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Fターム[5F033JJ17]の内容

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Fターム[5F033JJ17]に分類される特許

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【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第1導電層と、前記第1導電層の少なくとも一部に対向して、前記第1導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第1導電層に接するパッチ部を含む第2導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 (もっと読む)


【課題】配線層の膜応力を低減し、製造歩留まりを向上することが可能な半導体装置およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本技術の半導体装置は、一方向に延在する複数の第1配線層と、第1配線層の間に設けられた第1配線層よりも膜厚が薄いゲート電極と、第1配線層およびゲート電極上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上の前記ゲート電極に対応する位置にチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に設けられた層間膜と、層間膜上に形成されると共に、層間膜に設けられた貫通孔を介して半導体層と接続された第2配線層とを備えている。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】チップあたりの端子数の増大に伴って、フリップチップ実装が種々の形態で実施されている。しかし、バンプピッチの微細化およびバンプの鉛フリー化によって、エレクトロマイグレーション耐性の確保がますます重要となっている。
【解決手段】本願の発明は、フリップチップ型の半導体集積回路装置において、チップの第1の主面上に形成された多数のUBMパッド状の各々に設けられた半田バンプの中間部には、上下を分割する前記半田バンプとは異なる材質の金属隔壁が設けられているものである。 (もっと読む)


【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第1の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に良質のグラフェンを形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1の基板上に触媒金属膜を形成する工程と、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを形成する工程と、グラフェン上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、第2の基板上に、第2の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜の表面と第2の金属膜の表面とを対向させ、第1の金属膜と第2の金属膜とを接合する工程と、第1の基板を除去する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】微細なパターン、例えば、線幅が50μmよりも小さいパターンであっても高い精度でパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】微細なパターンのパターン形成方法であって、基板上に形成された、親疎水性変換機能を有する第1の膜において、パターンが形成されるパターン形成領域を親疎水性に変化させる工程と、パターン形成領域に第2の膜を形成し、第2の膜が乾燥してパターンを形成する工程とを有する。第2の膜は、厚さが0.1μmになったときの粘度が3mPa・s以下である。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】ダイシング工程におけるチッピング不良を低減させる。
【解決手段】一面側に複数の回路素子3が形成され、この回路素子が形成された領域間に第一スクライブライン領域R1が設けられたウエハ状の半導体基板2と、この半導体基板の他面2bから半導体基板の一面2aまで貫通する貫通孔7と、この貫通孔の内面及び半導体基板の他面側に形成された絶縁膜5と、この絶縁膜上に形成された配線6とを備えた半導体ウエハにおいて、半導体基板の他面側に形成された絶縁膜に、第一スクライブライン領域に沿って絶縁膜が離間した領域である第二スクライブライン領域R2が設けられている半導体ウエハを提供する。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、埋設導電部間のショートが起き難くすること。
【解決手段】半導体素子を有する素子領域と貫通電極が形成される貫通電極領域とを有する基板の上に第1絶縁膜を形成し、前記素子領域上の前記第1絶縁膜に凹部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜にダミー凹部を形成し、前記第1絶縁膜上、前記凹部内、および前記ダミー凹部内に第1導電材を形成し、前記第1導電材および前記第1絶縁膜の上部を研磨して、前記凹部内に導電部を形成すると共に前記ダミー凹部内にダミー導電部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜および前記貫通電極領域をエッチングして前記基板内に至る貫通電極ホールを形成した後、前記貫通電極ホール内に第2導電材を形成し、前記貫通電極ホール内に形成された第2導電材が露出するまで前記基板の裏面を研磨して、前記貫通電極を形成すること。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にCuを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Cuを含む導電層を、TFTのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Cuの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 (もっと読む)


【課題】電気的接続信頼性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ3は、第1主面30Aと第2主面30Bとの間を貫通する貫通孔30Xを有する半導体基板30と、半導体基板30の第2主面30Bを覆うように形成され、貫通孔30Xと対向する位置に開口部31Xが形成された絶縁層31と、絶縁膜33によって覆われた貫通孔30X及び開口部31Xに形成された貫通電極32とを有する。絶縁層31から露出される貫通電極32の上端面は、当該半導体チップ3に他の半導体チップ4が積層される際のパッドになる。また、貫通電極32の上端面は、絶縁層31の半導体基板30と接する面と反対側の面と面一になるように形成されている。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内に形成された導電層に加わる応力を抑制できるとともに、導電層からの効果的な放熱も促すことができる貫通配線基板、及びこの貫通配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板11(基板)の一方の面11aに配された電極層12と、電極層12の少なくとも一部が露呈するように半導体基板11内に開けられた貫通孔20と、貫通孔20の内側面20aを覆い、電極層12の少なくとも一部が露呈するように配された第一絶縁層15と、第一絶縁層15を介して、貫通孔20の内側面20a及び電極層12の露呈部を覆うように配され、電極層12と電気的に接続された導電層5と、導電層5を覆うように配された第二絶縁層16と、を少なくとも備えてなる貫通配線基板10であって、第二絶縁層16は、導電層5の表面形状に沿って形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】薄膜回路の下方に外部と接続するための電極を容易に形成できる薄膜回路部品の
構造及び薄膜回路部品の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路と、薄膜
回路上に形成された第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜上に形成された電極と、電極上に形成
された樹脂膜とを有する積層物を形成し、積層物の第1の絶縁膜の他方の面側に、電極と
重なるように導電膜を形成し、導電膜にレーザーを照射する。 (もっと読む)


【課題】貫通孔内に配した樹脂が熱膨張することによって電極を破損することを防止した貫通配線付き接合基板の提供。
【解決手段】
一面1aに電極層2が形成された第一基板1、及び電極層2と接合樹脂層3を介して、第一基板1と接合された第二基板4とを備えた貫通配線付き接合基板10Aであって、第一基板1の他面1b側から電極層2が露出するまで第一基板1を貫通する貫通孔5と、貫通孔5の内部において、貫通孔5の内側面5c及び電極層2を覆う貫通配線層6と、貫通配線層6を覆い貫通孔5の内部に充填された充填樹脂部7とを有し、充填樹脂部7を構成する樹脂のヤング率は、接合樹脂層3を構成する樹脂のヤング率よりも小さいことを特徴とする貫通配線付き接合基板10A。 (もっと読む)


【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、1または複数の第1開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第1開口部と対向して1または複数の第2開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第1開口部および第2開口部を順に通過することにより、第2開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第2開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 (もっと読む)


【課題】 絶縁膜に、底面及び側面の形状を良好に保って配線溝を形成する技術が望まれている。
【解決手段】 基板の上に、仮のパターンを形成する。仮のパターンを囲むように、基板の上に層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜を形成した後、仮のパターンを除去する。仮のパターンが除去されることによって現れた凹部の側面及び底面に、第1のバリア膜及びシード膜を形成する。シード膜の上に、配線材料を堆積させることにより、凹部を配線材料で埋め込む。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜、及び第2の絶縁膜を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】膜厚の厚い応力緩和層を有するウェハレベルCSPと称される半導体装置において、第1電極と外部電極との接続不良が発生しにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】(1)応力緩和層を半導体ウェハの上に形成する工程、(2)応力緩和層の一部を除去した開口部を形成し、半導体ウェハ上の第1電極を露出する工程、(3)第1電極と接続し、開口部を充填するポスト部を形成する工程、(4)外部電極とポスト部を接続するための再配線層を応力緩和層の上に形成する工程、(5)再配線層の上に再配線保護層を形成する工程、(6)再配線保護層の一部を除去して、外部電極を形成するための第2電極を露出する工程、(7)第2電極上に外部電極を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


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