Fターム[5F033JJ00]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続のコンタクト層の材料 (22,060)

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【課題】金属配線パターンの寄生抵抗を低減可能なダミーパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】切り欠きパターン2を一及び逆方向に各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形4を生成した後、各所定値Δx1だけ拡大してダミーパターン5を生成し、その外形を抽出して矩形図形6を生成した後、各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形7を生成し、ダミーパターン5から縮小図形7を論理減算して切り欠き図形8及び矩形図形9を生成し、切り欠き図形8を抽出してダミーパターン5から論理減算して矩形図形10を生成した後、各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形11を生成し、矩形図形10から縮小図形11を論理減算して第1,第2のビア配置領域12,13を生成し、各ビア配置領域12,13にビア14をそれぞれ配置する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、第2の基板上に、第2の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とを対向させ、第1の金属膜と第2の金属膜とを接合する工程と、第1の基板を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】微細なパターン、例えば、線幅が50μmよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第1の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第2の膜を形成し、第2の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第2の膜は、厚さが0.1μmになったときの粘度が3mPa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】断線等の問題を抑制しつつ逆メサの段差に配線を設けることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体基板に逆メサ段差部を形成する。逆メサ段差部の下段における半導体基板の表面に、電極を設ける。逆メサ段差部内を埋めるように当該逆メサ段差部の高さよりも厚い絶縁膜を設ける。逆メサ段差部内に絶縁膜を残すように、絶縁膜積層工程で積層した絶縁膜に対してエッチバックを行う。電極に接続する配線を、逆メサ段差部に残された絶縁膜の上方に設ける。このとき、電極とのコンタクトをとる部分を対象にして、層間絶縁膜に対し開口を形成する。開口形成後、配線を、層間絶縁膜上であって逆メサ段差部の上方の領域に蒸着する。コンタクト開口を介して、配線が電極と接続する。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第1の触媒金属膜と、前記第1の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した第2の触媒金属膜と、前記第2の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に形成された第1の導電層20と、層間絶縁層30と、第2の導電層70とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール40を介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第1の領域50と、前記コンタクトホールを含み、該第1の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第2の領域60とを有し、
前記第1の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第2の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第2の導電層は、前記層間絶縁層の前記第2の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第1の導電層と接続されている。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】積重ねダイ式の集積回路で使用するのに適した基板導通技術を提供すること。
【解決手段】集積回路が、積み重ねて配置された複数の集積回路のダイを備え、積重ねの頂部のダイを除く任意のダイが、それ自身および追加のダイ少なくとも1つのための電流を基板導通により担持する。1つの形態では、積重ねの底部のダイを除く各ダイが、下側のダイのバスまたはその他の電源導体を介して基板導通によりその電源電流を担持する。 (もっと読む)


【課題】配線幅若しくは配線間隔の縮小に伴い、加工限界の制約を受けるために微細な配線形成が困難になりつつある。
【解決手段】絶縁層(第1の絶縁層12及び第2の絶縁層13)に溝15を形成し、導体膜(バリア膜16及び金属膜17)を溝15を埋設しない膜厚で形成し、続いて導体膜をエッチバックすることで溝15の側壁にサイドウォール状の配線18を形成することで、配線幅は導体膜の膜厚で制御できるために加工限界の制約を受けず、配線抵抗は配線高さを高くすることにより所定の配線抵抗を維持することができる。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第1の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第1の埋め込み膜よりも高密度のである第2の埋め込み膜と、を有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁層が積層された導電層に該絶縁層を貫通するカーボンナノチューブが接続される配線構造にて電気的特性を向上することのできる配線形成方法、及び該方法を用いる配線形成装置を提供する。
【解決手段】
下部配線層32に積層された絶縁層34を貫通するホール35に、その内表面の全体が含まれるように触媒層36,37を形成した後、ホール35の内部にシースShが形成され、且つホール35の内壁面35aに対するシースの厚さがホール35の底壁面35bに対するシースShの厚さよりも小さくなるようにプラズマを生成する。そして、ホール35の内壁面35aに形成された触媒層36,37をプラズマ中のスパッタ粒子Spによって除去した後、ホール35の底壁面35bに残された触媒層36,37を用いて該底壁面35bからカーボンナノチューブ38を形成する。 (もっと読む)


【課題】プロセス再現性が高く、微細なホールを効率よく低コストで形成することができるホール形成方法、並びに、該ホール形成方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステムの提供。
【解決手段】基材上にピラー形成液を付与してピラーを形成するピラー形成工程と、前記ピラーが形成された基材上に絶縁膜形成材料を付与して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記ピラーを除去して前記絶縁膜に開口部を形成するピラー除去工程と、前記開口部が形成された絶縁膜を熱処理する熱処理工程とを含むホール形成方法である。 (もっと読む)


【課題】隣接する2つのトランジスタ同士が接続された構成を有し、省スペースと電流集中による信頼性の低下の抑制とを両立させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第1のトランジスタ101と接続された第1のバス111、第2のトランジスタ102と接続された第2のバス112と、第1のバス111と第2のバス112との間に形成され、第1のバス111と第2のバス112とを接続するバス間配線121とを備えている。バス間配線121は、第1のバス111における第2のバス112と対向する辺の一部及び第2のバス112における第1のバス111と対向する辺の一部と接続されている。第1のコンタクトパッド131は、第1のバス111の一部と接続され、第2のコンタクトパッド132は、第2のバス112の一部と接続されている。 (もっと読む)


【課題】製造コストを増大させずに、半導体集積回路の電源配線、接地配線の電圧降下を減少させる。
【解決手段】半導体チップ1上の第1の方向に延びる電源配線12Aが配置され、半導体チップ1上の第2の方向に延びると共に、第2の方向から第1の方向に屈曲し、電源配線12Aの一部と重畳する屈曲部24Aを有する電源引き出し配線22Aが配置されている。また、第1の方向に延びる接地配線12Bが配置され、第2の方向に延びると共に、第2の方向から、第1の方向とは逆方向の第3の方向に屈曲し、接地配線12Bの一部と重畳する屈曲部24Bを有する接地引き出し配線22Bが配置されている。電源引き出し配線22Aと接地引き出し配線22Bを覆う第1の層間絶縁膜13の中には、電源配線12Aと屈曲部24Aを接続する電源配線ビアコンタクト14Aと、接地配線12Bと屈曲部24Bを接続する接地配線ビアコンタクト14Bが配置されている。 (もっと読む)


【課題】2個のビアを用いた配線接続構造を、ホットスポットが生じにくい構造によって実現する。
【解決手段】第1配線層において第1方向に延びる第1配線11と、第1配線層の上層または下層の配線層に形成された接続対象配線30とを電気的に接続するために、第1および第2のビア21,22が設けられている。そして、第1配線11の第2端部11bから、第1方向と直交する第2方向に第3配線13が延びており、さらに第3配線13から、第1方向において第1配線11と反対の向きに第4配線14が延びている。すなわち、第1、第3、第4配線11,13,14によってクランク状の配線が形成されている。そして、第3配線13の配線幅W3は、第1配線11における端部11a,11b間の部分の配線幅W1以上である。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子3cを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜4Dを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ4VA,4VBを形成する。 (もっと読む)


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