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Fターム[5F033KK13]の内容

Fターム[5F033KK13]に分類される特許

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【課題】信頼性の高い半導体積層体を製造することのできる半導体積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極用溝2が形成されたウエハ1の貫通電極用溝2を有する面に、半導体加工用テープ4を介して支持体5を積層する工程(1)と、ウエハ1を半導体加工用テープ4と反対側の面から研削し、貫通電極用溝2を露出させる工程(2)と、露出した貫通電極用溝2に電極部6を形成する工程(3)と、ウエハ1の半導体加工用テープ4と反対側の面に封止樹脂層7を形成する工程(4A)と、封止樹脂層7を介してウエハ1にダイシング用テープ8を貼り合わせ、半導体加工用テープ4及び支持体5を剥離する工程(4B)と、ウエハ1を個片化して半導体チップを作製する工程(5)と、前記半導体チップを、封止樹脂層7を介して他の半導体チップ又は基板に積層する工程(6)とを有する。 (もっと読む)


【課題】従来の製造方法と比べて、少ない工程数で形成可能であり、また、高精度の位置合わせ技術を必要としない、配線構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板10の主表面10a上に、スペーサ絶縁膜20を形成する。次に、スペーサ絶縁膜をパターニングして、下部配線形成領域42の基板の主表面を露出させる。次に、露出した基板の主表面上、及び、スペーサ絶縁膜22の上側表面22a上に配線材料を堆積させて、基板の主表面上に下部配線52を形成するとともに、スペーサ絶縁膜の上側表面上に上部配線50を形成する。 (もっと読む)


【課題】微細な配線パターンを備えた発光装置の作製方法の提供。
【解決手段】Inと、Gaと、Znとを有する酸化物半導体層を形成し、酸化物半導体層上に第1の導体パターンを形成し、第1の導体パターンより微細な第2の導体パターンを形成し、前記第2の導体パターンと電気的に接続する発光素子を形成する発光装置の作製方法であって、第2の導体パターンは、酸化物半導体層を横断する。 (もっと読む)


【課題】ウェハハンドリングが容易であり、高精度の位置合わせを必要とせず、ビアホールとして機能する開口部を浅く形成でき、さらに開口部を埋め込む第1電極と基板との界面の割れを防止できる電極構造、及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板に、第1主表面側から、深さが基板の厚さよりも小さい開口部33を形成する。次に、開口部を埋め込む第1電極35を形成する。次に、第1主表面と対向する基板を第2主表面側から薄層化して、開口部の深さよりも大きい厚さとする。次に、第2主表面側111bから開口部の底面33bへ向けて、基板111に切り込みを入れる39ことによって、第2主表面側から第1電極を露出させる。次に、切り込みを埋め込む第2電極44を形成する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ31の上面側の内部にメタルパッド32が形成され、シリコンウェハ31の上面にガラスシール材33が積層され、メタルパッド32がシリコンウェハ31の上面に露出するようにシリコンウェハ31およびガラスシール材33に加工された開口部にストッパ層34が形成される。そして、シリコンウェハ31の下面からストッパ層34まで開口するように縦孔35が形成され、縦孔35の先端部においてストッパ層34を介してメタルパッド32に電気的に接続され、シリコンウェハ31の下面まで延在するようにメタルシード層37が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板30の第1表面S1から第2表面S2に亘って、当該基板30を貫通するように形成されたトレンチ31aによって、当該基板30が複数の部分領域Ce,Cea〜Ced,Cek,Celに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Cea〜Cedの側壁に、第1表面S1の側から第2表面S2の側に亘って、当該基板30より高い導電率を有する導電層35が形成され、トレンチ31aに絶縁体31bが埋め込まれてなる領域分割基板A20とする。 (もっと読む)


【課題】より小さな径の基板貫通ヴィアが形成できるようにする。
【解決手段】基板101の回路が形成されている主表面101a側から所望の孔径の範囲で形成可能な深さに形成された第1孔部102と、基板101の裏面側から形成されて第1孔部102に接続する第2孔部103と、第1孔部102の内部に形成された第1孔部配線104と、第1孔部配線104に接続して基板101の主表面101a側に形成された表面配線層105と、第2孔部103の内部に第1孔部配線104に接続して形成された第2孔部配線106と、第2孔部配線106に接続して基板101の裏面側に形成された裏面配線層107とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の小型化、特に、狭ピッチ化に対する技術を提供する。
【解決手段】半導体チップ1C上に設けられたパッド2と、プローブ領域10Aおよび接続領域10Bのパッド2上に開口部11を有し、半導体チップ1C上に設けられたパッシベーション膜3と、接続領域10Bのパッド2上に開口部12を有し、パッド2上およびパッシベーション膜3上に設けられたパッシベーション膜5と、パッド2と電気的に接続され、接続領域10B上およびパッシベーション膜5上に設けられた再配線7とを備える。接続領域10Bより半導体チップ1Cの外周部側に設けられたプローブ領域10Aのパッド2にプローブ痕100が存在し、接続領域10Bから半導体チップ1Cの中央部側に延びて再配線7が存在している。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールを起点とした絶縁膜の剥がれの伸展を防ぐことができる配線パターンを得る。
【解決手段】半絶縁性GaAs基板1上に、配線メタル2が設けられている。配線メタル2上に金メッキ4が設けられている。金メッキ4は、ボンディングパッド部5と配線部6を有する。ボンディングパッド部5及び配線部6を覆うように金メッキ4上に連続してSiN膜7が設けられている。ボンディングパッド部5上においてSiN膜7にコンタクトホール8が設けられている。ボンディングパッド部5と配線部6の間において金メッキ4に段差が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】半導体素子の第1領域と接続される表面電極17、および通路12の少なくとも一部に、半導体素子の第2領域と接続される第1金属配線18を形成する。その後、はんだ29が実装されない通路12bに形成する第1保護膜25の高さが、はんだ29が実装される通路12aに形成する第1保護膜25の高さよりも高くなるように、注入器32を用いて第1保護膜25を通路12に塗布する。続いて、表面電極17および第1保護膜25の上に金属層27、28を形成してはんだ29が実装されない通路12bに形成した第1保護膜25が金属層27、28から露出するように、はんだ29が実装されない通路12bに形成した第1保護膜25の一部および金属層27、28を切削する。 (もっと読む)


【課題】スルーホールの微細化による半導体装置の高集積化と、スルーホール内に埋め込まれる導体のカバレッジ性と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置は、下層配線2と、下層配線2上に形成され、下層配線2の上面を露出させる開口31を有する第1絶縁膜(例えば、有機絶縁膜3)と、第1絶縁膜上に形成され、スルーホール5が形成された第2絶縁膜(例えば、無機絶縁膜4)とを有する。半導体装置は、更に、スルーホール5に埋め込まれ、下層配線2と電気的に接続された導体9を有する。開口31は、上側に向けて拡径するテーパー形状に形成されている。スルーホール5の側壁5aの少なくとも下端は、開口31の側壁31aを構成する傾斜面の上に位置している。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、以上の点に鑑み、異種金属からなる導電層間に介在されるような場合でも十分なバリア性能を発揮し得るバリア層を生産性よく形成することができるバリア層の形成方法を提供する。
【解決手段】 バリア層BMは、処理対象物Wを一方の導電層CL1を有するものとし、この処理対象物と、例えばTi製のターゲット2とを真空処理室1a内に配置し、真空処理室内に希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして一方の導電層表面に第1金属層を形成し、真空処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、第1金属層の表面を酸窒化処理すると共に、ターゲットをもプラズマ雰囲気に曝して当該ターゲット表面を酸窒化し、真空処理室内に希ガスを更に導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第2金属層を形成してなる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも1層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材(磁性体)の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 (もっと読む)


【課題】浅いトレンチ分離および基板貫通ビアの集積回路設計への統合を提供すること。
【解決手段】ICを製造する方法は、第1の側、および第2の対向する側を有する基板を用意すること、基板の第1の側にSTI開口を形成すること、および基板の第1の側に部分的TSV開口を形成すること、および部分的TSV開口を延長することを含む。延長された部分的TSV開口は、STI開口より基板内への深さが深い。方法はまた、STI開口を第1の固体材料で充填すること、および延長された部分的TSV開口を第2の固体材料で充填することを含む。STI開口、部分的TSV開口、または延長された部分的TSV開口のいずれも、基板の第2の側の外面を貫通しない。少なくとも、STI開口および部分的TSV開口は同時に形成され、またはSTI開口および延長された部分的TSV開口は同時に充填される。 (もっと読む)


【課題】貫通電極のための開口部を形成する時に、上部配線層の配線とのミスアラインメント問題が発生しない半導体装置を製造する方法の提供。
【解決手段】第1面及び第1面の反対側に第2面を有する基板を準備する段階と、基板の第1面から基板の厚さ方向に延長して貫通電極が形成される領域に犠牲膜パターンを形成する段階と、基板の第1面上に形成され、犠牲膜パターン上に位置する配線を有する上部配線層を形成する段階と、基板の第2面を部分的に除去して犠牲膜パターンを露出させる段階と、犠牲膜パターンを基板の第2面から除去して配線を露出させる開口部を形成する段階と、開口部内に配線と電気的に接続される貫通電極を形成する段階と、を有する。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜上層に形成される絶縁膜の膜浮きの発生を防止或いは抑制し、歩留り或いは信頼性を向上することの可能な薄膜トランジスタアレイ基板、及び液晶表示装置を得る。
【解決手段】この発明のTFTアレイ基板100においては、TFT51と、ソース電極53及びドレイン電極54、並びにソース電極53及びドレイン電極54と同一材料により同層に形成される金属パターン5の何れかに直接重なり形成される透明導電膜パターン6と、透明導電膜パターン6上を含むゲート絶縁膜8上を覆う上層絶縁膜9を備え、少なくとも額縁領域42に形成される透明導電膜パターン6は、ソース電極53、ドレイン電極54或いは金属パターン5のパターン端面を覆うことなく形成される。 (もっと読む)


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