処理ウェハWを保持する第1の保持部110と、加熱機構151を備え、且つ支持ウェハSを保持する第2の保持部111と、少なくとも第1の保持部110又は第2の保持部111を相対的に水平方向に移動させる移動機構170と、第1の保持部110の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハWを保持した第1の保持部110の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング130と、を有している。第1の保持部110において被処理ウェハWを保持するポーラス121の保持面121aの径は、被処理ウェハWの径よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】待機中の基板収容器内の基板に対し、基板表面へのパーティクルの付着等の問題を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部とを備えた基板処理装置において、前記載置台に載置された第1の基板収容器内の基板を対象として基板処理中に、第2の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第2の基板収容器の蓋を開けて、前記第2の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行った後に、前記第2の基板収容器の蓋を閉じる。 (もっと読む)


【課題】基板搬送装置のバキューム機構に用いられるパッドからの基板のずれを検出可能な基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板搬送方法では、複数の載置部のうちの一の載置部の基板を保持部で受け取って保持し、保持部に保持される基板を一の載置部から搬出し、保持部に保持される基板の保持部に対する位置(第1の位置)を検出し、保持部に保持される基板を他の載置部に臨む場所まで搬送し、その場所において、保持部に保持される基板の保持部に対する位置(第2の位置)を検出し、第1の位置及び第2の位置に基づいて、搬送前後において生じた、基板の保持部に対する位置ずれ量を算出し、算出された位置ずれ量が所定の範囲に入るか否かを判定する。 (もっと読む)


【課題】 基板を保持することによる保持体の撓みを抑えること。
【解決手段】 基板を保持するために搬送基体に進退自在に設けられた板状の保持体41の下面に、薄膜状の圧電体5を設ける。この圧電体5は、電圧を印加すると伸長するように構成され、これにより、保持体41に上向きに反る方向の曲げ応力が与えられる。保持体41にウエハWを保持させると、ウエハWの自重により保持体41の先端が下方に垂れるように撓むが、圧電体5に電圧を印加すると、保持体41の下面側が伸長するので、ウエハWの自重による保持体41の撓みに抗して、当該保持体に上向きに反る方向に曲げ応力が与えられ、保持体41の撓みが抑えられる。 (もっと読む)


【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第1流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第1流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 (もっと読む)


【課題】伝熱ガスの低い圧力領域における基板の温度制御を精度良く行うことができ、温度制御範囲を拡張してプロセスマージンの拡大を図ることのできる基板温度制御方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】冷却又は加温される載置台の基板載置面に基板を載置し、基板の裏面と載置台の基板載置面との間に伝熱ガスを供給し、かつ、伝熱ガスの圧力を検出し、検出された圧力検出値と圧力設定値とを比較して、圧力検出値が圧力設定値となるように伝熱ガスの供給を制御する基板温度制御方法であって、伝熱ガスの圧力を予め定めた下限圧力値以下の低圧力値とし、基板と載置台との熱交換を抑制して基板の温度制御を行う際に、圧力設定値を、低圧力値より高くかつ下限圧力値以上の第1圧力設定値とする第1期間と、低圧力値より低い第2圧力設定値とする第2期間とを交互に繰り返す。 (もっと読む)


【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ150を積層して保持するサセプタ保持部材217と、複数のサセプタを収容する容器203と、容器の外側に配置された誘導コイル207と、容器203の外側に配置された保温材360と、を備え、容器203は上側の閉塞部270と、側壁部272とを有し、保温材360は、容器203の閉塞部270を覆うと共に、閉塞部270から側壁部272の一部までを覆って側壁部272と誘導コイル207との間を延在して設けられている。 (もっと読む)


【課題】大気開放の時間を短縮し、スループットを向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置1は、チャンバ11と、前記チャンバ内に配され、基板2が載置されるステージ12と、ガス供給ライン13aを通じて、前記チャンバ内に所定のガスを導入するガス供給手段13と、前記チャンバ内の圧力Pを検出する圧力センサ15と、前記ガスの導入圧力Pを制御する制御手段16と、を備え、前記ガス供給手段が、前記チャンバ内に所定のガスを導入圧力Pで導入して前記チャンバを真空状態から大気開放する際に、前記圧力センサは、チャンバ内の圧力Pを検出し、前記制御手段は、前記Pに対して、前記Pと前記Pとの差が略一定となるように、前記Pを制御すること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】装置稼働率を向上することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に向かってマイクロ波を供給する
マイクロ波供給部、及び、基板の表面に向かって不活性ガスを供給するガス供給部を少な
くとも備える処理室と、前記処理室において処理がなされた基板を冷却する冷却機構を備
える搬送室、及び、前記冷却機構によって冷却された基板を搬送する搬送機構を少なくと
も備える搬送室とより少なくとも構成される。 (もっと読む)


【課題】空隙に供給されたガスを被処理基板に接触させ、該被処理基板の温度を制御するプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理槽101と、処理槽101内に配され、基板102を一面に接して載置する支持部材103と、処理槽101外に配されたガス供給手段104から、支持部材103と基板102との間の空隙103D内へ、ガスを供給する流路105と、を有し、空隙103Dは、空隙103Dを通してプラズマ処理槽101内にガスを誘導するように形成されている。 (もっと読む)


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