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Fターム[5F031MA31]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理装置 (13,378) | 工程 (11,004) | イオン注入 (188)

Fターム[5F031MA31]に分類される特許

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【課題】イオンビーム照射装置において、安価かつ簡単な構成で、広範囲に渡って基板割れの検出を行う。
【解決手段】基板8の裏面と対向する面に1つ以上の開口部を有する基板支持部材9と、基板8を搭載した基板支持部材9を駆動させて、イオンビーム3の少なくとも一部が基板8上に照射される照射領域とイオンビーム3が基板8上に照射されない非照射領域に基板8を搬送する基板駆動機構と、基板8の下流側でイオンビーム3が照射される位置に配置されたビーム電流計測器11を備えたイオンビーム照射装置1で、照射領域内に基板8が搬送されているときに、ビーム電流計測器11によって計測されたビーム電流の計測値に基づいて、基板割れの有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】エネルギー線照射システムにおいて、異なる寸法のワークに効率的にエネルギー線を照射できるコンパクトで低コストの搬送機構を実現する。
【解決手段】異なる寸法のワークW1、W2がそれぞれ搭載される第1、第2ワークホルダ31a、32aと、各々のワークホルダを各々のワーク授受領域とエネルギー線照射領域AR1との間で進退移動させる進退機構33と、互いに異なる位置に設けられた第1及び第2ワーク収容部21a、22aと、第1のワーク授受領域にある第1ワークホルダ31aと第1ワーク収容部21aとの間でワークW1を搬送する第1搬送アームと、第2のワーク授受領域にある第2ワークホルダ32aと第2ワーク収容部22aとの間でワークを搬送する第2搬送アームとを設けた。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハに対するウエハ工程がほぼ終了した段階で、ウエハの表面に表面保護テープを貼り付けた状態で、ウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を施し、その後、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、ウエハから表面保護テープを剥離することが広く行われている。
【解決手段】本願発明は、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、前記ウエハから前記表面保護テープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記真空吸着に関する真空吸引系を前記ウエハの周辺部を担当する周辺吸引系と、前記ウエハの内部領域を担当する内部吸引系とを含むようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】空間を分離する際のシール性及びメンテナンス性に優れた駆動装置を提供する。
【解決手段】同軸上に2つの回転軸(外側出力軸150及び内側出力軸250)を有する駆動装置80において、本体ケース300と外側出力軸150との間に真空シール170を配置し、更に、外側出力軸150と内側出力軸250との間に真空シール270を配置することで、駆動装置80の本体ケース300内の空間と、本体ケース300外の空間とを分離する。これにより、駆動装置80を減圧環境下で用いる場合であっても、駆動装置80の本体ケース300内の空間(大気圧環境側)と減圧環境側の空間とを分離することができるので、駆動装置80の減圧環境下での使用が可能となる。 (もっと読む)


【課題】基板裏面の反射率に関わらず、基板の有無を確実に検出することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュ加熱後に支持ピン70に支持された半導体ウェハーから放射された放射光は、支持ピン70の先端70aから入射して基端70bに向けて導かれる。その放射光は光ケーブル16を介して受光部12によって受光されて電気信号に変換されてからアンプ13によって増幅され、さらに積分回路14を通って高周波ノイズが除去された後、コンパレータ15に送信される。コンパレータ15は、その電気信号の電圧と予め定められた閾値との比較を行うことにより支持ピン70上の半導体ウェハーの有無を検出する。半導体ウェハーからの放射光を用いて検出処理を行っているため、ウェハー裏面の反射率に関わらず、半導体ウェハーの有無を確実に検出することができる。 (もっと読む)


【課題】高温でのウェハプロセスに使用されたときに静電チャック本体とベースとの間の熱膨張差を吸収し、熱応力による静電チャック本体の破損、反り、歪みなどの発生を防止できる構造を提供する。
【解決手段】静電チャック本体11が、その静電吸着面12の外側周縁部の固定地点においてベース(水冷プレート20)に移動不能に固定されると共に、固定地点から離れた可動地点においてベースに対してスライド移動可能に連結されるので、この静電チャック装置10を高温のウェハプロセスに使用した際の静電チャック本体の熱膨張が吸収され、破損や反り、歪みなどを発生させない。一例として、静電チャック本体に固定される可動ポスト26がベースの長穴(貫通穴23)をスライド移動可能に挿通する。静電チャック本体とベースとの間に所定の高さ間隔が保持され、これらの間にリフレクタなどの中間部品を配置可能である。 (もっと読む)


【課題】部材の位置合わせに係る工程数を減少させ、位置合わせに要する時間を短縮し、半導体製造装置の生産性を向上させる。
【解決手段】基板保持部材1は、半導体基板11を保持する保持面を備えたベース2と少なくとも1つの開口部を有していて保持面と対向するようにベース2上に支持されたマスク9とを備えている。さらに、基板保持部材1は、保持面とマスク9との間に、半導体基板11が挿通される基板挿通部14を備えている。 (もっと読む)


【課題】機能材料層の厚さ分布を高精度かつ短時間で制御可能な技術を提案する。
【解決手段】実施形態に係わるステージ装置は、被処理基板13の下面側に配置され、上下方向に駆動される複数の高さ制御素子を備える高さ制御ユニット12と、高さ制御ユニット12を制御する制御ユニット15とを備える。制御ユニット15は、被処理基板13の上面を複数のエリアに区分し、かつ、複数の高さ制御素子の各々の高さをデータ値に基づいて制御することにより各エリアの高さを独立に設定する。 (もっと読む)


【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面23を、露出されたチャック面13に提供することと、チャック面13に静電吸着された基板Wに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面23を解除することと、を含む。保護表面23は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 (もっと読む)


【課題】基板の昇温や降温を繰り返しても、チャック本体に割れやかけ等が発生することを防止できる基板の温度制御性の良い基板保持装置を提供する。
【解決手段】処理すべき基板を保持する本発明の基板保持装置は、冷却手段を有する基台1と、基台の上面に固定される絶縁性プレート3と、この絶縁性プレートの上面に設置され、正負の電極42a、42bと加熱手段41とを有するチャック本体4であって、全体が誘電体材料で構成されてその上面に基板Wが載置されるものとを備える。基台上面と絶縁性プレートの下面との間に、これら基台及びプレートに密着して熱抵抗を低下させる所定厚さのシート部材2を介在させている。 (もっと読む)


【課題】液体窒素のような冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層からのガス放出を防止できる接着剤層の乾燥方法を提供することである。
【解決手段】冷却媒体によって冷却される静電チャック装置に用いられる接着剤層を乾燥する方法であって、120℃〜140℃の間の温度で、不活性雰囲気中で、前記接着剤層からの所定の質量数(15、90、121、及び163)のガスの放出がなくなるまでベークする乾燥方法が得られる。即ち、2時間〜8.5時間の間、ベーク乾燥することによって、所定質量数のガス放出を無くすことができる。 (もっと読む)


【課題】基板を均一に処理するために有利な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理空間において基板を支持する基板支持部と、前記処理空間を外部空間から仕切る仕切り部材30,42と、前記処理空間にガスを供給するための環状ガス流路90とを備える。環状ガス流路90の前記処理空間への出口は、環状スリットであり、環状ガス流路90に対して供給されるガスが環状スリットを通して前記処理空間に供給される。 (もっと読む)


【課題】加熱された基板を、より均一かつ迅速に冷却する冷却方法、および真空処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態の基板冷却方法は、減圧状態が維持可能な処理室において加熱された基板を、前記処理室から減圧状態が維持可能なロードロック室内に搬送するステップと、前記ロードロック室内に搬送された前記基板の外周を前記ロードロック室内に設けられたガイド機構に支持させるステップと、前記ガイド機構に支持された前記基板の主面に冷却体を接触させずに接近させて、前記基板の温度が前記ロードロック室内に搬送された直後の温度Tよりも低い温度Tになるまで前記基板を冷却するステップと、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板を一部はみ出させた状態で支持し、該基板の側面に接して囲むように、主面に保持部を設けたトレイが備えられた、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】プロセス処理を行うチャンバ101と、チャンバ101内に配され、平坦な一面102Sを有する支持台102と、一方の主面103Sが、支持台の一面102Sに接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイ103と、を有し、トレイの他方の主面103Tに複数のウェハ状の基板104が載置され、基板104の非処理面104Bの一部が少なくともトレイの他方の主面103Tと非接触の領域R2をなすように、トレイ103の形状が規定され、トレイの他方の主面103Tのうち、基板の非処理面104Bが接していない領域に、基板の側面に接して囲むように基板の保持部105が設けられている、ことを特徴とする半導体製造装置100。 (もっと読む)


【課題】薄型の半導体素子の製造工程における半導体素子の割れ率を低減させること。
【解決手段】表面および裏面に素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせ、支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面に分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態とし、半導体ウエハーの裏面側にコレクタ層と電極を形成し、支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱してその部分に位置するチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する。 (もっと読む)


【課題】イオン注入時のシリコンウエハ等の板状試料におけるダメージを抑制することができ、板状試料の非晶質化をダメージ無く均一に進行させることができ、裏面を大気中に曝露した場合においても結露が生じる虞が無い静電チャック装置を提供する。
【解決手段】表面を板状試料Wを載置する載置面11aとするとともに静電吸着用内部電極13を内蔵した静電チャック部2と、この静電チャック部2を所望の温度に調整する温度調整用ベース部3とを備え、静電チャック部2と温度調整用ベース部3との間に温度調整用基材4を設け、この温度調整用基材4の静電チャック部2側に凹部31を形成し、この凹部31に冷却媒体を流動させる溝32を形成した。 (もっと読む)


【課題】現状の設備から改造無しで、ウエハによるウエハ載置台の汚染や損傷を回避しつつ、ウエハとウエハ載置台との間での良好な熱伝導を確保することができるウエハ載置機構及びウエハ載置ステージ、並びに、このようなウエハ載置ステージを用いたレジスト形成装置を得る。
【解決手段】ウエハの処理を行う際に該ウエハを支持するウエハ載置ステージ100aにおいて、ウエハを支持するための載置ステージ本体111と、該載置ステージ本体上に、該載置ステージ本体の表面に密着するよう、該載置ステージ本体に着脱自在に設けられ、該ウエハを載置するためのスペーサ部材112とを備えた。 (もっと読む)


【課題】移動速度を上げなくても搬送時間を短縮することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボット50は、第1及び第2ハンド52,53を備えている。第1及び第2ハンド52,53は、基板6を夫々保持する2つのブレード56を有している。また、搬送ロボット50は、回動ユニット、第1進退ユニット、第2進退ユニット、昇降ユニットを有しており、これら4つのユニットにより第1及び第2ハンド52,53を基板6が載置されている基板搬送中継装置25及び4つのプロセスチャンバ23に夫々移動させることができるようになっている。 (もっと読む)


【解決手段】絶縁体層とこの絶縁体層内に設けられた電極とを有する静電チャックの被吸着体と接触する表面に、
(A)オルガノポリシロキサン、
(B)R3SiO1/2単位(Rは一価炭化水素基)とSiO2単位を主成分とし、R3SiO1/2単位とSiO2単位とのモル比[R3SiO1/2/SiO2]が0.5〜1.5で、かつ1×10-4〜5×10-3mol/gのビニル基を含有するシリコーン樹脂質共重合体、
(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(D)有機過酸化物
を含有してなるシリコーンゴム組成物の硬化物からなるシリコーンゴム層を形成してなる静電チャック。
【効果】本発明はウエハとの密着性がよく、冷却性能に優れるため、半導体集積回路の製造においてウエハの保持が必要となる工程、特に、プラズマエッチング工程やイオン注入工程、スパッタリング工程において、ウエハの温度を精度よく均一かつ一定に保つことができるため、高精度の加工を行うのに有用である。 (もっと読む)


【課題】ダミーウェハを適切に使用することで生産処理とダミー処理とを効率よく実行する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダミー基板と製品基板とを含む基板に処理を施す複数の処理室と、前記各処理室へ基板を基板保持部に保持して搬送する第一搬送手段を備えた第一搬送室と、大気圧状態で基板を搬送する第二搬送手段を備えた第二搬送室と、前記第一搬送室と前記第二搬送室を連結する減圧可能な予備室と、前記搬送室と前記予備室に対して設けられる排気手段と、複数の基板が収納された基板収納手段と前記処理室との間の前記第一搬送手段および前記第二搬送手段の搬送を制御する制御手段とを設けた基板処理装置である。前記制御手段は、複数のダミー基板の使用状態を個別に管理し、ダミー基板の使用状態が予め定められた使用状態に達したか否かを判定する。 (もっと読む)


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