【課題】電気的性能の向上が図れる貫通孔配線構造およびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】貫通孔配線構造は、ベース基板１の厚み方向に貫設した貫通孔１０の内側に形成された貫通配線部２と、ベース基板の厚み方向の両表面側それぞれに貫通配線部２の端面および貫通孔１０の周部に重なる形で形成されたパッド５ａ，５ｂとを備え、貫通配線部２においてパッド５ａ，５ｂそれぞれに接する端部からなるコンタクト部３ａ，３ｂが、貫通配線部２における他の部位である主部４よりも弾性率が高い導電性材料を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭやフラッシュメモリ等のメモリやロジックに用いられる、コンタクトや配線をできるだけ省略し、構造を簡略化することによって半導体装置の高集積化を図り、かつ、生産性を向上させるＭＯＳ型半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型半導体装置１０では、半導体基板１１と、半導体基板１１にウェル領域１２を備え、かつ、ゲート１５とソース１３／ドレイン１４とを有し、ソース１３の上部を形成するソース電極１３３が、ソース１３を形成する拡散領域１３１を通過して、ウェル領域１２又はボディ領域１１１に貫通していて、かつ、ドレイン１４の上部を形成するドレイン電極は、ウェル領域１２又はボディ領域１１１を貫通していない。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、厚さ（高さ）を低減することができる、半導体装置の外部回路接続部の構造とその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面に絶縁膜５１（第１絶縁膜）を介して配線膜２０を形成し、配線膜２０を覆うように前記主面上にソルダーレジスト膜１０（第２絶縁膜）を形成する。配線膜２０と重なる位置において、ソルダーレジスト膜１０上に導電性パッド３０を形成する。導電性パッド３０は、ソルダーレジスト膜１０上に配置されたパッド本体３０ｂと、パッド本体３０に一端が接続され且つ他端がソルダーレジスト膜１０を貫通して配線膜２０に接触せしめられた複数の貫通部３０ａとを有する。パッド本体３０ｂは、貫通部３０ａよりも熱伝導性が低く、複数の貫通部３０ａを介して配線膜２０に電気的・機械的に接続される。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略し、アルミニウム合金膜と透明電極を直接接触させた表示デバイスの製造を可能にすると共に、防食性の優れた処理液を組み合わせることでアルミニウム合金膜が持つ耐食性不足の問題を克服できる表示デバイスの製法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置されたアルミニウム合金膜からなる配線材と、透明導電膜によって構成された画素電極とが直接接続した構造を有し、前記配線材と画素電極の接続界面において、前記配線材のアルミニウム合金膜を構成する合金成分の一部または全部が析出物もしくは濃化層として存在している表示デバイスを製造するに当り、配線パターンの形成に用いるレジストを現像するための現像液として、有機塩基：２〜３．５質量％と炭素数４〜６の糖アルコール：２〜１０質量％とを含み、他の多価アルコールを含まないレジスト用現像液を使用する。 （もっと読む）

【課題】露光装置での微細化を単純に進めることが困難な状況において、コンタクトホールの微細化を簡単に実現する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に形成された絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、貫通孔を有し、前記貫通孔は、平面で見たときに、４つの角部が丸みを帯びた矩形形状であり、前記４つの角部のうち、第１の角部及び前記第１の角部の対角に位置する第２の角部は、残りの第３の角部及び第４の角部よりも曲率が大きい。前記第１の角部と前記第２の角部は、曲率が互いにほぼ等しく、前記第３の角部と前記第４の角部は、曲率が互いにほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】積層されたときに電極間の接触不良が生じるおそれのない貫通電極を備えるＩＣチップを提供する。
【解決手段】本発明に係るＩＣチップ１０は、基板表面１４ａの回路部Ｅの配線１８の接続端部であるパッド２０と電気的に接続され、パッド２０から基板１４を貫通して基板裏面１４ｂから突出して形成された貫通電極１１を備え、パッド２０から基板裏面１４ｂに至る貫通孔１４ｃの内周面に、貫通孔１４ｃの内周面と貫通電極１１との間の絶縁を行う絶縁膜２６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

基板上の相互接続構造が提供される。この相互接続構造は、基板レベルの上又は上方の少なくとも２つの相互接続レベルに導電性の相互接続素子を具える。本発明の相互接続構造では、少なくとも１つの導電性のビアが一つの相互接続レベルにおける第１の相互接続素子を異なる相互接続レベルにおける第２の相互接続素子に接続する。このビアは、第１の誘電体層のビア開口内を延びる導電性の円筒状カーボンナノ構造を含む導電性ビア材料を具える。少なくとも１つのカバー層部分がビア開口の横方向広がり内まで延在してビアアパーチャを規定し、このアパーチャはカーボンナノ構造がこのビアアパーチャを貫通するのを阻止するに十分なほど小さい。この構造によれば相互接続構造の製造中における高さ方向のカーボンナノ構造成長の制御が向上する。
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【課題】コンタクトホールの形成工程を省略し、製造プロセスの簡素化を実現して生産効率の向上を図る。
【解決手段】ＴＦＴ基板１０上にＴＦＴ３０を構成するゲート電極３ａを形成する第１配線膜形成工程(ａ)と、ゲート電極３ａを被覆する下層絶縁膜４１ａを成膜する絶縁膜成膜工程(ｂ)と、ゲート電極３ａに対して電気的に接続される走査線１１ａを下層絶縁膜４１ａ上に形成する第２配線膜形成工程(ｃ)とを有し、絶縁膜成膜工程では、ゲート電極３ａと走査線１１ａとを直接接続するための非成膜領域４１ａａを有する下層絶縁膜４１ａを成膜する。 （もっと読む）

【課題】製造工程を短縮することにより、歩留りを向上し、装置の信頼性を高める。
【解決手段】シリコン基板１００上の第１主面１０１上に酸化膜１０２を形成し、この酸化膜１０２上に第１ポリシリコン層１０４ａ、及びその上層にキャップ絶縁膜１０６ａを具えた島状積層体１０８を形成する。次に、第１主面１０１の島状積層体１０８を含む上側全面に第２ポリシリコン層１１０を形成して、島状積層体１０８の側壁で第１ポリシリコン層１０４ａと第２ポリシリコン層１１０とを接合させる。その後、一回の拡散処理によって、第２ポリシリコン層１１０の表面から第２ポリシリコン層１１０内部に不純物を拡散させるとともに、第２ポリシリコン層１１０に拡散された不純物をさらに第１ポリシリコン層１０４ａの側壁から第１ポリシリコン層１０４ａの内部に向かって、拡散させる。 （もっと読む）

【課題】銅とバリア層との間の接着性を向上させるための自己組織化原子層
【解決手段】実施形態は、エレクトロマイグレーション耐性に優れなおかつ銅配線のストレス誘起ボイドのリスクを低下させた方式で薄い共形バリア層と、銅層とを銅配線内に堆積させることを可能にすることによって、必要性を満たすものである。エレクトロマイグレーションおよびストレス誘起ボイドは、バリア層と銅層との間の接着性に影響される。銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層が堆積される。機能化層は、バリア層と銅層との間の接着性を向上させるために、バリア層および銅と強い結合を形成する。銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるたために、銅配線の金属バリア層の上に機能化層を堆積させ、銅配線内における銅層の堆積を助けるための、基板の基板表面を調整する方法が提供される。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることと、金属バリア層の表面を酸化させることとを含む。方法は、また、金属バリア層の酸化表面の上に機能化層を堆積させることと、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、銅配線構造内に銅層を堆積させることとを含む。 （もっと読む）

【課題】銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
【解決手段】バリア層と銅層との間の接着性は、銅の堆積前にバリア層を金属リッチにすることおよび銅の堆積前にバリア層が曝露される酸素の量を制限することによって向上させることができる。あるいは、バリア層と銅層との間の接着性に優れた方式で銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層を堆積させることができる。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることを含み、金属バリア層を堆積させた後、基板は、金属バリア酸化物の形成を阻止するために制御環境内において搬送され処理される。方法は、また、統合システム内において金属層の上に機能化層を堆積させることも含む。エレクトロマイグレーションの問題を阻止するために、方法は、さらに、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、統合システム内において銅配線構造内に銅層を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩに適用されるカーボン配線の構造的安定性を高め、ＬＳＩプロセス中の表面平坦化処理との適合性を向上させる。
【解決手段】ＬＳＩ用のカーボン配線構造は、層間絶縁膜を介して位置する第１導体（１１）および第２導体（１３）と、前記第１導体と第２導体を電気的に接続するカーボン配線（２０）とを有し、前記カーボン配線は、前記第１導体と第２導体の間に延びる複数の炭素繊維（２１）と、前記炭素繊維の間を充填する樹脂層（２２）とを含む。 （もっと読む）

【課題】実施例は、半導体チップ上部のチップパッドを通じて加えられる外部荷重に対する層間絶縁膜の構造的強度を改善する。
【解決手段】実施例による半導体チップは、半導体基板上に形成される半導体素子と、該半導体素子を電気的に連結するための複数の金属配線層と、前記半導体素子と金属配線層の間及び前記複数の金属配線層の間に形成される層間絶縁膜と、及び最上側に位置する層間絶縁膜上に形成されて外部回路と電気的に連結される導電性パッドと、が含まれて、少なくとも一つ以上の金属配線層は前記導電性パッドの下側で前記層間絶縁膜を間に置いて分離形成されることで前記導電性パッドの一部領域の下のみに形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極と、前記下部電極と電気的に連結されるように設けられるカーボンナノチューブ成長用の触媒層と、前記触媒層表面から上方に成長する多数のカーボンナノチューブで構成され、上端部の個数密度が下端部の個数密度より高いカーボンナノチューブ束と、前記カーボンナノチューブ束を取り囲む層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に前記カーボンナノチューブ束の上端部と電気的に連結されるように配置される上部電極と、を備えることを特徴とする、カーボンナノチューブを用いた半導体素子の層間配線およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】使用するアクティブマトリクス方式の表示器に使用される有機半導体装置においてゲート駆動信号を伝搬するゲート線（ゲート信号線）の抵抗値を下げることを可能とした半導体装置、電気光学置及び電子機器を提供する。
【解決手段】基板上(101)に形成された有機半導体トランジスタと、有機半導体トランジスタのソース又はドレイン電極(105)と接続されるデータ線(107)と、データ線と交差するように配置されて有機半導体トランジスタのゲート電極(110)に接続されるゲート線と、を備え、ゲート線は、ゲート電極(110a)、ゲート電極に信号を伝搬する第１のゲート線(102)、及びデータ線と層間絶縁層(109)を介して交差する第２のゲート線(110b)を含み、上記ゲート電極、上記第１及び第２のゲート線は互いに直列に接続され、第１のゲート線(102)の導電率がゲート電極(110a)及び第２のゲート線(110b)の導電率よりも高い、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを伴うストレスによる層間絶縁膜および配線層、入出力パッド、表面保護膜等の損傷を低減する。
【解決手段】半導体基板上に設けられた入出力パッド２下に層間絶縁膜９を介して配線層７を有し、この配線層７および入出力パッド２間を電気的に接続するコンタクト８が形成されるとともに、入出力パッド２上に形成された表面保護膜３に保護膜開口４が形成され、この保護膜開口４を含む半導体基板上に入出力パッド２に接続される突起電極５を形成した半導体装置であって、コンタクト８は保護膜開口４のエッジから一定の距離を離して配置した。このように、保護膜開口４のエッジの真下を避けてコンタクト８を形成することにより、保護膜開口４のエッジの真下は平らな層間絶縁膜９となり、ボンディングによるストレス集中にも十分耐えることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填させて基板間の配線を行う場合に、数μｍの微細なスルーホール径に対してスルーホールの高さ方向の長さが長くなってもスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填することができ、よってスルーホール内の断線を防止することができる電気接続体、電気接続体の形成方法及びカートリッジを提供する。
【解決手段】液滴吐出装置１０の直径約５μｍ以下、好ましくは約１μｍ以下のノズル１２から基板２２に向けて液滴２４を噴射させ堆積する。液滴２４を複数堆積して形成された液滴堆積体において、最初の液滴３４ａ上の成長起源液滴層３４ｂの固化した直径をＲｍ１、着弾後の液滴を複数堆積して形成された液滴堆積体の最上層の液滴３４ｄの最大直径をＲｍ２としたときに、Ｒｍ１とＲｍ２との比が２：１〜１：１となる。 （もっと読む）

【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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