【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、半導体装置が短絡状態で動作する場合における、半導体装置全体の短絡耐量を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書が開示する半導体装置２は、素子領域６０と、表面電極３６と、熱伝導部材４０と、保護膜３８とを備える。素子領域６０は、複数個のゲート電極２２を備える。表面電極３６は、素子領域６０の表面に形成されている。熱伝導部材４０は、表面電極３６の中心部の表面側に形成され、素子領域６０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有している。保護膜３８は、表面電極３６の表面側であって、中心部の周囲を取り囲む周辺部に形成されている。素子領域６０は、表面電極３６の中心部の裏面側に形成されるエミッタ中心領域７０では、表面電極３６の周辺部の裏面側に形成されるエミッタ周辺領域７２と比較して、オン状態となる時間が長い。 （もっと読む）

【課題】低温分散系機能性材料を用いて、微細空間内に空隙、隙間、または空洞のない機能部分を形成する方法を提供する。
【解決手段】熱溶解性を有する機能性微粉末５２を、液状分散媒５１中に分散させた分散系機能性材料５を、微細空間３内に充填する。次に、微細空間３内の液状分散媒５１を蒸発させる。次に、熱処理により機能性微粉末５２を熱溶解させた後、加圧しながら冷却する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成時スループットやコスト悪化を回避する。
【解決手段】シリコン基板１に、貫通電極用のホール２６を形成する。さらにホール２６
上を含んで絶縁膜２２，２３をエッチングして溝３５を形成する。この後、バリアメタル
層４１とシード層４２を積層させてから、ＣＭＰ法による研磨でホール２６の内壁及び溝
３５内のみにシード層４２を残す。シリコン基板１をめっき槽に浸漬させ、溝３５を介し
てホール２６内に電流を供給すると、ホール２６内と溝３５のみにＣｕ膜４７が成長する
。 （もっと読む）

【課題】貫通電極が絶縁膜で被覆されていようがいまいが、貫通電極と配線の接触面積を確保すること。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、第１の半導体チップ２００と、第１の半導体チップ２００上に積層された第２の半導体チップ３００と、第１の半導体チップ２００と第２の半導体チップ３００とを接続する貫通電極１２０と、を有している。貫通電極１２０は、第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４を有している。第１の貫通電極部１２２は、第２の半導体チップ３００において、第２の絶縁膜４２の上面から第２の配線３２の上部まで設けられている。第２の貫通電極部１２４は、第１の貫通電極部１２２の下面と繋がっており、かつ第２の配線３２と同一層から第２の半導体チップ３００の第１の配線３０上部まで設けられている。第１の貫通電極部１２２と第２の貫通電極部１２４の孔径は、平面視で、第１の貫通電極部１２２の孔径の方が大きい。 （もっと読む）

【課題】物理的な版を必要とせず、微細な導電パターンを形成でき、パターン変更に対して柔軟に対応できる配線の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、基板上に、エネルギー付与によって臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程と、前記濡れ性変化層に選択的にレーザ光を照射して、前記濡れ性変化層の臨界表面張力が高くなるように変化させた高表面エネルギー領域部を前記濡れ性変化層に形成する工程と、前記高表面エネルギー領域部に導電性インクを塗布し、前記高表面エネルギー領域部上に配線を形成する工程と、を有し、前記濡れ性変化層と前記高表面エネルギー領域部とには段差がなく、前記配線は前記高表面エネルギー領域部上に形成されていることを特徴とする配線の形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第１配線層と、第１配線層の間に設けられた第１配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第１配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第２配線層とを備えている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極に、加工性と機能性の双方を高めた絶縁リングを設ける。
【解決手段】ドライエッチングにより形成された絶縁リング用環状溝ＣＧａ，ＣＧｂには絶縁物質が充填され、単独絶縁リング６２ａ，６２ｂが形成されている。また、ドライエッチングにより形成されたＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの側壁は、絶縁膜で覆われ、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１ａ，６１ｂが形成されている。また、ＴＳＶ用貫通孔ＴＨａ，ＴＨｂの残りの部分には、シード／バリア層７１を介して、例えば銅のような誘電体が充填されており、それによりＴＳＶ７が形成されている。ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、絶縁リング用環状溝ＣＧの幅、言い換えれば、単独絶縁リング６２の厚さの約半分である。従って、ＴＳＶ側壁絶縁リング６１の厚さは、ＴＳＶ側壁絶縁リングを単独で設けた場合のその厚さの３分の１程度にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第１の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体装置の設計フローは、プラグＰＧに接続された配線Ｍ１を含むチップレイアウトを設計するステップと、設計されたチップレイアウトにおけるプラグＰＧに対する配線Ｍ１のマージンを、プラグＰＧに対する配線Ｍ１のリセス量に応じて修正するステップとを有している。この修正ステップは、テストウエハに試験用プラグとそれに３次元的に接続された試験用配線とを含むテストパターンを形成するサブステップと、試験用配線の配線幅および配線密度と試験用プラグに対する試験用配線のリセス量との相関を調べるサブステップを有している。更に、得られた相関に基づいてプラグＰＧに対する配線Ｍ１のリセス量を予測するサブステップと、予測されたリセス量に応じてプラグＰＧに対する配線Ｍ１のマージンを修正するサブステップを有している。 （もっと読む）

【課題】下層の銅配線と上層のアルミニウム配線とを接続するコンタクトプラグのコンタクト抵抗を均一化する。
【解決手段】銅配線８と、銅配線９上の層間絶縁膜１０と、層間絶縁膜１０上に形成されたアルミニウム配線１７と、銅配線９とアルミニウム配線１７とを電気的に接続するプラグ１３とを備える半導体装置であって、プラグ１３は銅とアルミニウムの合金からなり、銅配線９上のコンタクトホールにバリアメタルを設けずに第１のアルミニウム膜を充填し、熱処理して合金化し、未反応の第１のアルミニウム膜を除去した後、アルミニウム配線用の第２のアルミニウム膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、第２の基板上に、第２の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜の表面と第２の金属膜の表面とを対向させ、第１の金属膜と第２の金属膜とを接合する工程と、第１の基板を除去する工程とを有する。 （もっと読む）