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Fターム[5F033KK08]の内容

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Al合金 (660)

Fターム[5F033KK08]に分類される特許

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】配線密度を高くしすぎることなく断線を修復することが可能であり、フレキシブル性を持たせる場合に短絡や断線などを抑えることが可能な薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】第1導電層と、前記第1導電層の少なくとも一部に対向して、前記第1導電層に合わせた平面形状の開口を有する絶縁膜と、前記開口を塞ぐと共に前記開口内で前記第1導電層に接するパッチ部を含む第2導電層とを備えた薄膜トランジスタアレイ。 (もっと読む)


【課題】本発明は、貫通電極のサイズ(直径)が縮小化された場合でも、4端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板101及び回路素子層102を有する半導体チップ本体55と、半導体チップ本体55を貫通する第1乃至第4の貫通電極61〜64と、回路素子層102に設けられた回路素子を介することなく、第1の貫通電極61と第2の貫通電極62とを電気的に接続する第1の導電経路96と、回路素子を介することなく、第1の貫通電極61と第3の貫通電極63とを電気的に接続する第2の導電経路97と、回路素子を介することなく、第2の貫通電極62と第4の貫通電極64とを電気的に接続する第3の導電経路98と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アライメントマークに集中する応力の方向依存性を低減して、クラックを発生しにくくする。
【解決手段】基板の第1の主面に、環状の第1の溝及びドット形状の第2の溝を形成する。第1及び第2の溝を埋め込むように絶縁膜を形成した後、基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する。絶縁膜で埋め込まれた第2の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、フォトレジスト膜に転写する。絶縁膜で埋め込まれた環状の第1の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】チップあたりの端子数の増大に伴って、フリップチップ実装が種々の形態で実施されている。しかし、バンプピッチの微細化およびバンプの鉛フリー化によって、エレクトロマイグレーション耐性の確保がますます重要となっている。
【解決手段】本願の発明は、フリップチップ型の半導体集積回路装置において、チップの第1の主面上に形成された多数のUBMパッド状の各々に設けられた半田バンプの中間部には、上下を分割する前記半田バンプとは異なる材質の金属隔壁が設けられているものである。 (もっと読む)


【課題】工程数を増加させることなく、エアギャップを有する半導体装置の機械的強度を向上する。
【解決手段】半導体装置に必要な導電材料、例えばビアアレイの外郭のビアを接続して環状ビア1Rとして絶縁膜2を囲み、エアギャップ形成時に導電材料に囲まれた絶縁膜2は残り非エアギャップ領域4となり、その他の部分は絶縁膜2が除去されてエアギャップ領域3となる。 (もっと読む)


【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ(例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ)と周辺回路(例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路)の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制する。
【解決手段】半導体装置1は、高周波配線、およびダミー導体パターン20(第2のダミー導体パターン)を備えている。ダミー導体パターン20は、高周波配線と相異なる層中に形成されている。ダミー導体パターン20は、平面視で、高周波配線と重なる領域を避けるように配置されている。これにより、高周波配線と相異なる層に設けられたダミー導体パターンに発生する渦電流を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上における絶縁膜の膜浮きの発生を抑え、且つ、透明導電膜と金属膜との良好な電気的接続性を得ることができる配線構造を提供する。
【解決手段】それぞれ配線として機能する第1の導電膜2と第2の導電膜5と接続する配線変換部45において、第2の導電膜5の内側には刳り抜き部13が形成される。第2の導電膜5の上に設けられる第2の導電膜5は、第2の導電膜5の上面および刳り抜き部13に露出した端面を覆い、且つ、第2の導電膜5の外周の端面を覆わないように形成される。第1の透明導電膜6の上層の第2の透明導電膜7が、第2の導電膜5と第1の導電膜2とに接続することにより、第1の導電膜2と第2の導電膜5とが電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】空洞部の破壊を防ぐと共に、基板間の接続の信頼性を向上できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器を提供する。
【解決手段】第1の基板は、第1の面と第2の面とを有する第1の基材と、第1の基材の第1の面側に設けられた犠牲層と、第1の基材の第1の面と第2の面との間を貫通する貫通電極と、貫通電極と第1の基材との間に設けられた絶縁膜と、を有する。第2の基板は、第3の面を有する第2の基材と、第2の基材の第3の面側に設けられたバンプと、第2の基材の第3の面側に設けられ、バンプを囲む環状導電部と、を有する。第2の面と第3の面とを対向させた状態で、貫通電極とバンプとを接続すると共に、第1の基板の周縁部を環状導電部に埋入させる実装工程と、実装工程の後で、犠牲層をエッチングして第1の基材の第1の面側に空洞部を形成するエッチング工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】アライメントマーク終端部への応力集中により基板にクラックが発生することを軽減する。
【解決手段】基板の第1の主面に、第1の主面に対向して見た場合に、環状の第1の溝及び終端部を有さない形状の第2の溝を形成する。第1及び第2の溝を埋め込むように絶縁膜を形成した後、基板の第1の主面にフォトレジスト膜を形成する。絶縁膜で埋め込まれた第2の溝の基板上での位置を基準として位置合わせした第1のパターンを、フォトレジスト膜に転写する。絶縁膜で埋め込まれた環状の第1の溝の内側に位置する基板に、基板を厚さ方向に貫通する貫通電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 (もっと読む)


【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第1トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第1コンタクトを備える。基板1上には、層間絶縁層4、5が設けられている。第1トランジスタ3aは、半導体基板1に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第1トランジスタは、少なくともゲート電極32及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子19は、多層配線層内に設けられている。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、ゲート電極32の上面と接しており、層間絶縁層4内に埋設されている。第1コンタクト10aは、第1トランジスタ3aの拡散層に接続しており、層間絶縁層4内に埋設される。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、第1コンタクト10aと同じ材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板60に形成された薄膜トランジスタ200であって、周面の一部又は全部が導電性材料20により覆われたワイヤー10と、前記導電性材料を覆う絶縁膜30と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体40と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部50を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第1及び第2の電極70、80が接続されて形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】外部からの不純物等に対する耐性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】GaAs基板1上に下層配線2が設けられている。GaAs基板1及び下層配線2上に樹脂膜4が設けられている。樹脂膜4は、下層配線2上に開口5を有する。下層配線2及び樹脂膜4上にSiN膜6が設けられている。SiN膜6は、開口5内に開口7を有する。下層配線2及び樹脂膜4の一部上に上層配線8が設けられている。上層配線8は、開口5,7を介して下層配線2に接続されたTi膜8aと、Ti膜8a上に設けられたAu膜8bとを有する。上層配線8及び樹脂膜4上にSiN膜9が設けられている。SiN膜9は、樹脂膜4上においてSiN膜6に付着している。SiN膜6,9はTi膜8aの周囲を保護する。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生を抑制できるとともに、SOG膜の剥離を抑えることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板3上に、SOG膜を含む層間絶縁膜10が形成されており、この層間絶縁膜10を介して、配線層12a〜12dが半導体素子と電気的に接続されている。さらに、一方面側がボンディング接続されるパッド部12d(第4配線層12d)と、層間絶縁膜10に配置されると共に配線層12a〜12cを接続するビアホール15a〜15cと、ビアホール15a〜15c内に埋め込まれる導電層16a、16bとを有している。そして、ビアホール15a〜15cは、パッド部12dよりも下方に設けられており、導電層16a、16bの少なくとも一部は、内部に空洞部17を有している。 (もっと読む)


【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。TFTの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 (もっと読む)


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