【課題】半導体ウエハ等の試料の処理の歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】ロック室の後方に相互に連結され減圧された内部を前記ウエハが搬送される真空搬送室の容器の並びと、前記真空搬送室の容器の間に配置され前記ウエハが内部に載せられて収納される中間室と、前記真空搬送室の容器の各々の左右方向のいずれかの側の側壁に連結され内部で前記ウエハが処理される処理容器を含む複数の処理ユニットと、これらの処理ユニットを連結するバイパス路を構成するバイパス室とを備え、前記複数の真空搬送室の容器は、前記ロック室から前記複数の処理ユニットのいずれかに向けて搬送される前記ウエハまたは前記複数の処理ユニットの何れかで処理された後に前記バイパス室を通り別の処理ユニットで処理されて前記ロック室へ向けて搬送される前記ウエハのいずれかのみが搬送される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、被処理基板Ｗ１の処理のスループットを落とすことなく、異物が被処理基板Ｗ１に付着しない状態を長時間保ちたい。
【解決手段】被処理基板Ｗ１に処理を施す複数の処理室１ａ、１ｂと、複数の処理室の各室に該被処理基板Ｗ１を搬送するための搬送機構と、搬送機構をその内部に有する搬送室９からなる半導体製造装置において、搬送室９内の搬送機構は、接地された導電性ハンド１３と、絶縁性ハンド１０を備えており、異物付着専用基板Ｗ２、および異物付着専用基板Ｗ２の搬入搬出室７を設ける。異物付着専用基板Ｗ２に異物を付着させ、さらに異物が付着した異物付着専用基板Ｗ２を交換できるようにした。 （もっと読む）

【課題】搬送アームのベース上方に設けた撮像装置だけで，搬送アームのピック上の基板を検出する。
【解決手段】搬送アーム２１０と共に旋回自在に支持され，ピック側に配置されるピック側ミラー３１０を備えたピック側ユニット３０４とベース側に配置されるベース側ミラー３１２を備えたベース側ユニット３０６とを少なくとも有し，ピック側ミラーはピックに保持されたウエハＷの周縁を含む画像をベース側に向けて反射するように配置し，ベース側ミラーはピック側ミラーからの画像をベースの上側に向けて反射するように配置したミラーユニットと，ベース側ミラーからの画像が撮像領域に含まれるようにベースの上方に設けられた撮像装置１３０とを設け，撮像装置で取り込んだ当該画像に基づいて基板状態を検出する。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対するウエハ工程がほぼ終了した段階で、ウエハの表面に表面保護テープを貼り付けた状態で、ウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を施し、その後、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、ウエハから表面保護テープを剥離することが広く行われている。
【解決手段】本願発明は、ウエハの裏面を真空吸着した状態で、表面保護テープ上に剥離用補助テープを貼り付けて、当該剥離用補助テープに張力を付与することにより、前記ウエハから前記表面保護テープを剥離する工程を含む半導体装置の製造方法に於いて、前記真空吸着に関する真空吸引系を前記ウエハの周辺部を担当する周辺吸引系と、前記ウエハの内部領域を担当する内部吸引系とを含むようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】基体を処理するための処理システムの基体搬送装置において、搬送チャンバ内でのケーブル引き回し処理を不要とする。
【解決手段】基体搬送装置は、チャンバ壁１２、テーブル１４、リニアモータ搬送機構１６、光学窓１８、及び、レーザ計測器を備える。チャンバ壁は、搬送空間Ｓを画成する。テーブルは、搬送空間内に収容されている。当該テーブル上には基体を載置可能である。リニアモータ搬送機構は、搬送空間内においてリニアモータによりテーブルを移動させる。光学窓は、搬送空間と当該搬送空間の外部空間との間に設けられている。例えば、光学窓は、チャンバ壁に画成された開口を封止するように設けられる。レーザ計測器は、光学窓を介してテーブルに向けてレーザ光を照射し、テーブルからの反射光を受けて、テーブルの位置を計測する。 （もっと読む）

【課題】搬送ロボット２_１，２_２を設置した搬送室１_１，１_２が並設され、搬送室の並設方向中間部を除く各搬送室の周囲複数箇所に処理室Ｆ１〜Ｆ４，Ｒ１〜Ｒ６が配置され、搬送室の並設方向中間部に設けられた基板の受渡し場所Ｍ１〜Ｍ３に、基板Ｓを各搬送ロボットとの間で受渡し自在に支持する基板支持部材３が配置された基板処理装置であって、スループットを向上できるようにしたものを提供する。
【解決手段】基板支持部材３は、基板Ｓを支持する少なくとも上下２段の支持部３１，３２を備える。また、上段支持部３２に支持される基板Ｓの下面から剥離したパーティクルが下段支持部３１に支持される基板Ｓに落下付着することを防止するため、上段支持部３２と下段支持部３１との間に遮蔽板３３を設ける。 （もっと読む）

【課題】空間を分離する際のシール性及びメンテナンス性に優れた駆動装置を提供する。
【解決手段】同軸上に２つの回転軸（外側出力軸１５０及び内側出力軸２５０）を有する駆動装置８０において、本体ケース３００と外側出力軸１５０との間に真空シール１７０を配置し、更に、外側出力軸１５０と内側出力軸２５０との間に真空シール２７０を配置することで、駆動装置８０の本体ケース３００内の空間と、本体ケース３００外の空間とを分離する。これにより、駆動装置８０を減圧環境下で用いる場合であっても、駆動装置８０の本体ケース３００内の空間（大気圧環境側）と減圧環境側の空間とを分離することができるので、駆動装置８０の減圧環境下での使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を用いた板状試料の温度測定の際に生じる温度測定誤差を小さくすることができ、しかも、発熱体の温度の安定性及び応答性に優れた静電チャック装置を提供する。
【解決手段】一主面を板状試料を載置する載置面１１ａとするとともに静電吸着用内部電極１３を内蔵してなる静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する温度調整用ベース部３とを備え、静電チャック部２の載置面１１ａと反対側の面にヒータエレメント４を設け、このヒータエレメント４の一部に、石英ガラス３１のヒータエレメント４側の面に蛍光体層３２を備えた温度測定子５を設け、静電チャック部２と温度調整用ベース部３とを、絶縁性の有機系接着剤層７を介して接着一体化した。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置が備えるそれぞれの系への電力の供給を個別に制御することで、電力の消費量を低減する。
【解決手段】 処理室内に搬入された基板を処理する処理系と、処理室内に搬入された基板の処理位置を調整する処理室内搬送系と、少なくとも処理系及び処理室内搬送系に電力を供給する主電源と、処理系への電力供給路上に設けられた第１の開閉器と、処理室内搬送系への電力供給路上に設けられた第２の開閉器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温でのウェハプロセスに使用されたときに静電チャック本体とベースとの間の熱膨張差を吸収し、熱応力による静電チャック本体の破損、反り、歪みなどの発生を防止できる構造を提供する。
【解決手段】静電チャック本体１１が、その静電吸着面１２の外側周縁部の固定地点においてベース（水冷プレート２０）に移動不能に固定されると共に、固定地点から離れた可動地点においてベースに対してスライド移動可能に連結されるので、この静電チャック装置１０を高温のウェハプロセスに使用した際の静電チャック本体の熱膨張が吸収され、破損や反り、歪みなどを発生させない。一例として、静電チャック本体に固定される可動ポスト２６がベースの長穴（貫通穴２３）をスライド移動可能に挿通する。静電チャック本体とベースとの間に所定の高さ間隔が保持され、これらの間にリフレクタなどの中間部品を配置可能である。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を搬送可能なトレイを備えるプラズマ処理装置において、トレイの効果的な冷却と消耗抑制を実現する。
【解決手段】トレイ３の基板収容孔２７Ａ〜２７Ｉの孔壁には基板５の下面ｃの外周縁部分を支持する基板支持部１１が設けられている。ステージ２１の基板載置部２７Ａ〜２７Ｉは、基板収容孔４Ａ〜４Ｉに挿入され、基板載置面２８に基板支持部１１から基板５が受け渡される。基板支持部１１の下側部は、突出量がトレイ３の上面３ａ側に向けて漸次増加するテーパ状面１１ｂである。基板載置部１１の側面はテーパ状面１１ｂと適合する傾斜面２９であり、ステージ２１の基部２１ａとトレイ３との間に間隔Ｓ１が形成されるように、テーパ状面１１ｂに当接して支持する。 （もっと読む）

【課題】複数のチャック領域を備え、その外側領域に設けられた凹面部にウェハを搬送するためのトレイが配置される静電チャックにおいて、信頼性を向上させること。
【解決手段】ウェハ２が載置される複数のチャック領域Ｒと、チャック領域Ｒの外側領域に設けられた凹面部Ｃとを備えたチャック機能部１０と、チャック領域Ｒに対応するチャック機能部１０の内部と、凹面部Ｃに対応するチャック機能部１０の内部とにそれぞれ配置された電極４０，４０ａとを含む。 （もっと読む）

【課題】位置ずれの量を抑制してダウンタイムを低減できる真空処理装置または真空処理方法を提供する。
【解決手段】内側が減圧される処理室及びこの処理室内に配置された試料台を有する真空容器と、この真空容器と連結されて前記ウエハを２つのアームの何れかに載せて搬入または搬出するロボットと、このロボットが前記ウエハを搬入または搬出する際にこのウエハの所定の位置のズレの量を検出する手段と、この検出されたズレの量に基づいて前記ロボットの動作を調節する調節器とを備え、前記調節器は、予めティーチングを行った結果に基づいて前記ロボットの動作を調節するものであって、前記ロボットが予めティーチングを行った後にウエハを所定のパターンで搬送した際に検出されたウエハの位置ズレの量の情報に基づいて再度のティーチングを行った後にウエハの処理を行う。 （もっと読む）

【課題】少ない数のピンで、被処理基体及びフォーカスリングを昇降させることが可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の半導体製造装置は、ステージＳＴ、複数のピン７０、及び駆動部を備えている。ステージは載置面ＰＦを含む。載置面は、被処理基体Ｗを載置するための第１の領域Ｒ１、及び、フォーカスリング１８を載置するための第２の領域Ｒ２を有する。第２の領域は、第１の領域を囲むように、設けられている。ステージには、複数の孔１４ｈが形成されている。複数の孔は、第１の領域と第２の領域との境界を通って載置面に交差する方向に延びている。複数のピンは、複数の孔にそれぞれ設けられている。複数のピンの各々は、第１の上端面７０ａ、及び、第２の上端面７０ｂを有している。第２の上端面は、第１の上端面よりも上方に設けられており、当該第１の上端面よりも第１の領域の側に偏位している。 （もっと読む）

【課題】装置自体の有する能力を超えた処理条件が設定されるのを防止することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを格納し、真空排気可能な少なくとも１つの真空容器と、この真空容器にガスを供給するガス供給部と、開度を調整することにより真空容器内からの排気量を制御するAPCバルブと、真空容器内の圧力を、ガス供給部によるガス供給量とAPCバルブの開度とに対応付けて記憶する記憶部と、操作者から所定の圧力、ガス供給量、及び開度に関する指示を受付ける受付部と、受付部が受付けたガス供給量の範囲及び開度の範囲のうち、受付部が受付けた所定の圧力に対応する記憶部が記憶するガス供給量の範囲及び開度の範囲に含まれる範囲を算出する算出部と、算出部が算出した範囲を表示する表示部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のエッチング量の均一さを悪化させずに、エッチング量を増加せしめる酸化膜除去方法及びこの方法に用いるバッチ式半導体デバイス製造装置の提供。
【解決手段】フッ化水素又はフッ化アンモニウムをシリコンウェハ表面上の酸化膜と反応させる第１の工程と、この反応によって生じた反応生成物を２００℃乃至５３０℃で加熱・蒸発させて除去する第２の工程とを有するドライエッチング工程を、隣接するシリコンウェハ同士の間隔を２ｍｍ乃至５ｍｍに設定して実施する。エッチング室と、マイクロ波励起機構と、ロードロック室と、クリーンブースとで構成され、処理されるシリコンウェハの隣接するウェハ同士を２ｍｍ乃至５ｍｍの間隔で載置し得るウェハボートを有している。 （もっと読む）

【課題】基板を載置台にフラットに載置することが可能であり、かつ、静電チャックによる吸着を解除して基板を載置台から持ち上げる際、基板に異常放電を発生し難くすることができる基板受け渡し方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｇを基板載置面４ｃの上方にて、第１の昇降ピン８ａと、第１の昇降ピン８ａよりも低い位置の第２の昇降ピン８ｂとにより支持した基板Ｇを下降させ、基板Ｇを、基板Ｇの中央部から基板載置面４ｃに載置させる基板載置工程と、基板載置面４ｃに載置された基板Ｇを静電チャック４１により吸着して、基板Ｇにプラズマ処理を行う工程と、プラズマ処理終了後、静電チャック４１による吸着を解除し、第１の昇降ピン８ａと第２の昇降ピン８ｂとを同じ高さとして基板Ｇを支持し、基板Ｇを基板載置面４ｃから離脱させる基板離脱工程と、を含む。 （もっと読む）