【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板が接合された半導体基板の第１の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第２の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２の全面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上にＰＶＤによりＣｕがマイグレーションする条件でトレンチ２０３内に第１のＣｕ膜２０６を形成する工程と、第１のＣｕ膜２０６の上に、第１のＣｕ膜２０６よりも大きな成膜速度でＰＶＤにより第２のＣｕ膜２０７を形成する工程と、ＣＭＰにより全面を研磨する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記Ｃｕ合金層は、基板側から順に、合金成分としてＭｎと、Ｘ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、ＳｎおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種）を含有する第一層と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体領域に酸化物半導体を用いた、高耐圧で、大電流の制御が可能であり、かつ量産性に優れた半導体素子を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、該半導体素子の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体領域に酸化物半導体を用いたトランジスタと、トランジスタのゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層の各々と電気的に接続した貫通電極を備えた半導体チップを積層し、トランジスタを電気的に並列接続することによって、実質的にＷ長の長い半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】 集積回路における酸化表面層の洗浄を行うための新しいドライクリーニングプロセスの提供。
【解決手段】 一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。当該方法は、非プラズマ励起された水素気体を含む第2処理気体へ前記の活性化した酸化表面層を曝露する工程をさらに有する。前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程は、前記酸化表面層を活性化させるのに加えて、水素気体を含む前記第2処理気体による、前記活性化した酸化表面層の還元を助ける。前記金属含有バリア層の厚さは、ハイブリッドその場ドライクリーニングプロセスによって実質的には変化しない。 （もっと読む）

【課題】グラフェンのバリスティック伝導性を利用した低抵抗配線を備え、配線と配線接続部材の接続部分の構成の複雑化を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、埋込導体構造の密着性とＣｕ拡散防止能を両立する。
【解決手段】 半導体基板上に設けた絶縁膜に設けた埋込導体用の凹部内に埋め込まれたＣｕまたはＣｕを最大成分とする合金からなるＣｕ系埋込導体層と、前記凹部に露出する前記絶縁膜との間にＣｏを最大成分とするとともに、少なくともＭｎ、Ｏ及びＣを含むＣｏＭｎ系合金層を設ける。 （もっと読む）

【課題】自己整合的にバリア膜を形成する配線構造の信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体基板の上に酸素及び炭素を含む層間絶縁膜１１を形成し、該層間絶縁膜１１に溝部１３を形成し、溝部１３の底面上及び側壁上に所定の第１の金属元素及び第２の金属元素を含む補助膜１４を形成し、熱処理を行い、銅を主成分とする配線本体層１９を、溝部１３の内部を埋め込むように形成する。熱処理を行うことにより、補助膜１４中の第１の金属元素を補助膜１４と対向する層間絶縁膜１１に拡散させ、溝部１３の底面及び側壁における層間絶縁膜１１の上において、第１の金属元素と層間絶縁膜１１の酸素元素との化合物を主成分とする第１のバリア膜１５を形成させた後、補助膜１４中の第２の金属元素が補助膜１４と対向する層間絶縁膜１１に拡散させ、第２の金属元素と層間絶縁膜１１の炭素元素との化合物を主成分とする第２のバリア膜１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの被覆性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、キャップ絶縁膜１ｄ上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝と、配線溝の底面に形成されたビア孔と、少なくともビア孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、を有する。ビア孔は、径が異なる複数の孔から構成されており、複数の孔は、下に向けて径が小さくなるように深さ方向に接続し、複数の孔の接続部にキャップ絶縁膜に対してほぼ平行な面を有する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 （もっと読む）

【課題】 横方向（基板表面に平行な方向）にカーボンナノチューブを成長させるためには、側壁に平坦かつ微小な表面を持つ触媒膜を形成する必要がある。ところが、このような触媒膜を形成することは困難である。
【解決手段】 基板表面の相互に離隔した２つの縦配線領域に、第１の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、１つの縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、第１の厚さよりも厚い第２の厚さの横配線用触媒膜を形成する。縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる。気相成長の初期段階には、縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、縦配線領域の前記グラファイトと基板との間にカーボンナノチューブが成長し、横配線領域の前記グラファイトが、縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように第１の厚さ及び第２の厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】炭素元素からなる線状構造体を有する接続部の更なる低抵抗化を実現して、更なる接続部の微細化を可能とする。
【解決手段】ビア孔２８ａ内を充填し、配線溝３２ａの内壁面を覆うように、例えば超臨界ＣＶＤ法により、ビア孔２８ａ内におけるＣＮＴ２８ｄ間の空隙及びＣＮＴ２８ｄの中空内を導電材料３４で埋め込み、ビアプラグ３３と、ビアプラグ３３上で配線溝３２ａの内壁面を覆う下地膜３２ｂとを同時形成する。 （もっと読む）

ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NH_x（x≦3）ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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【課題】基板に発生する応力を低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体素子が形成される素子領域を有する基板と、素子領域の隣接部分の基板に形成されるビアホールと、ビアホール内に絶縁層を介して設けられる導通部と、基板と絶縁層との間に設けられる緩衝層とを備え、緩衝層は、基板の熱膨張係数と緩衝層の熱膨張係数との差が、基板の熱膨張係数と絶縁層の熱膨張係数との差より小さい材料から形成される。 （もっと読む）