【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第１のゲート電極層と、第１のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第２のゲート電極層と、第２のゲート電極層上の、側端部を第２のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグに接続される配線間隔の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に第１の領域と第２の領域とを定義し、第１の領域に第１のサイズを持つ第１の素子を形成し、第２の領域に、第１のサイズとは異なる第２のサイズを持つ第２の素子を形成し、第１の素子及び第２の素子を覆うように半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、第１の領域上の第１の層間絶縁膜を貫通し第１の素子の一部を露出させる第１のコンタクトホールを形成し、第２の領域上の第１の層間絶縁膜を貫通し第２の素子の一部を露出させる第２のコンタクトホールを形成し、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールをそれぞれ埋める第１のコンタクトプラグ及び第２のコンタクトプラグを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜１０に第１のコンタクトホール（破線部）を形成する工程と、第１のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第２のコンタクトホール１３を形成する工程と、第２のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】配線を形成したときに電極と配線との密着性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の面と、第１の面と反対の第２の面とを有する炭化珪素半導体層１１０が準備される。炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う金属層と、炭化珪素半導体層１１０の第２の面を部分的に覆う熱酸化膜１３０とが形成される。金属層を熱処理することにより電極１５０が形成される。金属層を形成する工程は、金属層を熱処理する温度において炭素よりもシリコンとの反応性が高い材料を用いて行われる。電極１５０を形成する工程において電極１５０の表面上に炭素が偏析する。電極１５０の表面および熱酸化膜１３０の表面の両方において、炭素を除去可能なエッチングが行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極７の少なくとも上層は、第２金属シリサイド膜としてのＷＳｉｘ膜７２からなり、第１金属シリサイド膜としてのＮｉＳｉ₂膜１８に含まれる第１金属（Ｎｉ）とシリコンとの結合エネルギーが、ＷＳｉｘ膜７２に含まれる第２金属（Ｗ）とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、ＷＳｉｘ膜７２の組成ＭＳｉｘ（Ｍは第２金属を示す）において、ｘが１．５以上２．０未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】通電領域表面の周辺の強電界の影響がナノワイヤに及び難くして、ホットキャリアの生成やオフリーク電流を低減する。半導体装置を高性能化する。
【解決手段】基板の表面よりも深い位置に配置され互いに対向する２つの側壁を有する導電膜と、導電膜の２つの側壁の側方に形成され互いに同じ導電型の半導体領域である第１及び第２の通電領域と、導電膜を貫通して２つの半導体領域どうしを接続し第１及び第２の通電領域の導電型とは逆導電型の半導体領域であるナノワイヤと、導電膜と前記ナノワイヤとの境界部に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】埋込ワード線の高さにばらつきのない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、複数の素子分離領域を形成すると共に、素子分離領域間に素子形成領域を形成する工程と、素子形成領域に交差する第１の方向に延在するゲート電極溝を形成する工程と、ゲート電極溝の内壁にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート電極溝の内壁にゲート絶縁膜を介して第1導電膜を形成する工程と、ゲート電極溝内を埋め込むように第２導電膜を形成する工程と、第２導電膜上に平坦化膜を形成する工程と、第２導電膜が露出するように平坦化膜をエッチングして除去する第1のエッチング工程と、第２導電膜がゲート電極溝の下部に残留するように第２導電膜をエッチングする第２のエッチング工程と、第1導電膜が前記ゲート電極溝の下部に残留するように第1導電膜をエッチングする第３のエッチング工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 （もっと読む）

【課題】携帯電話などに使用されるハイパワーアンプの出力段は、多数のＬＤＭＯＳＦＥＴセルを集積し、通常、複数のＬＤＭＯＳＦＥＴを構成するＬＤＭＯＳＦＥＴ部を有する。このＬＤＭＯＳＦＥＴセルにおいては、裏面のソース電極と表面のソース領域との間の抵抗を低減するために、半導体基板に高濃度にボロンドープされたポリシリコンプラグが埋め込まれている。本願発明者らが、このポリシリコンプラグについて、検討したところによって、熱処理に起因してポリシリコンプラグの固相エピタキシャル成長により、ポリシリコンプラグが収縮し、それによってシリコン基板に歪が発生し、リーク不良等の原因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置において、半導体基板に埋め込まれたシリコン系導電プラグのボロン濃度が、固溶限界内に於いて、８．１ｘ１０^２０ａｔｏｍ/ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を生産性良く形成できる貫通電極の構造を提供する。
【解決手段】配線基板１は、第１面２ａと第１面２ａと対向する第２面２ｂとを貫通して開口するビアホール２ｃを有する基板２と、ビアホール２ｃの面に設置され基板２と同じ材質のシード膜５と、基板２の第１面２ａに設置され熱酸化膜を含む第１絶縁膜３とシード膜５を囲む場所とに設置され熱酸化膜を含む第３絶縁膜６と、ビアホール２ｃ内でシード膜５に囲まれた導電体７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、コンタクトプラグの抵抗の低減を行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板にコンタクトホール又はコンタクトトレンチを形成し、コンタクトホール又はコンタクトトレンチの底に、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を形成し、アモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層を覆うように不純物を含むニッケル膜を形成し、加熱することによりニッケル膜とアモルファスシリコン層又は多結晶シリコン層とを反応させて、ニッケルシリサイド膜を形成し、コンタクトホール又はコンタクトトレンチを埋め込むようにコンタクト金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記Ｃｕ合金層は、基板側から順に、合金成分としてＭｎと、Ｘ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、ＳｎおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種）を含有する第一層と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大を抑制し、コンタクト抵抗および界面抵抗の増大を防止する。
【解決手段】実施形態において、シリコン層は、ゲートラストスキームを用いた機能的ゲート電極の製造後に、形成される。初期的な半導体構造物は、半導体基板上に形成された少なくとも一つの不純物領域、不純物領域の上に形成された犠牲膜、犠牲膜の上に形成された絶縁層、絶縁層の上に形成された絶縁層を備える。ビアは、初期の半導体構造物の絶縁層へ、および、コンタクト開口部が絶縁層に形成されるように絶縁層の厚さを通り抜けて、パターン化される。次に、絶縁層の下にある犠牲膜は、絶縁層の下に空隙を残して除去される。次に、金属シリサイド前駆体は、空隙スペースに配置され、金属シリサイド前駆体は、アニールプロセスを通じてシリサイド層に変換される。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉシリサイドを用いてＳｉＣ上で信頼性の高い低抵抗の電極を低コストで得る。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ層１１上にＮｉ層１２が形成される（図１（ａ））。熱処理を行うことによってＮｉ層１２のＮｉとｎ型ＳｉＣ層１１のＳｉとを反応させ、Ｎｉシリサイド層１３を形成させる（図１（ｂ））。この状態で酸化雰囲気中で熱処理を行う（図１（ｄ））。還元雰囲気中で例えば３００〜４００℃で熱処理を行う（図１（ｆ）：還元処理工程）。これにより、酸化層１５は還元され、Ｎｉ等で構成された還元層１６となる。この還元層１６は、ウェットエッチングで除去することができる（図１（ｇ）：エッチング工程）。その後、Ｎｉシリサイド層１３の上に配線層となるＴｉ／Ａｌ層３０を形成する（図１（ｈ））。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンプラグと上層の導体プラグとの界面に十分な膜厚の金属シリサイド層を形成してコンタクト抵抗の低減を図る。
【解決手段】多結晶シリコンプラグを形成した後、多結晶シリコンプラグの表面からゲルマニウムイオン注入を実施してゲルマニウム含有多結晶シリコン１６Ｇとし、その後、シリサイド化可能な金属膜を成膜して金属シリサイド層１９を形成し、金属シリサイド１９上に導体膜（バリア膜２０、Ｗ膜２１）を形成する。 （もっと読む）

【課題】テーパー部を有する溝を備えた半導体装置を容易に形成する。溝内に空洞が形成されるのを防止すると共に、製造歩留まりの低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の面を有する材料層と、材料層内に設けられ、第１の面に開口部を有する溝を備える。溝は、開口部に接し１以上のスキャロップ形成溝を有するテーパー部と、おおむね垂直な側壁を有する垂直部を有する。スキャロップ形成溝の幅は、垂直部の溝幅よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、シリコンを含む半導体基板１０上の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２の底部１４に形成され、コンタクトホール１２に形成されるコンタクトプラグ２１と電気的に接続するニッケルシリサイド膜１８を有する。このニッケルシリサイド膜１８は、ニッケルシリサイド膜１８とコンタクトプラグ２１の界面１８ａが半導体基板１０と層間絶縁膜１１の界面１０ａより高い。 （もっと読む）