【課題】静電気のスパークにより半導体ウエハ等の被着体の要部が損傷することを防止できるようにすること。
【解決手段】支持装置１０は、半導体ウエハＷＦ及びリングフレームＲＦを含む一体物ＷＲを支持する第１及び第２支持面１５、１６を有する支持テーブル１１と、半導体ウエハＷＦ及びリングフレームＲＦに帯電した静電気を除去可能な除電手段１２とを備えて構成されている。除電手段１２は、支持テーブル１１に支持された一体物ＷＲに接触する受電部材２３Ａ、２４Ａと、一体物ＷＲにおける第１及び第２支持面１５、１６からに対する接近又は離間動作に追従して受電部材２３Ａ、２４Ａを所定量移動可能な巻きばね２３、２４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】使用できる温度帯を広げることができる基板ホルダーを提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダー１３は、一端部が基板支持面４５に導通する接地軸５３の他端部に接続され、接地軸５３を接地電位に切替えるリレー回路６１と、接地軸５３の一端部のキャップを基板支持面４５に押し付けるように付勢する圧縮コイルばね５９と、接地軸５３の他端部を真空側に配置し、圧縮コイルばね５９の付勢方向に伸縮するベローズ５７と、圧縮コイルばね５９の付勢方向で狭持されるＯリング６３とを備えている。この構成により、接地軸５３が熱膨張しても基板支持面４５との導通を確保できる。 （もっと読む）

【課題】効率よく基板を除電できること。
【解決手段】上記の課題を解決するために、複数のフォークと、生成部であるところのイオナイザと、噴出部であるところの噴出孔とを備えるようにハンドおよびかかるハンドを備える基板搬送装置を構成する。上記の複数のフォークは、基板を載置する。上記のイオナイザは、上記のフォークの内部に設けられ、イオン化した気体を生成する。上記の噴出孔は、上記のイオナイザによって生成されたイオン化した気体を噴出する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、コレットやダイ（ワーク）などの帯電により静電発会を防止する。ダイ（ワーク）などを対象物（基板やトレイなど）にプレース場合、静電気によるプレースミスを防止できるダイボンダを提供することである。
【解決手段】
本発明のダイボンダは、グランドに接地されてダイを保持および開放するコレットを有するボンディングヘッドと、前記コレットの電位を計測する電位計と、前記電位計の結果に基づいて、前記コレットが前記グランドに接地されているか否かを判断する接地判断手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】原版へのパーティクルの付着の防止に有利な技術を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたパターン領域を有する原版を用いて、前記パターンを基板に転写するリソグラフィ装置であって、前記原版を保管するストッカと、前記パターンを前記基板に転写する転写処理を行う処理部と、前記ストッカと前記処理部との間で前記原版を搬送する搬送機構と、を有し、前記搬送機構は、前記パターン領域を覆うように配置されることにより、前記パターン領域を保護する保護プレートと、前記保護プレートに配置され、前記原版の前記パターン領域以外の部分を介して前記原版を保持する保持部と、を含むことを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】短時間で確実に誘電体層と基板との吸着を解除する。
【解決手段】被処理基板１３を吸着する誘電体層１４ａと、断熱プレート１４ｂとが積層されてなる静電チャック１４であって、断熱プレートの誘電体層側上面１４ｆと側面１４ｇとが帯電電荷逃避用導体膜１４ｃで覆われてなる。真空処理装置１０は、静電チャックが内部に設けられ気密性を有するチャンバ１２と、電気的にフローティング状態とされて導体からなるステージ１５と、を有し、ステージに静電チャックが載置されて、帯電電荷逃避用導体膜の下端がその全周でステージに接続され、
ステージの電気的容量を増大するために、ステージの面積および厚さが静電チャックより大きく設定されている。 （もっと読む）

【課題】露光用のマスクを安定に接地可能とする。
【解決手段】レチクルＲを収容するレチクルポッド２０であって、レチクルＲを収容可能なインナーポッド４１と、インナーポッド４１を収容可能なアウターポッド３９と、インナーポッド４１に設けられて、レチクルＲの接地領域８Ａに接触可能な導電性の可動な接触部１３２Ａと、インナーポッド４１のアウターポッド３９との接触部であるベースプレート５３と接触部１３２Ａとを導通する板ばね１５４とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板が薄く大型化しても静電気により基板が割れるのを抑えることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】基板を載置する石材製のステージと、前記ステージに載置された基板に対し相対的に移動しつつ塗布液を吐出することにより前記基板上に塗布膜を形成する塗布ユニットと、を有しており、前記ステージの基板が載置される載置面には、載置された基板を前記載置面に吸着させる吸着溝が形成されており、この吸着溝にはアース接続された導電材が埋設されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料の汚染低減の要求に応える搬送アームおよびそれを用いた吸着装置を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態に係る搬送アーム１は、セラミックスからなるアーム本体２と、該アーム本体２の表面を被覆し、試料の載置領域６を有する被覆膜３とを備え、該被覆膜３は、導電性ポリエーテルエーテルケトン樹脂からなる。
また、本発明の一形態に係る吸着装置は、上記搬送アーム１を試料の吸着手段および搬送手段として用いる。 （もっと読む）

【課題】空気の巻き込みによる基板の位置ずれを防止できる基板載置装置を提供する。
【解決手段】基板１０を載置する基板載置装置１００は、基板１０を保持するステージ３０と、ステージ３０に設けられ、基板１０を吸着する真空チャック３１とを備える。真空チャック３１は、ステージ３０の表面３０ｓに配列された吸着孔３２を有しており、真空チャック３１は、ステージ３０の一端３０ａから他端３０ｂに向けて基板１０の吸着を実行する。 （もっと読む）

【課題】 機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きな炭化珪素質焼結体およびこの炭化珪素質焼結体からなる静電吸着部材ならびに半導体製造装置用部材を提供する。
【解決手段】 炭化珪素を主成分とし、チタンを含む緻密質の炭化珪素質焼結体であって、炭化珪素の平均結晶粒径が4.8μｍ以下（但し、０μｍを除く）であり、チタンの含
有量が140質量ｐｐｍ以下（但し、０ｐｐｍを除く。）の炭化珪素質焼結体である。この
炭化珪素質焼結体は、機械的特性や熱的特性を有しているとともに体積抵抗率の大きなものである。 （もっと読む）

【課題】加熱処理を伴う被処理基板と支持基板との剥離処理の際に、被処理基板の非接合面の酸化を抑制する。
【解決手段】剥離装置３０は、加熱機構１２８を備え、且つ被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、加熱機構１５１を備え、且つ支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に水平方向に移動させる移動機構１７０と、第１の保持部１１０の外周部に沿って環状に設けられ、且つ複数の孔が形成され、被処理ウェハＷを保持した第１の保持部１１０の外周部に対して不活性ガスを水平に供給するポーラスリング１３０と、を有している。第１の保持部１１０において被処理ウェハＷを保持するポーラス１２１の保持面１２１ａの径は、被処理ウェハＷの径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを傷つけることなく、半導体ウェハの裏面に材料が堆積されることを抑制することができる半導体ウェハカバーを提供する。
【解決手段】半導体ウェハカバーは、第１のカバー部と、第２のカバー部とを備える。第１のカバー部は、半導体ウェハの表面を露出させつつ半導体ウェハの裏面の少なくとも外縁部を被覆するように半導体ウェハを収容し、半導体ウェハの裏面の中心部分において第１の開口部を有する。第２のカバー部は、第１の開口部に嵌合し、半導体ウェハの裏面の中心部分を被覆する。第１の開口部の径が半導体ウェハの搭載面から半導体ウェハの非搭載面に向かって小さくなるように該第１の開口部の内側面はテーパーを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を静電チャックから容易に除去することができる基板除去方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板２２を内包する静電チャック２３及び該静電チャック２３を内蔵する接地電位のチャンバ１１を備える基板処理装置１０において、ウエハＷ及びチャンバ１１の間においてＤＣ放電４０が生じた後にウエハＷに生じる電位の絶対値が０．５ｋＶである場合、プラズマエッチング処理後、静電チャック２３のウエハＷの載置面２３ａの電位の絶対値が０．５ｋＶとなり、変化後の載置面２３ａの電位の極性とウエハＷの電位の極性とが同じになり、且つウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値が０．５ｋＶ以上となるように、静電電極板２２の電位を２．５ｋＶから１．５ｋＶへ変化させてＤＣ放電４０を生じさせ、その後、ウエハＷを静電チャック２３から除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を静電チャックから容易に除去することができる基板除去方法を提供する。
【解決手段】直流電圧が印加される静電電極板２２を内包する静電チャック２３及び該静電チャック２３を内蔵するチャンバ１１を備える基板処理装置１０において、プラズマエッチング処理中に第１の所定の電位へ維持された静電チャック２３の静電電極板２２の電位をプラズマエッチング処理後に接地電位に設定してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させ、ウエハＷ及びチャンバ１１の間においてＤＣ放電４０を生じさせ、ＤＣ放電４０が生じた後にウエハＷに生じる第２の所定の電位と同じ電位の直流電圧を静電電極板２２へ印加してウエハＷ及びチャンバ１１の間の電位差の絶対値を増大させてＤＣ放電４２を生じさせ、ウエハＷを静電チャック２３から除去する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理の実施中に異常が発生した場合に、基板とステージとの間に供給される冷却用ガスの圧力に起因して基板がステージ上より跳ね上がって位置ズレが生じることを防止する。
【解決手段】ドライエッチング処理の異常発生が検出された場合に、ステージおよび基板の間に供給される第１流路内の冷却用ガスの圧力と処理室内の圧力との間の差圧を減少させる処理を開始する。これにより、エッチング処理中に異常が発生した場合であっても、処理室内の圧力と第１流路内の圧力との差圧が減少されるため、差圧により基板がステージより跳ね上がって位置ズレ等が生じることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の自重での撓みや熱による反りを確実に防止でき、基板を格段に薄くして温度変更を短時間でできる加熱装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置は、ベースプレート２の上方に位置してウェハＷが載置されるとともに、ウェハＷを加熱するフィルムヒータが設けられた基板としてのフェイスプレート３と、ベースプレート２およびフェイスプレート３間に立設されてフェイスプレート３を支持する支柱５と、フェイスプレート３をベースプレート側に引っ張る引張部材７とを備え、支柱５および引張部材７は、フェイスプレート３の少なくともウェハＷの載置領域に対応した部位を支持および引っ張る位置に設けられ、引張部材７は、上端がフェイスプレート３に係止されて下端がベースプレート２を貫通するシャフト７１と、ベースプレート２側に位置してシャフト７１の下端側を下方に付勢するコイルばね７３とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を浮上させた状態で平流し搬送する基板搬送装置であって、特に、浮上搬送される前記基板の下面に帯電している電荷を除去する。
【解決手段】浮上ステージ２Ａ，２Ｃは、ガス噴射孔２ａに隣設され、前記ガス噴射孔から噴射されたガスを排気するガス抜き孔１６と、前記ガス噴射孔と前記ガス抜き孔との間に設けられ、前記基板に帯電する電荷を中和させるイオンを発生するイオン発生手段１７とを備え、前記イオン発生手段は、所定の電圧が印加されることにより放電を発生させる針電極１８と、前記針電極に所定の電圧を供給する給電ケーブル２０とを有し、前記針電極は前記ガス噴射孔の中に配置され、前記給電ケーブルは前記ガス抜き孔から前記浮上ステージ外へ引き出される。 （もっと読む）

【課題】基板同士の接合の良否を検査し、基板接合後の処理を円滑に行う。
【解決手段】上ウェハと下ウェハを接合する（工程Ｓ１〜Ｓ１３）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接着の良否を判定する（工程Ｓ１４）。その後、上部チャックにおいて上ウェハに対する真空引きを行い、吸引管の内部の圧力に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合強度の良否を判定する（工程Ｓ１５）。その後、重合ウェハの外径を測定し、当該測定結果に基づいて、上ウェハと下ウェハの接合位置の良否を判定する（工程Ｓ１６）。工程Ｓ１６では、測定結果が所定の閾値未満である場合、接合位置が正常であると判定し、測定結果が所定の閾値以上である場合、接合位置が異常であると判定する。 （もっと読む）