【目的】半導体素子等へのダメージをより少なくしながら半導体素子が形成された基板と支持基板とを分離する。
【構成】実施形態の半導体装置の製造方法は、表面側に半導体素子が形成された半導体基板１０の表面と、半導体基板１０を支持する支持基板１２の２つの面のうちの一方の面とを貼り付ける工程と、半導体基板１０および支持基板１２とワイヤ２０とを相対移動させながら前記第１の基板と前記第２の基板とを切り離す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ部品保持力を確保しつつ、チップ部品を取り出す際のピックアップ性を高めたチップ部品支持装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】有機粘着フィルム１は、有機樹脂フィルム１１の表面に粘着層１２を有し、周辺が、リング状の枠体５（または７）によって支持されている。粘着層１２は、一面上に、粘着領域と、粘着領域を区画する非粘着領域１３を有している。チップ部品群３に含まれるチップ部品３１のそれぞれは、ギャップｇ１（またはｇ２）によって互いに分離され、底面の一部が非粘着領域１３の上に位置するようにして、粘着層１２の上に粘着されている、 （もっと読む）

【課題】不純物による汚染を抑制できるサポート基板、該サポート基板の製造方法及び該サポート基板を用いた半導体基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係るサポート基板は、半導体基板を薄型化する際に、半導体基板に張り合わせることにより半導体基板を補強するサポート基板であって、単結晶シリコン基板からなる。 （もっと読む）

【課題】ダイボンダにおいて一度エキスパンドした後、エキスパンドを解除してもチップ同士が接触しないようにする。
【解決手段】分断予定ラインが形成された半導体ウエーハが貼着された粘着シートがフレームにマウントされたワークを固定するフレーム固定手段と、固定されたワークの粘着シートを下から押し上げてエキスパンドし、前記半導体ウエーハを個々のチップに分割する突上げ用リングと、前記エキスパンドされた粘着シートの下側から前記個々のチップを突き上げるチップ突き上げピンと、前記突き上げられたチップをピックアップするコレットと、前記粘着シートを介して前記突上げ用リングと突き合わされて前記粘着シートをかしめるリング状の隔壁と、前記隔壁と前記突上げ用リングによってかしめられた前記隔壁の周囲の前記粘着シートを選択的に加熱する選択的加熱装置とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイシングテープからピックアップする際の半導体チップの破損や、半導体チップのピックアップミスの発生を抑制可能な半導体チップのピックアップ方法を提供することを課題とする。
【解決手段】特定の処理により気化する犠牲接着層、及びテープ本体を有するダイシングテープを準備し、半導体チップ形成用母基板の面のうち、第１のバンプ電極が形成された面とは反対側に位置する面に、犠牲接着層を介してテープ本体を貼着し、次いで、第１のバンプ電極が形成された側から、ダイシング領域に沿って半導体チップ形成用母基板及び犠牲接着層を切断することで、半導体チップ及び犠牲接着層を個片化し、次いで、個片化された半導体チップのうち、ピックアップする半導体チップの第１のバンプ電極が形成された面を吸着保持し、吸着保持された半導体チップに形成された犠牲接着層を気化させる。 （もっと読む）

【課題】装置全体が大型化、複雑化することを防止できるようにすること。
【解決手段】リングフレームＲＦ及び半導体ウエハＷＦに第１接着シートＳ１を貼付して一体化された対象物ＴＳを支持する支持手段１１と、第２接着シートＳ２を繰り出す繰出手段１３と、この繰出手段１３で繰り出された第２接着シートＳ２をリングフレームＲＦ及びウエハＷＦに押圧して貼付する押圧ローラ１４と、リングフレームＲＦ及びウエハＷＦから第１接着シートＳ１を剥離可能な剥離手段１６とを備えて転写装置１０が構成されている。支持手段１１は、リングフレームＲＦ及び半導体ウエハＷＦ間に表出する第１接着シートＳ１に対して力を付与可能な付勢手段２４を有し、この力の付与によりリングフレームＲＦに貼付される第１及び第２接着シートＳが接着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】後工程へ板状部材を搬送する搬送手段に特別な構成を追加することなく、転写後の板状部材に不純物が付着することを抑制して搬送することが可能な転写装置および転写方法を提供すること。
【解決手段】転写装置１は、第１接着シートＳ１を介してウェハＷを支持する第１シート支持手段２と、第１シート支持手段２で支持されたウェハＷの第２面Ｗ２に第２接着シートＳ２の一方の面を対向配置可能な第２シート支持手段３と、第１接着シートＳ１の他方の面に当接可能な当接面４１を有する当接手段４と、ウェハＷと第２接着シートＳ２とを相対接近させてウェハＷに第２接着シートＳ２を貼付する押圧手段５と、第１接着シートＳ１におけるウェハＷが貼付された貼付部分よりも外側の外周部分を切断する切断手段６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、加熱機構１２８を備え、且つ被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、加熱機構１５１を備え、且つ支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１７０と、第１の保持部１１０の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハＷを保持した第１の保持部１１０の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング１３０と、を有している。第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】熱分解性の樹脂層１を、半導体ウェハ２と、基材３との間に配置して、樹脂層１を介して、半導体ウェハ２と基材３とを固定し、積層体４を形成する工程と、積層体４の半導体ウェハ２を加工する工程と、積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解してガス化させる工程と、半導体ウェハ２と、基材３とを分離する工程とを含む。積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解する前記工程では、積層体４が配置された容器５中の気体を吸引することで容器５内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体４を加熱する。 （もっと読む）

【課題】露出した接着シートの接着剤に不活性ガスを効率よく供給することで、不活性ガスの供給量を減らしても接着剤の硬化不良を確実に抑制することができる光照射装置および光照射方法を提供すること。
【解決手段】石英ガラス２２の表面に形成した接近面２２Ｂおよび凹部２２Ａによって、空間ＳＰに供給した不活性ガスを接着シートＳの貼付端縁部ＳＥに誘導することで、この貼付端縁部ＳＥ近傍を確実に不活性ガス雰囲気とした状態で発光手段４から所定波長の光を照射することができ、接着シートＳの接着剤層ＡＤの硬化不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】被照射体が接着剤層を有する場合、当該接着剤層を十分に硬化反応できるようにすること。
【解決手段】被照射体を構成する接着シートＳが貼付された半導体ウエハＷを支持するテーブル１１と、接着シートＳに光を照射する発光手段１２と、テーブル１１と発光手段１２と相対移動させる移動手段１３とを備えて光照射装置１０が構成されている。発光手段１２は、接着シートＳの被照射面Ｓ１と平行となる面に設けられた複数の発光ダイオード２１と、これら発光ダイオード２１から発せられる光を矩形の平行光に変換して被照射面Ｓ１上に照射する第１レンズ２２と第２レンズ２４と導光手段２３とを備えている。各発光ダイオード２１から発せられる光は、第２レンズ２４により矩形形状に変換され、導光手段２３により導かれた光を第１レンズ２２にて平行光に屈折し、前記相対移動方向と交差する方向に延びる帯状光Ｂとし、被照射面Ｓ１上に照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】熱変形性のダイシングテープを用いて、ダイシングし、これをピックアップする際に、ダイシングテープの変形時における周辺チップの飛散等（飛散や傾き）を防止する。
【解決手段】チップ状部品のピックアップ方法は、加熱により変形する層を有するダイシングテープＤＴに貼着した板状部品を切断分離し、周辺チップ６とチップ状部品５とを含む複数のチップを得るダイシング工程と、ダイシングテープを吸引可能な吸引部材１１に、ダイシングテープＤＴの背面を対面させて、周辺チップ６を保持する部分に対応する背面を吸引する吸引工程と、テープＤＴを変形させるための加熱を行う加熱工程と、チップ状部品５の上面より、吸引コレットでチップ状部品５を吸引把持して、ダイシングテープＤＴから取り上げるピックアップ工程とを備え、加熱工程の際に、吸引工程の吸引を行う。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ダイシングテープから半導体チップを剥離させる際、半導体チップが破損することを防止可能な半導体チップの剥離装置、及び半導体チップの剥離装置を提供することを課題とする。
【解決手段】上下方向に移動可能な構成とされ、ダイシングテープを介して、半導体チップのうち、少なくとも貫通電極の形成領域に対応する第１の部分を突き上げる第１の突き上げ面４３ａを有した第１の突き上げ部材４３と、上下方向に移動可能な構成とされ、ダイシングテープを介して、半導体チップのうち、貫通電極が形成されていない第２の部分を突き上げる第２の突き上げ面４４ａを有した第２の突き上げ部材４４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】個片化されたチップ領域を有する半導体ウエハに形成した接着剤層の切断性を高めると共に、接着剤層の切断屑等による半導体チップの汚染等を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態において、第１の面３ａに貼付された表面保護フィルム４でウエハ形状が維持された半導体ウエハ３に液状接着剤を塗布して接着剤層７を形成する。半導体ウエハ３の第２の面３ａに粘着層８を有する支持シート９を貼付する。表面保護フィルム４を剥離した後、支持シート９を引き伸ばしてダイシング溝１内に充填された接着剤を含む接着剤層７を割断する。支持シート９の引き伸ばし状態を維持しつつ洗浄する。粘着層８のダイシング溝１に対応する部分の粘着力を、洗浄工程前に選択的に低下させる。 （もっと読む）

【課題】薄型の半導体素子の製造工程における半導体素子の割れ率を低減させること。
【解決手段】表面および裏面に素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な支持部材を貼り合わせ、支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面に分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態とし、半導体ウエハーの裏面側にコレクタ層と電極を形成し、支持部材の、個々のチップに相当する部分を個別に加熱してその部分に位置するチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程またはダイ・ボンディング工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良またはダイ・ボンディング工程不良の低減方法を提供する。
【解決手段】チップをコレットで真空吸着してダイ・ボンディングする場合において、吸引コレットの真空吸着を早期に解除（吸着オフステップ２０６）して、ダイ・ボンディング（ボンディングステップ２０８）時のチップの湾曲状態に起因するボイド等の発生を回避するものである。 （もっと読む）

【課題】安価な構成で精度よくウエハマウントを作製するウエハマン作製方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの回路面に液状の接着剤を塗布し、塗布面に支持板を貼り合わせ、当該支持板を保持して半導体ウエハの裏面を研削し、支持用の前記粘着テープを介してリングフレームに半導体ウエハを支持し、半導体ウエハから支持板を分離し、さらに半導体ウエハ上でフィルム状になっている接着剤に半導体ウエハの直径以上の幅を有する剥離テープを貼り付けて当該剥離テープを剥離することにより、当該接着剤を一体にして半導体ウエハから剥離する。 （もっと読む）

【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）