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【課題】下層の銅配線と上層のアルミニウム配線とを接続するコンタクトプラグのコンタクト抵抗を均一化する。
【解決手段】銅配線8と、銅配線9上の層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10上に形成されたアルミニウム配線17と、銅配線9とアルミニウム配線17とを電気的に接続するプラグ13とを備える半導体装置であって、プラグ13は銅とアルミニウムの合金からなり、銅配線9上のコンタクトホールにバリアメタルを設けずに第1のアルミニウム膜を充填し、熱処理して合金化し、未反応の第1のアルミニウム膜を除去した後、アルミニウム配線用の第2のアルミニウム膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を1回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第1開口部17aおよび第2開口部17bを備えたレジストマスク17を層間絶縁膜42の表面に形成した後、第1開口部17aおよび第2開口部17bから層間絶縁膜42および絶縁膜49をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク17を変形させて第2開口部17bを塞ぐ一方、第1開口部17aの開口面積を狭める。次に、第1開口部17aから層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】リーク不良の発生を抑制でき、かつ薄型基板を用いることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ30を、半導体基板35の表層部に形成された第1導電型層34と、第1導電型層34の表面に形成されたゲート絶縁膜37と、ゲート絶縁膜37上に形成されたゲート電極38と、半導体基板35の主表面35a上に配置され、主表面35aの一部を露出させるコンタクトホール42が形成された層間絶縁膜41と、層間絶縁膜41上に配置され、コンタクトホール42を介して半導体基板35と接続されるアルミニウムを有する材料で構成される上部電極43と、上部電極43上に形成されたニッケルを有する材料で構成されるメッキ膜44と、半導体基板35の裏面35bに形成された下部電極46とを有する構成とする。そして、上部電極43のうちコンタクトホール42に形成されている部分の膜厚tを2μm以上にする。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗(配線抵抗)も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金の第1層と;Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf、およびCrよりなる群(Y群)から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはAl合金の窒化物の第2層と、が積層された表層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜131と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極103とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第1のコンタクトホール142と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第2のコンタクトホール141とを有し、第2のコンタクトホール141の径は、第1のコンタクトホール142に含まれる複数のコンタクトホール142のそれぞれの径より大きく、第1のコンタクトホールの底面積の合計と、第2のコンタクトホール141の底面積は等しい半導体装置に関する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Gを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】バイアスに依存した抵抗値の変化をさらに低減できるようにした半導体装置を提供する。
【解決手段】N型シリコン層3と、N型シリコン層3上に形成されたP型拡散抵抗7と、P型拡散抵抗7上に形成されたシリコン酸化膜11と、シリコン酸化膜11を貫いてP型拡散抵抗7の一方の端部7aに接続され、一方の端部7aに高電位を印加するための高電位用電極15と、シリコン酸化膜11を貫いてP型拡散抵抗7の他方の端部7bに接続され、他方の端部7bに低電位を印加するための低電位用電極17と、を備える。高電位用電極15及び低電位用電極17はそれぞれシリコン酸化膜11上に延設されると共に、シリコン酸化膜11上において高電位用電極15と低電位用電極17との間にはスリット21が設けられている。このスリット21は、P型拡散抵抗7の一方の端部7aと他方の端部7bとの間の中間位置23よりも一方の端部7aに近い側に位置する。 (もっと読む)


【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線4の下方には凸領域となるTEOS膜14の下敷きがあり、ヒューズ配線4はTEOS膜14を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線4の上方にはTEOS膜14よりも小さい領域のヒューズ開口部13が設けられる。さらに、TEOS膜14の無い領域にてヒューズ配線14の両端に設けられたヒューズ端子15には第1金属配線7が電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の反りを抑制し、且つ、その反りの経時変化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成された多層配線層と、を有し、多層配線層は、配線と、配線を覆う層間絶縁膜と、をそれぞれ有する複数層の配線層を有する。少なくとも何れか1つの層間絶縁膜(例えば、層間絶縁膜27、30)は、第1絶縁膜41と第2絶縁膜42とを有する。第1絶縁膜41は、基板を第1方向(例えば下に凸)に反らせる応力を基板に与える。第2絶縁膜42は、第1絶縁膜41よりも表層側に形成され、第1絶縁膜41よりも吸湿性が低く、基板を第1方向に対する反対方向(例えば上に凸)に反らせる応力を基板に与える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板1の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層MHの直下の第5配線層M5において、最上の配線層MHのボンディングパッドPDのプローブ接触領域PAの直下には、導体パターン(第5配線5F、ダミー配線およびプラグ6C)を形成しない。上記第5配線層M5において、最上の配線層MHのボンディングパッドPDのプローブ接触領域PAの直下以外の領域には、導体パターン(第5配線5F、ダミー配線およびプラグ6C)を形成する。 (もっと読む)


【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第1のプロセスチャンバと、第2のプロセスチャンバと、第3のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第1のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第1のバリアメタルを成膜する。また、前記第2のプロセスチャンバは、前記第1のバリアメタルが成膜された前記基板上に第1のガスを導入することにより、前記第1のバリアメタルの上層部を前記第1のガスによって表面処理し、これにより前記第1のバリアメタル上に第2のバリアメタルを形成する。さらに、前記第3のプロセスチャンバは、前記第2のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第2のバリアメタル上に第3のバリアメタルを成膜する。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第1の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 (もっと読む)


【課題】多層配線内の信号線とそれに接続されるビアとを共に同軸構造にする。
【解決手段】多層配線には、例えば、異なる層に設けられる信号線10,20と、これらの信号線10,20間を接続する接続部30(ビア)が設けられる。信号線10,20は、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。更に、信号線10,20間を接続する接続部30も、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。信号線10,20のほか接続部30も同軸構造とすることで、信号線10,20及び接続部30を伝送される信号の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的な影響が効果的に抑制されるようになる。 (もっと読む)


【課題】微細な貫通孔を有する膜を形成することが可能な膜の製造方法、およびこの方法を用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた膜の製造方法。基板に、TFT,絶縁膜および有機EL素子を順に形成する工程を含み、絶縁膜を形成する工程は、第1パターンおよび第2パターンを有する凹版を用いて、第1パターンの膜を基材へ形成する第1転写工程と、第1パターンの膜上に第2パターンの膜を形成して、基材上に貫通孔を有する膜を形成する第2転写工程とを備えた表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】膜剥がれの要因となる有機材料を用いることなく、エレクトロマイグレーションの耐性と長期信頼性を向上できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】バリア層4(AlGaN)4上に形成された酸化シリコン(SiO2)からなる層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10のソース電極5上に形成され、基板平面に対して略垂直な第1の側壁W1を有する第1コンタクトホール部10aと、第1コンタクトホール部10aの第1の側壁W1の上縁から上側に向かって徐々に広がるように層間絶縁膜10に形成され、基板平面に対して傾斜した第2の側壁W2を有する第2コンタクトホール部10bと、第1,第2コンタクトホール部10a,10b内および層間絶縁膜10上に形成された配線層12とを備える。上記配線層12は、第1コンタクトホール部10aにおいて第1の側壁W1の基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚い。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100を製造するにあたって、層間絶縁膜45上にコンタクトホール45aの底部45eおよび内壁45fに重なるコンタクト用導電膜90をITO膜により形成した後、コンタクトホール45aの内部を埋める埋め込み膜48をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜48に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜90を露出させる。また、コンタクトホール45aの内部には埋め込み膜48を残す。その際、埋め込み膜48とコンタクト用導電膜90とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜48を選択的に除去してコンタクト用導電膜90を露出させる。 (もっと読む)


【課題】CMP法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】CMP法により、層間絶縁膜14の上面よりも上方に形成された金属膜19及びバリア膜18を除去することで、開口部内に、バリア膜18及び金属膜19よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜14の上面が露出する前に、金属膜19の研磨レートと層間絶縁膜14の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 (もっと読む)


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