【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて歩留まり，信頼性，電気的特性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】 絶縁膜６０上の下層絶縁膜６１に銅の下層配線６２を形成（Ｓ６１）した後、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜６３，ストッパ膜６４を順次形成し、ストッパ膜６４における下層配線６２上に孔６４ａを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜６３にコンタクトホール６３ａを形成する（Ｓ６２）。その後、上層絶縁膜６５を形成しマスク６６を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜６５に溝部６５ａを形成すると共に、コンタクトホール６３ａ中の上層絶縁膜６５を除去する（Ｓ６３）。そして、バリア膜６７を形成（Ｓ６４）した後、Ｃｕ−Ｎｉ膜，Ｃｕ−Ｚｎ膜，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ膜のうち何れかを堆積してシード膜６８を形成する（Ｓ６５）。 （もっと読む）

【課題】 強度低下や寸法増大を抑えながら、バイアホールの接地インダクタンスを低減できる半導体装置とその製造方法およびＭＭＩＣを提供する。
【解決手段】 このマイクロ波帯用増幅器ＧａＡｓＭＭＩＣは、その接地電極８が、３個のバイアホール１１からなるバイアホール群１２を有し、この３個のバイアホール１１は、その内側に充填されたメッキ金属１０ａが近接されて形成され、その相互作用によって高周波的な電磁界結合が発生して、接地インダクタンスが低減された。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを配線基板に積層しても、半導体チップを積層した半導体装置の厚みおよび基板面積の増大および半導体チップ間の配線長の増加を招かない半導体チップ、その製造方法および半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体基板１３と、半導体基板１３の第１の面１４に形成された第１の外部電極２１と、半導体基板１３の第２の面１７に形成された第２の外部電極２２と、半導体基板１３に形成された貫通孔１６とを有し、貫通孔１６は第２の面１７となす内角が鈍角をなして形成された斜面１５に設けられ、第１の外部電極２１と第２の外部電極２２とは、貫通孔１６の内壁および斜面１５を経由して形成された導電パターン１９により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

【課題】 短絡や断線を回避しながら、基板の接続配線の抵抗の均一化を図る。
【解決手段】 基板の各信号配線３と素子側端子８とを接続する接続配線７を、それぞれ所定の線幅を有する複数の接続部である第１の区間７ａ、第２の区間７ｂから構成し、該複数の接続部の膜厚を調整したり、第１の区間７ａに積層配線１９を設けて多層構造とすることにより、各接続配線７で全抵抗が略同じになるように構成する。これにより、接続配線７の最大線幅と最小線幅の差を約２倍程度に抑えることができるため、太い接続配線７における短絡や、細い接続配線７における断線を回避しながら、各接続配線７の抵抗の均一化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層１１、実質的なアルミニウム配線層１２、さらに破線で示すフォトレジスト層ＰＲと接触する、最上層がタングステン膜（Ｗ）で構成されるキャップ層１３が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層ＰＲが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層１２の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜（Ｗ）は、アルミニウム配線層１２をエッチングする際のエッチングマスク（ハードマスク）となり得るからである。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造において、エレクトロマイグレーション耐性の向上及びより一層の微細化を図る。
【解決手段】 下層配線Ａは、第１のチタニウム膜１０２、第１の窒化チタン膜１０３、第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４、第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６からなる。ヴィアコンタクトＢは、第１の密着層１０９（チタニウム膜）、第２の密着層１１０（窒化チタン膜）及びタングステンプラグ１１１（タングステン膜）からなる。第２のチタニウム膜１０５及び第２の窒化チタン膜１０６には、ヴィアコンタクトＢの平面形状よりも小さい開口部が形成され、ヴィアコンタクトＢは開口部において第１のＡｌ−Ｃｕ膜１０４と接続している。第１及び第２の密着層１０９、１１０は、側壁部の下端から内側に張り出す張り出し部において、第２の窒化チタン膜１０６における開口部の周辺領域と接続している。 （もっと読む）

【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）