Fターム[5F033JJ40]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続のコンタクト層の材料 (22,060) | 超伝導材料 (3)
Fターム[5F033JJ40]に分類される特許
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パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器
【課題】隔壁により区画領域を設けて液滴吐出法により液滴を配置する際に、液滴吐出しない細線部にコンタクトホールなどの孔や段差があるとその部分に機能液がぬれ広がらない。
【解決手段】液滴吐出のために設けられる幅広部とコンタクトホールなどの孔や段差がある部分を一致させて、コンタクトホールの場合には上下導通の信頼性を向上させる。
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半導体基板状に形成されるインダクタンス素子
【課題】半導体基板上に形成されるインダクタンス素子の特性損失を少なくする。
【解決手段】インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。この絶縁領域は、通常の集積回路素子領域上に形成される配線用の薄い絶縁膜より大きな膜厚を有する。かかる構成にすることにより、帯状導電膜内に発生する渦電流の経路をなくし、渦電流を抑制して特性損失を抑えることができる。
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膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器
【課題】 分断されたパターン形成領域にキャップ層を有した膜パターンを形成する際に、その形成工程を簡略化することにより、膜パターンの生産性を向上した、膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板P上に、第1のパターン形成領域52,53と、交差部56で分断される第2のパターン形成領域55とを備えるパターン形成領域を区画するバンク51を形成する。そして、第1のパターン形成領域52,53に第1の膜パターンを、第2のパターン形成領域に第2の膜パターンを形成した後、基板の全面に撥液処理を施す。その後、第2の膜パターンの各所定の位置の撥液性を選択的に保持させたまま、基板上の撥液性を低下させる。第1の膜パターン、及び第2の膜パターン上にキャップ層を積層し、第2の膜パターンの各所定の位置における撥液性を除去し、各所定の位置間に導電膜により接続する。
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