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Fターム[5F033KK04]の内容

Fターム[5F033KK04]に分類される特許

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【課題】金属配線パターンの寄生抵抗を低減可能なダミーパターンの設計方法を提供する。
【解決手段】切り欠きパターン2を一及び逆方向に各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形4を生成した後、各所定値Δx1だけ拡大してダミーパターン5を生成し、その外形を抽出して矩形図形6を生成した後、各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形7を生成し、ダミーパターン5から縮小図形7を論理減算して切り欠き図形8及び矩形図形9を生成し、切り欠き図形8を抽出してダミーパターン5から論理減算して矩形図形10を生成した後、各所定値Δx1だけ縮小して縮小図形11を生成し、矩形図形10から縮小図形11を論理減算して第1,第2のビア配置領域12,13を生成し、各ビア配置領域12,13にビア14をそれぞれ配置する。 (もっと読む)


【課題】シュリンク技術を利用して、コンタクトホールとして利用できる複数の凹部を1回のレジストマスク工程で異なる深さ寸法に形成することのできるコンタクトホールの形成方法、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10上にコンタクトホールを形成するにあたって、まず、第1開口部17aおよび第2開口部17bを備えたレジストマスク17を層間絶縁膜42の表面に形成した後、第1開口部17aおよび第2開口部17bから層間絶縁膜42および絶縁膜49をエッチングする。その後、シュリンク工程において、レジストマスク17を変形させて第2開口部17bを塞ぐ一方、第1開口部17aの開口面積を狭める。次に、第1開口部17aから層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ(例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ)と周辺回路(例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路)の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】コンタクトプラグに接続される配線間隔の縮小を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板に第1の領域と第2の領域とを定義し、第1の領域に第1のサイズを持つ第1の素子を形成し、第2の領域に、第1のサイズとは異なる第2のサイズを持つ第2の素子を形成し、第1の素子及び第2の素子を覆うように半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成し、第1の領域上の第1の層間絶縁膜を貫通し第1の素子の一部を露出させる第1のコンタクトホールを形成し、第2の領域上の第1の層間絶縁膜を貫通し第2の素子の一部を露出させる第2のコンタクトホールを形成し、第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールをそれぞれ埋める第1のコンタクトプラグ及び第2のコンタクトプラグを同時に形成する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング時のストレスでボンディングパッド下の絶縁層のダメージを電気的に検出できる半導体装置および導入されたダメージを検出して良品、不良品を判定できる半導体装置の試験方法を提供すること。
【解決手段】酸化膜4上にポリシリコン5を配置し、このポリシリコン5にpnダイオード9を形成し、nカソード層6上に層間絶縁膜10を挟んで第1ボンディングパッド11を配置する。また、pアノード層7上に第2ボンディングパッド12を配設することで、層間絶縁膜10に導入されるダメージが層間絶縁膜10を貫通するか否かを電気的に検出できる半導体装置(パワーICなど)とすることができる。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールの側壁に制御性良く傾斜を形成することで、コンタクトプラグにボイドが形成されることを抑制する。
【解決手段】絶縁膜10に第1のコンタクトホール(破線部)を形成する工程と、第1のコンタクトホールの内壁を構成する絶縁膜の上方ほどエッチング量が多くなるケミカルドライエッチングを施して内壁が傾斜した第2のコンタクトホール13を形成する工程と、第2のコンタクトホール内にコンタクトプラグを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】隣接するSOI領域とバルクシリコン領域とが短絡することを防止する。
【解決手段】一つの活性領域内にSOI領域およびバルクシリコン領域が隣接する半導体装置において、それぞれの領域の境界にダミーゲート電極8を形成することにより、BOX膜4上のSOI膜5の端部のひさし状の部分の下部の窪みにポリシリコン膜などの残渣が残ることを防ぐ。また、前記ダミーゲート電極8を形成することにより、それぞれの領域に形成されたシリサイド層14同士が接触することを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第1トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第1コンタクトを備える。基板1上には、層間絶縁層4、5が設けられている。第1トランジスタ3aは、半導体基板1に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第1トランジスタは、少なくともゲート電極32及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子19は、多層配線層内に設けられている。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、ゲート電極32の上面と接しており、層間絶縁層4内に埋設されている。第1コンタクト10aは、第1トランジスタ3aの拡散層に接続しており、層間絶縁層4内に埋設される。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、第1コンタクト10aと同じ材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】高信頼性のBSV方式のTSVを実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、表面及び裏面を有し、表面側にLSIが形成される半導体基板11と、表面側において半導体基板11内に形成され、開口部を有する絶縁層12と、表面側において開口部上に形成され、LSIに接続される導電層13と、裏面側から開口部を介して導電層13に接続されるビア17とを備える。ビア17のサイズは、裏面から半導体基板11と絶縁層12の界面までの範囲内において開口部のサイズよりも大きく、開口部内において開口部のサイズに等しい。 (もっと読む)


【課題】多層配線プロセスでSOGエッチバックにて平坦化を行なうプロセスにて、ヒューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒューズ開口部からの水分侵入を防ぐためのメタル1層目のガードリングの下部まで多結晶シリコンが伸びているヒューズ形状にする。これによりヒューズの電極をとるためのメタル配線とガードリングのメタル配線の高さがそろい、SOG層がIC内部に到達することを防ぐことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】 貫通ビアを用い積層した半導体装置においては、信号を伝送する貫通ビアがオープンやショートした場合に、その貫通ビアを回避して積層チップ全体を正常動作させるために、複雑な回路を構成が必要であった。
【解決手段】 信号を伝送する貫通ビアにおいて、ビアの内壁を構成するシリコンに高い不純物の領域を形成して貫通導体とシリコン基板が接触したときに基板に接続されているVSSなどの基準電位に誘導する。故障モードを固定できるため、冗長化/復号化回路が簡単になるうえ、必要な冗長貫通ビアの本数を削減することができる。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、配線構造全体の電気抵抗(配線抵抗)も低く抑えられており、更にフッ酸耐性にも優れた表示装置用配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用配線構造は、基板側から順に、Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含むAl合金の第1層と;Ti、Mo、Al、Ta、Nb、Re、Zr、W、V、Hf、およびCrよりなる群(Y群)から選択される少なくとも一種の元素の窒化物、またはAl合金の窒化物の第2層と、が積層された表層構造を有する。 (もっと読む)


【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース/ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース/ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース/ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース/ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 (もっと読む)


【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線4の下方には凸領域となるTEOS膜14の下敷きがあり、ヒューズ配線4はTEOS膜14を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線4の上方にはTEOS膜14よりも小さい領域のヒューズ開口部13が設けられる。さらに、TEOS膜14の無い領域にてヒューズ配線14の両端に設けられたヒューズ端子15には第1金属配線7が電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】抵抗体とヒューズ素子が並列に接続された半導体装置において、ヒューズ素子切断時に抵抗体への損傷がなく、抵抗体とヒューズ素子とを積層すること。
【解決手段】半導体基板上に第1の絶縁膜を介して形成された抵抗体を設け、抵抗体の上に第2の絶縁膜を介して形成された遮光層を設け、遮光層の上に第3の絶縁膜を介して形成されたヒューズ素子のヒューズ部を有し、抵抗体と遮光層とヒューズ部を重畳した半導体装置とする。 (もっと読む)


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