【課題】半導体基板の貫通配線部において、貫通孔底部での絶縁層の被覆性が向上され、電気的絶縁性の低下や接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔３を有する半導体基板２の表面に、該貫通孔３と同径の開口４ａを有する第１の絶縁層４が被覆され、その上に第１の配線層５が開口４ａを覆い形成されている。また、貫通孔３内および半導体基板２の裏面に第２の絶縁層６が被覆されている。第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の開口６ａを有している。さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 （もっと読む）

【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第１の層と第２の層とを有した多層構造のうちの前記第１の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも２つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第１の層にエンボス処理を施す工程（ａ）と、前記深い部分の底部で、前記第２の層の下地表面が露出するように、前記第１の層を介して前記第２の層をエッチングする工程（ｂ）と、前記浅い部分の底部で前記第２の層の表面が露出するように、前記第１の層をエッチングする工程（ｃ）と、を包含している。 （もっと読む）

【課題】集積回路部上にアンテナを作り込んで設ける場合であっても、接続不良やコンタクト抵抗の増加を抑制することを課題とする。
【解決手段】基板上に第１の導電膜を有する集積回路部を形成し、集積回路部上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上にアンテナとして機能する第２の導電膜を選択的に形成し、絶縁膜及び第２の導電膜に開口部を形成して第１の導電膜を露出させ、メッキ処理により開口部及び第２の導電膜の上面に第３の導電膜を形成することにより、第１の導電膜及び第２の導電膜とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、下部導電体と上部導電体間の拡散を防止する、拡散バリアフィルムの形成方法を提供する。
【解決手段】下部導電体１０２を含む基板１００上に層間絶縁膜１０４を形成する。これに形成された開口部１０６に補助拡散バリア膜１０８を形成する。この上に拡散バリアフィルム１２０を形成する。この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。この結果、プラズマ処理された層とプラズマ処理されない層の積層膜となる。これにより、拡散バリアフィルムの比抵抗を減少させると共に、優れたバリア特性を有することができる。さらにこの上に粘着金属層１２２、第１アルミニウム膜１３０、第２アルミニウム膜１３２を形成する。これらの膜をパターンニングして上部導電体とプラグとする。 （もっと読む）

【課題】高い段差の上方から下方に掛けて段切れすることなく良好にパターン形成された導電性パターンを備えたことにより歩留まりの向上が図られた半導体装置および電子機器、さらには半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に達する第１開口部１１ａを備えて基板１０上に形成された第１絶縁膜１１と、第１開口部１１ａ内において基板１０に達する第２開口部１３ａを備えて第1絶縁膜１１上を覆う第２絶縁膜１３と、第２開口部１３ａを介して基板１０に接する状態で第２絶縁膜１３上に設けられた導電性パターン１５とを備えた。第２絶縁膜１３は、第１開口部１１ａの上方肩部をラウンド形状に覆う。 （もっと読む）

【課題】金属からなる層間配線を容易に形成できる三次元半導体デバイスの製造方法、基板生産物の製造方法、基板生産物、及び三次元半導体デバイスを提供する。
【解決手段】この製造方法は、シリコン基板８０の表面８０ａに有底の穴８２を形成する穴形成工程と、犠牲材料８５により穴８２を埋め込む埋込工程と、集積回路層９０をシリコン基板８０の表面８０ａに形成する集積回路形成工程と、シリコン基板８０の裏面８０ｂよりシリコン基板８０を薄化することにより、穴８２を貫通させると共にシリコン基板８０の裏面８０ｂから犠牲材料８５の一部を露出させる薄化工程と、犠牲材料８５を除去して金属材料を埋め込むことにより層間配線を形成する配線形成工程と、シリコン基板８０を他の基板上に積み重ね、集積回路層９０の回路と他の基板上の回路とを層間配線を介して電気的に接続する積層工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】貫通電極に空洞部が形成されることを防止する。
【解決手段】第１半導体基板１の表面および貫通孔２の内壁面を保護膜３で覆った状態で導体にて構成されたパッド８の表面に導体膜１１を結晶成長させる。この導体膜１１にて、貫通電極４を形成する。このように、パッド８の表面に主に結晶成長させ、保護膜３には結晶成長がほとんど起こらない選択成長によって貫通電極４を形成しているため、空洞の無い、良好な貫通電極４とすることができる。このため、断線・配線抵抗の増加を防止できると共に、ＥＭ耐性の低下等も防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】接地インダクタンスを低減化した半導体装置およびその製造方法。
【解決手段】半絶縁性基板１１の第１表面に配置され,複数のフィンガーを有するゲート電極、ソース電極およびドレイン電極と、第１表面と反対側の第２表面に配置された接地導体２６と、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極１４、ソース端子電極１８およびドレイン端子電極１２と、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極の下部の半絶縁性基板１１上に形成された動作層と、動作層近傍の小口径ＶＩＡホール３０と接地導体２６近傍の大口径ＶＩＡホール２０とからなる多段ＶＩＡホールと、多段ＶＩＡホールの内壁面および第２表面に形成され、ソース端子電極１８に対して第２表面側から接続された接地電極２３とを備える半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザピーニング技術を利用して基材の表面に金属の回路パターンを効率良く形成する。
【解決手段】 短パルス高ピーク出力レーザを集光系で集光し、レーザ干渉層及びレーザ吸収層に順に通過させ、プラズマ衝撃波で基材表面をレーザピーニング処理するに際して、基材上に銅、錫、ニッケル、アルミニウム等の特定金属で回路パターン形成した転写層を臨ませ、転写層とレーザ吸収層の間に所定硬度の金属製ピーニング強化層を臨ませ、ピーニング強化層で発生した高温高圧のプラズマで転写層を基材にレーザピーニング処理することで、基材表面に金属皮膜の回路パターンを形成する。転写層を回路パターン形成する替わりに、転写層を全面的な金属層にして、レーザ吸収層を回路パターン形成するか、集光系とレーザ干渉層にパターン化した金属マスクを介在させても回路形成できる。 （もっと読む）

【課題】貫通孔の内側面に配線として機能する導電層を配し、その上を覆うように樹脂からなる絶縁層を設けてなる構成を備え、貫通孔の内側面に影響する応力を小さく抑えることが可能な、貫通配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の貫通配線基板１０は、一方の面１１ａから他方の面１１ｂに向かう貫通孔αを備えた半導体からなる基板１１、前記基板の一方の面を覆う第一絶縁層１２、前記貫通孔の内側面１１ｃと前記基板の他方の面を覆う第三絶縁層１５、前記貫通孔の内側面及び前記基板の一方の面にある電極層１３の露呈部を覆うように配され、前記電極層と電気的に接続された導電層１６、及び、前記導電層を覆うように配された第四絶縁層１７、を少なくとも備えてなる貫通配線基板１０であって、、第四絶縁層のヤング率は０．５ＧＰａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１の表面に形成したマスク１７を用いて絶縁性基板１の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝１８を形成する。マスク１７を除去せずに絶縁性基板１の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜２０を形成する。マスク１７の剥離により膜２０の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝１８の内部に膜２０を残す。加熱により溝１８内の膜２０を本硬化させ所望のゲート配線２を得る （もっと読む）

【課題】外部からの応力による構成要素の破損を防止する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板２０と、複数の電極パッド２４と、複数の第１開口部２６ａを有する表面保護膜２６と、第２開口部３０ｂを有する絶縁膜３０と、電極パッド２４から絶縁膜上に導出されている、柱状電極接続領域４４ａを有する配線４４であって、柱状電極接続領域が第１開口部の真上に位置しており、かつ配線の柱状電極接続領域側の端縁が第１開口部の輪郭内に位置している配線を含む再配線層４０と、柱状電極接続領域に底面５０ｂの一部分である第１部分領域５０ｂａが接続されていて、電極パッドの真上に少なくとも底面の第１部分領域を位置させており、かつ第２部分領域５０ｂｂを絶縁膜とは非接触として設けられている柱状電極５０とを具えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐湿性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】半絶縁性基板であるＧａＡｓ基板４０において、素子形成領域にＨＢＴ３０を形成し、絶縁領域に素子分離領域４７を形成する。絶縁領域に形成される素子分離領域４７は、ＨＢＴ３０のサブコレクタ用半導体層４１とコレクタ用半導体層４２と同層の半導体層にヘリウムを導入することにより形成されている。外周領域において、保護膜５２、５５から露出するように導電層４９を形成し、この導電層４９を裏面電極と接続する。裏面電極にはＧＮＤ電位が供給されるので、導電層４９はＧＮＤ電位に固定される。この導電層４９は、ＨＢＴ３０のサブコレクタ用半導体層４１とコレクタ用半導体層４２と同層の半導体層により形成される。 （もっと読む）

【課題】アンテナを複数設ける場合であっても、アンテナの配置が制限されず集積回路部とアンテナの接続不良を低減し、且つ通信機との通信距離の低減を防止することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基体の第１の面上に薄膜トランジスタを具備する集積回路部を設け、当該集積回路部上に第１のアンテナを設け、基体の第２の面上に第２のアンテナを設け、第１のアンテナを集積回路部と接続させ、第２のアンテナを基体に形成された貫通孔を介して集積回路部と接続させ、第１のアンテナ及び第２のアンテナを集積回路部と重畳させて設ける。 （もっと読む）

【課題】生産効率を低下させることなく、接続信頼性の高い貫通電極を備えた半導体装置とその製造方法および電子機器を提供する。
【解決手段】基体２の能動面３上に形成された電極パッド５，６と、基体２の裏面７から電極パッド５，６に向けて形成された貫通電極８，９とが、電極パッド５，６から貫通電極８，９に向けて立設された平面視リング状のプラグ１５，１６を介して電気的に接続されており、貫通電極８，９の外周からプラグ１５，１６の表面にかけて、基体２との間に絶縁膜４ａ，１４が連続形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が良好であって容量密度が大きなキャパシタ素子、当該キャパシタ素子を有する半導体装置、および当該キャパシタ素子を製造するキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】組成が（Ｂａ_１−ｘ，Ｓｒ_ｘ）Ｔｉ_１−ｚＳｃ_ｙＯ_３＋δ（但し、０<ｘ<１，０．０１<ｚ<０．３，０．００５<ｙ<０．０２，−０．５<δ<０．５）となるとともに、結晶の面内歪みεが、−０．４<ε<０．４である誘電体層と、前記誘電体層を上下に挟持する上部電極および下部電極と、前記上部電極、下部電極、および誘電体層が設置される基板と、を有することを特徴とするキャパシタ素子。 （もっと読む）

本発明の種々の実施形態は、非単結晶基板上にナノ構造物を形成する方法、並びにその結果得られるナノ構造物及びナノスケール機能デバイスに関する。本発明の一実施形態では、ナノ構造物を形成する方法は、金属層（１００）及びシリコン層（１０４）を含む多層構造物（１０６）を形成することを含む。多層構造物（１０６）は、熱工程にかけられ、それにより金属シリサイド晶子（１１０）が形成される。金属シリサイド晶子（１１０）上にはナノ構造物（１１４）が成長される。本発明の別の実施形態では、構造物は、非単結晶基板（１０２）及び非単結晶基板（１０２）上に形成された層（１０８）を含む。層（１０８）は、金属シリサイド晶子（１１０）を含む。金属シリサイド晶子（１１０）上にいくつかのナノ構造物（１１４）が形成されてもよい。開示の構造物は、電子デバイス及び／又は光電子デバイスで使用されるいくつかの異なるタイプの機能デバイスを形成するために使用することができる。
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【課題】積層構造の配線を使用する場合であってもビアホールを形成する際に不具合が発生しにくく、信頼性の高い多層配線を構成できる配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の上方に形成された絶縁膜３２と、絶縁膜３２の上に形成され、金属パターン膜４４ａ，４４ｂの上にキャップ金属膜４４ｃが形成された主要配線部４５ａと、主要配線部４５ａを被覆する、主要配線部４５ａと異なる金属からなる金属保護膜８４とにより構成される金属配線４５と、金属配線４５の上に形成され、金属配線４５に到達するビアホール５４ａを備えた層間絶縁膜４８とを含み、金属保護膜８４はビアホール５４ａが形成される際のエッチングストップ膜として機能する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造の作製において、すべての多層配線用ビア・配線・電極および放熱用ビアなどを、相互の接続特性を良好に保って、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束により形成する半導体装置を提供する。
【解決手段】電導素材である、柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束２の少なくとも一つの表面に、Ａｕ膜など金属膜を形成後、下地層を積層し、その上に触媒金属層を形成して、ＣＶＤ法により柱状構造をもったカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束７を成長することで、二つの柱状構造体カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を低抵抗で接続して形成する。この基本構成方法の組合せで、多層配線用の各種電導構成要素を作製する。また、成長条件によりＣＮＴの成長先端部が平坦となることを用いて、Ａｕ膜など金属膜を利用せずに、成長方向に多段に、長いカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）束を作製でき、特に放熱用ビアなどへの適用が可能である。 （もっと読む）

【課題】 面内応答型液晶表示装置において、引き出し配線から発生する電界を遮蔽し、対向基板の電位変動を防止することで、ゲート端子近傍の表示領域に白抜けを生じない液晶表示装置を得るものである。
【解決手段】 この発明に係る液晶表示装置においては、ゲート配線に電圧を印加するためのゲート端子およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部が設けられ、テーパーゲート配線部の上層に絶縁膜を介して導電層を配設したものである。ゲート配線４に電圧を印加するためのゲート端子１６およびこれに接続するため設置されたテーパーゲート配線部１４が設けられ、テーパーゲート配線部１４の上層にゲート絶縁膜５を介して導電層１８を配設する。 （もっと読む）