【課題】空孔率の高い層間絶縁膜を用いた信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】空孔率が５０％以上の層間膜を有する下層配線層と、空孔率の低い上層配線層を備える多層配線構造において、配線層間を接続するビアを配線層を介して基板表面に垂直方向に連続して形成したスタックドビア７０とチップ外周部に設けた外周リング８０により、空孔率が低く厚い層間膜を有する上層配線層を支える構造とする。 （もっと読む）

【課題】ダイシングによってスクライブライン領域の保護膜及び各配線層に内部剥離或いはチッピング、ダメージが生じることを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハー上に、半導体回路を形成してなる複数の半導体素子領域４と、各半導体素子領域４をそれぞれに分離するスクライブライン領域３とを備える半導体装置において、スクライブライン領域３が半導体素子領域４との間に境界領域を有し、境界領域に半導体素子領域４とスクライブライン領域３とを隔てるシール部を形成し、シール部がシールリング６と補助部７からなり、シールリング６が半導体素子領域４とスクライブライン領域３との境界に沿って連続的に形成され、シールリング６に沿って配置する補助部７が断続的に配列され、シールリング６がメタル層からなる。 （もっと読む）

【課題】層間を電気的に接続するために形成されるコンタクトホールを、コンタクトホールの下層に形成された端部上に形成するに際し、コンタクトホールの形成に起因する層間の電気的な接続の切断を確実に防止できる構造を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０に成膜されるとともに、スペースｈ１を有する段部１５０が少なくとも一部に形成された走査線１１と、走査線１１上に積層された下地絶縁膜１２と、下地絶縁膜１２上に積層された半導体膜１と、半導体膜１上に積層された層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１の段部１５０の上方に、層間絶縁膜４１を貫通するよう形成されたコンタクトホール８１と、を具備し、コンタクトホール８１は、段部１５０の端部１１ｔから、平面的に下地絶縁膜１２の膜厚以上離間した段部１５０のスペースｈ１の位置上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングでもウェハの中央部と外周部で配線幅にばらつきが生じ難く微細化が可能となる低コストの半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハ１の中央部のシード層６の膜厚を外周部のシード層６の膜厚に比べ薄くすることで、ウェットエッチング時に外周部のシード層６と中央部のシード層６がほぼ同時に除去され、エッチング時間を短縮できる。エッチング時間が短縮することで、Ｃｕ配線９の幅の狭まり量を小さくでき、また、半導体ウェハの外周部と中央部とのＣｕ配線９の幅のばらつきを小さくできて、Ｃｕ配線９の微細化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は貫通電極の絶縁性を確保することを課題とする。
【解決手段】 半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。半導体素子１４の上面には、上面側絶縁層６０を介してデバイス形成層１８及び複数のＡｌ電極パッド２０が設けられている。半導体素子１４を貫通する貫通孔５４の内周には、筒状絶縁層６３が形成され、筒状絶縁層６３の内部には、貫通電極５６が充填されている。Ａｌ電極パッド２０は、筒状絶縁層６３の外周より所定距離離間位置に配置されており、筒状絶縁層６３と非接触となるように設けられている。Ａｌ電極パッド２０と貫通電極５６の上端部との間は、上面側から貫通電極５６の上端部に積層された平面電極６６により接続されている。この平面電極６６は、貫通電極５６の上端部を中心としてＡｌ電極パッド２０を覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスに電極が形成されているウエーハに、電極を破損することなく基板の裏面から電極に達する細孔を効率よく穿設することができるウエーハの穿孔方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面に複数のデバイスが形成されているとともにデバイスに電極が形成されているウエーハに、基板の裏面側からパルスレーザー光線を照射し電極に達する細孔を穿設するウエーハの穿孔方法であって、基板を形成する材料と電極を形成する材料およびパルスレーザー光線の波長はパルスレーザー光線の波長に対する吸収率に基づいて選択され、基板の吸収率より電極の吸収率が低いパルスレーザー光線の波長となるように基板を形成する材料と電極を形成する材料およびパルスレーザー光線の波長が設定されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は小型化を図ると共に、デバイス形成層を保護した状態で貫通孔及び貫通電極を形成することを課題とする。
【解決手段】 半導体装置５０は、貫通電極５６を介してＡｌ電極パッド２０と再配線パターン５２とを接続し、半導体素子１４の再配線パターン５２と配線基板１２上の配線パターン２４とをはんだバンプ５８を介してフリップチップで接続する構成となっている。半導体素子１４の上面には、デバイス形成層１８と複数のＡｌ電極パッド２０が形成されている。Ａｌ電極パッド２０と再配線パターン５２との間には、半導体素子１４を貫通する貫通孔５４がドライエッチングにより設けられ、貫通孔５４の内部には、Ｃｕめっきにより貫通電極５６が形成される。デバイス形成層１８は、半導体素子１４の上面に配置され、受光または発光が容易に行なえる。 （もっと読む）

【課題】 スタックト構造を有するコンタクトプラグの複数段連結されたコンタクトプラグのうちの下方のものについて、酸化防止を図る。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に第１の絶縁膜５を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜５中に、バリアメタル膜７及びタングステン膜８からなる第１のプラグ９を形成する工程（ｂ）と、第１のプラグ９Ａの上方に、下部電極１４、容量絶縁膜１５及び上部電極１６からなる容量素子１７を形成する工程（ｃ）と、第１の絶縁膜５及び第１のプラグ９上に、第２の絶縁膜１１を形成する工程（ｄ）と、第２の絶縁膜１１中に、第１のプラグ９Ｂと接続してスタックト構造を構成する第２のプラグ２１を形成する工程（ｅ）と、工程（ｃ）の後に、容量素子１７に対して酸素雰囲気中で熱処理する工程（ｆ）と、工程（ｂ）と工程（ｄ）との間に、半導体基板に対して熱処理をする工程（ｇ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半田等の接合材との接続信頼性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置１０Ａは、半導体基板１１の上面に活性領域２０が形成され、この活性領域は酸化物が埋め込まれたトレンチ２４により囲まれている。また、活性領域と電気的に接続された貫通電極１６は、半導体基板の上面から裏面まで延在している。ここで、貫通孔１６の下端は、半導体基板１１の裏面を被覆する絶縁膜２７よりも下方に突出している。従って、半田等の接合材を用いて半導体装置１０Ａを実装する際に、外部に突出する貫通電極１６が接合材に埋め込まれて、接続信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理および還元性ガスを用いたプラズマ処理を併用して行うことで、自然酸化膜の除去を可能とする。
【解決手段】基板１０に形成された層間絶縁膜１１に、表面が露出する様に銅を含む導電層１５を形成する工程と、前記導電層１５表面に対して水素を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理を行う工程と、前記導電層１５表面に対して還元性ガスを含むプラズマ処理を行うことによって前記導電層１５表面に対して還元処理を行うとともに前記熱還元処理により吸着された水素を脱離させる工程と、前記プラズマ処理後の前記導電層１５表面が酸素を含む雰囲気にさらされることなく前記導電層１５表面を被覆する酸化防止膜１７を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、半導体要素を製作するために、半導体ウエハ内に垂直貫通コンタクト（マイクロ・ビア）、すなわち、ウエハの前側から半導体ウエハを貫通してウエハの後側にいたるコンタクトを形成する方法に関する。本発明はまた、以下のステップを含む方法にも関する、すなわち、コンタクト接続点上のブラインド・ホールがウエハの後側から半導体基板内へレーザ穴開けされ、ウエハが洗浄され、ウエハの活性層スタックに到達するまで半導体基板が材料選択性の方法でプラズマ・エッチングされ、ウエハの後側に接続される予定のコンタクトに到達するまで、ウエハの活性層スタックが材料選択性の方法でプラズマ・エッチングされ、めっきベースがウエハの後側およびブラインド・ホール内に適用され、金が電気めっきによりウエハの金属化された後側およびブラインド・ホール上に適用される。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性を向上させるとともに配線の高抵抗化を防ぐ半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】基板11上に下層側に酸素含有絶縁層21aを有する層間絶縁膜21を形成する。次に、層間絶縁膜21の上層側に配線溝22を形成し、酸素含有絶縁層21aに接続孔23を形成する。次いで、接続孔23の側壁が露出するように配線溝22の内壁を覆う状態で、層間絶縁膜21上に、第１のバリア膜24を形成する。次に、配線溝22と接続孔23の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金膜25を形成する。続いて、配線溝22と接続孔23とを埋め込む状態で、ＣｕＭｎ合金膜25上に銅を含む導電層26を形成する。その後、熱処理を行い、ＣｕＭｎ合金膜25中のＭｎを拡散させて、酸素含有絶縁層21a中の酸素と反応させることで、接続孔23の側壁に、金属含有酸化物からなる第２のバリア膜27を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 再配線構造を有する半導体装置において、支持板を使用することなく、また、ハンドリングによる破損のリスクも少ない状態で、工程数の増加を極力抑えることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 半導体素子９と、この半導体素子９の主面に形成された複数の素子電極１１と、半導体素子９の主面側を覆う第１の絶縁膜１２と、一端部側が一部の素子電極１１に接続され、他端部側が、主面側に設けられた主面側外部接続用端子としての金属バンプ１９に接続された主面側再配置配線としての第１の金属配線層１５と、一端部側が前記一部の素子電極１１とは異なる素子電極１１に接続され、他端部側が半導体素子９の外周から主面とは反対の面に延びる裏面接続用配線としての第２の金属配線層１７と、各主面側部分を覆う第２の絶縁膜１８とを備えた。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン材料を含む組成物からなる複数の第１の液滴を第１の線上に中心を有するように吐出し、第１の液滴の間に複数の第２の液滴を第２の線上に中心を有するように吐出して形成されたパターンを有する半導体装置である。第１の線と第２の線とが一定の距離を有するため、パターンの側端部が波状形状となる。 （もっと読む）

【課題】露光工程なしで現象溶液に対して容易なエッチング速度を有する共重合体、分子樹脂組成物及びそれを用いたパターン及びキャパシタの製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ膜用高分子組成物は、ベンジルメタクリレート、アルキルアクリル酸及びヒドロキシアルキルメタクリレートを含む共重合体、架橋剤、熱酸発生剤、界面活性剤及び残部の溶媒を含む組成を有する。このような組成を有する高分子組成物で形成されたバッファ膜は半導体素子のパターン及びキャパシタを形成する工程の縮小及び工程効率を極大化させることができるアッシング特性を有する。 （もっと読む）

【課題】 無鉛はんだに含まれている酸性のフラックスから電極を保護し、それによって、その下の活性な半導体接合を保護するバリア層を電極の直上に設けた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、１つの表面上に、少なくとも１つの電極を有する半導体ダイと、電極の上方に形成されている少なくとも１つのはんだ付け可能なコンタクトと、電極の上方に形成され、かつ、はんだ付け可能なコンタクトを露出する開口を有するパッシベーション層とを備え、パッシベーション層の開口は、はんだ付け可能なコンタクトよりも広く、はんだ付け可能なコンタクトとパッシベーション層との間に、空隙が存在する。さらに、電極の上面上であって、はんだ付け可能なコンタクトの下面に沿って、および、空隙の全域にわたって、バリア層を配置されている。バリア層は、パッシベーション層の下に広がっている場合もあり、また、電極の全上面を覆っている場合もあり、さらに、電極の側壁に沿って広がっている場合もある。バリア層は、チタン層を備えている場合もあり、チタン層とニッケル層とを備えている場合もあり、電極およびその下の半導体ダイを、無鉛はんだに含まれている酸性のフラックスから保護する。
（もっと読む）

【課題】Ｑ値が高く、位相雑音特性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、能動素子としての集積回路１２と、集積回路１２に電気的に接続される複数の接続電極（１４，１５）とを含む半導体基板１０と、半導体基板１０の接続電極１４，１５が形成される面に、接続電極１４，１５を避けて形成される第１の樹脂層７０と、半導体基板１０と第１の樹脂層７０の間に形成され、複数の接続電極のうちの一つに接続される接続配線層２５，２６と、接続配線層２５，２６に一端が接続され、第１の樹脂層の表面に形成されるＣｕ配線層からなる渦巻き形状のスパイラルインダクタ４０，５０と、スパイラルインダクタ４０，５０の表面を覆う第２の樹脂層７５と、複数の接続電極のいくつかと電気的に接続され、第２の樹脂層７５から一部が突出してなる外部端子８１〜８６と、を備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】シード層から導電部表面に拡散して酸化物を形成する金属の酸化物層で形成することで、配線信頼性の向上、微細化によるＲＣ遅延の問題を解決することを可能とする。
【解決手段】基板１１上の絶縁膜（層間絶縁膜２１）に形成された凹部２２の内面にバリア層２５を介してシード層２６を形成する工程と、シード層２６を介して凹部２２を導電部（銅）２７で埋め込む工程と、層間絶縁膜２１上に形成された銅およびシード層２６を除去して、凹部２２内に銅を主材料とする導電部２７を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法であって、シード層２６は導電部２７表面に拡散して酸化物を形成する金属を含む銅材料で形成され、凹部２２内に銅を主材料とする導電部２７を形成した後に熱処理を行って導電部２７表面に酸化物を形成する金属を含む酸化物層３１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 実装性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、複数の電極１４を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の電極１４が形成された面１５上に形成された複数の樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、いずれかの樹脂突起２０上に形成された電気的接続部３０とを含む。複数の樹脂突起２０は、面１５の中心部から放射状に延びる仮想直線１００に沿って延びる形状をなす第１の樹脂突起２１と、第１の樹脂突起２１よりも外側の領域に配置された、仮想直線１００と交差する第２の樹脂突起２２とを含む。 （もっと読む）