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Fターム[5F033KK13]の内容

Fターム[5F033KK13]に分類される特許

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【課題】不均一な結晶相の形成を抑制してオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層100と、エピタキシャル層100上に形成されたコンタクトメタル電極120と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜140と、コンタクトメタル電極120上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層200と、拡散障壁層200上に形成されたAl配線160を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 (もっと読む)


【課題】より効率良く光学装置を製造できる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 複数の光学素子1を備える光学素子シート6を、配線パターン3が形成された基板シート7に接合する工程と、上記接合する工程の後に、光学素子シート6を切断することにより、複数の光学素子1どうしを分離する工程と、上記接合する工程の後に、基板シート7を切断することにより、光学素子1と接合している配線基板を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


半導体基板に集積された回路と、基板と、ヒートシンクとしての支持体と、基板および支持体をはんだ付けにより接続する熱伝導性接続部とを備えた電子モジュールを提案する。ここでは、基板で用いられる後面金属化部として、まず第1の厚いAu層(23)、ついでバリア層(24)、最後に第2の薄いAu層(25)が堆積される。バリア層の材料は、はんだ付け過程において、第2のAu層の領域のAuSn液相のSnないしAuSnが第1のAu層(23)へ浸入することを阻止するように選定される。また、基板の貫通孔にも、後面金属化部の積層体が堆積される。ここで、第2のAu層の表面は、バリア層から拡散する材料によって、はんだ付け材料に対する低減された濡れ性を有する。
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【課題】オーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層100と、エピタキシャル層100上に形成されたコンタクトメタル電極120と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜140と、コンタクトメタル電極120上に形成された第1のAl配線160と、第1のAl配線160上に形成された拡散障壁層180と、拡散障壁層180上に形成された第2のAl配線200を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 (もっと読む)


【課題】多くのマスク数を必要とせずに、電極材料やMIMスタック層数の制限が少なくすることのできるスタック型MIMキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
スタック型MIMキャパシタ10のMIM電極13A,13Bには、MIM電極13Aの層の表面に小空孔15と大空孔16の2種類の空孔が、表面上において2次元に形成される。さらに、半導体基板11上に形成された保護膜12上に、異なる形状を持つMIM電極13A,13Bを交互に重ね、誘電体膜14を挟んでスタック型MIM構造を形成する。 (もっと読む)


【課題】漏れ電流の大きいキャパシタを電気的に切断することができるキャパシタ・モジュールを含む半導体構造、これを製造する方法、およびこれを動作させる方法を提供する。
【解決手段】モジュール化したキャパシタ・アレイは複数のキャパシタ・モジュールを含む。各キャパシタ・モジュールは、キャパシタと、このキャパシタを電気的に切断するように構成されたスイッチング・デバイスと、を含む。スイッチング・デバイスは、キャパシタの漏れのレベルを検出するように構成された検知ユニットを含み、漏れ電流が所定のレベルを超えるとスイッチング・デバイスがキャパシタを電気的に切断するようになっている。各キャパシタ・モジュールは、単一のキャパシタ・プレート、2つのキャパシタ・プレート、または3つ以上のキャパシタ・プレートを含むことができる。漏れセンサおよびスイッチング・デバイスを用いて、漏れを生じたキャパシタ・アレイのキャパシタ・モジュールを電気的に切断し、これによってキャパシタ・アレイを過剰な電気的漏洩から保護する。 (もっと読む)


【課題】ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、半導体層14上に電極11を形成する工程と、半導体層14上に、電極11に達する配線接続孔12aを有し、配線接続孔12aの周りに凹部12bが形成された層間絶縁膜12を形成する工程と、層間絶縁膜12上から配線材料18を堆積する工程であって、層間絶縁膜12の凹部12bに対応して配線材料18に凹部18aが形成される工程と、配線材料18上に、電極11に配線接続孔12aを介して接続される配線13を形成するためのレジスト膜19を、配線材料18に形成された凹部18aを覆うように形成する工程と、レジスト膜19をマスクとしてウェットエッチングを行い、配線材料18を選択的に除去して配線13を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供すること。
【解決手段】版に形成された画素電極パターンのスルーホールに対向する位置に保持されたインクの量を、画素電極パターンのスルーホールに対向する位置以外の部分に保持されたインクの量よりも多くすることによって、凹凸のあるスルーホール部分であっても、層間絶縁膜の上下の導電層間で良好な電気的な接続が得られる、版を用いた印刷法による薄膜トランジスタアレイの製造方法を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】電極層と配線層との合金化による接合安定性が得られつつ、合金化の進みすぎによる空孔の発生が抑制された半導体素子の配線構造を提供する。
【解決手段】半導体素子10の配線構造は、半導体素子10を構成する半導体層14上に設けられ、金属により形成された電極層11と、電極層11上に設けられ、電極層11の金属と合金化し得る金属により形成された配線層12と、電極層11と配線層12との間に設けられ、配線層12と同じ種類の金属を主成分とする、電極層11の膜厚以下の膜厚を有する中間層13であって、電極層11の金属の配線層12への拡散を防止する、中間層13の金属の金属化合物膜13bが、配線層12側の表面に形成されている中間層13と、を含む。 (もっと読む)


【課題】紫外線の暴露により架橋し得る材料で作製された層の基板に対する接着を改善するための方法、およびそれを利用しトランジスタを製造する方法を提供する。
【解決手段】紫外線への暴露により架橋し得る材料Mで作製された層の基板Sの表面に対する接着を改善する際に、a)材料Mの表面の反応基M1と反応し得る第1の反応基F1と、基板Sの表面を構成する材料(複数可)と結合を形成し得る第2の反応基F2とを備える少なくとも1種の分子Fを含む未重合の重合性組成物Pの堆積ステップ、b)ステップa)において得られた未重合の組成物Pの層上への、未架橋の材料Mで作製された層の堆積ステップ、およびc)ステップb)において得られた3層構造に紫外線を暴露するステップ。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面11aに半導体デバイスおよび電極11cが設けられた半導体基板11と、一方の主面11aの上に形成された層間絶縁層12と、層間絶縁層12上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部13と、樹脂パターン部13の上にそれぞれ形成された再配線層14と、再配線層14の上を封止する封止絶縁層15とを有し、樹脂パターン部13の側面13aが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 (もっと読む)


【課題】 半導体デバイスに電力を提供する電力グリッド構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態は、誘電体層の内部に形成された第1の導電性材料のスタッドと、底部及び側壁を有する第2の導電性材料のビアであって、底部及び側壁は導電性ライナで覆われ、底部はスタッドの直接上に形成され、かつ、導電性ライナを通してビアと接触した状態にある、ビアと、ビアの側壁において導電性ライナを通してビアに接続する第3の導電性材料の1つ又は複数の導電性パスとを含むことができる半導体構造体を提供する。半導体構造体を製造する方法も提供される。 (もっと読む)


【課題】 裏面相互接続構造と製造方法を提供する。
【解決手段】 集積回路構造を形成する方法であって、前記方法は、半導体ウエハの端から前記半導体ウエハの中に延びる第1ノッチを含む半導体ウエハを提供するステップ、及び前記半導体ウエハの上に、第2ノッチを含むキャリアウエハを設置するステップを含み、前記キャリアウエハを設置するステップは、前記第1ノッチの少なくとも一部を前記第2ノッチの少なくとも一部と重ねる方法である。 (もっと読む)


【課題】実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体基板1の上に第1の絶縁膜2を形成し、第1の絶縁膜2に配線溝3を形成し、配線溝3の内部に金属膜5を埋め込んで第1の配線6を形成し、第1の絶縁膜2及び第1の配線6の上に保護膜7を形成し、第1の配線6と保護膜7との界面に反応層8を形成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置において、導電性バッファ層を用いることなく、煩雑なプロセスも必要なく、非常に高い深さ精度のドライエッチングも必要なく、また、結晶性を劣化させずに、効率良くホールを引き抜くことができるようにする。
【解決手段】半導体装置を、同一基板1上に形成され、(0001)面及び(000−1)面を有する窒化物半導体層4と、基板1と窒化物半導体層4との間に部分的に設けられた(0001)面形成層2と、(0001)面を有する窒化物半導体層4上に設けられたソース電極5、ドレイン電極6及びゲート電極7と、(000−1)面を有する窒化物半導体層4上に設けられたホール引き抜き電極8とを備えるものとする。 (もっと読む)


【課題】絶縁層へのコンタクトホール形成時における、導電層の浸食や破損の抑制された電界効果型トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、表示装置、及び電磁波検出器を提供する。
【解決手段】導電層形成工程によって形成されたソース電極20A、ドレイン電極20B、及び画素電極20Cを含む導電層20上に、該導電層20及び酸化物半導体層18を覆うように、無機材料を主成分とする無機絶縁層23を形成する。そして、この無機絶縁層23上にフォトレジスト膜30を形成してパターン状に露光した後に、現像工程において、現像液を用いて現像することでレジストパターン30B’を形成する。現像工程では、この現像液をエッチング液として用いて、無機絶縁層23の内のレジストパターン30B’から露出した領域を除去することによって導電層20の一部を露出させて、無機絶縁層22にコンタクトホール27を形成する。 (もっと読む)


【課題】工程を単純化することのできる酸化物薄膜トランジスタを備えた表示素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示素子は、第1基板120及び第2基板140と、第1基板の画素領域に形成され、ゲート電極121、ゲート絶縁層126、酸化物半導体層122、並びにソース電極123及びドレイン電極124からなる薄膜トランジスタと、第1基板のゲートパッド領域に形成されたゲートパッド118、及び第1基板のデータパッド領域に形成されたデータパッド119と、ゲートパッド領域のゲート絶縁層上に形成され、コンタクトホールを介してゲート電極に接続する金属層155と、第1基板の全体にわたって形成された保護層128と、画素領域の保護層に形成された画素電極と、ゲートパッド領域に形成された第1透明導電層129a及びデータパッド領域に形成された第2透明導電層129bと、基板間に形成された液晶層130とから構成される。 (もっと読む)


【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板7の一方の面側に、トランジスタ4のゲート絶縁体層44を形成する第1の工程と、ゲート絶縁体層44上に、厚さ方向に貫通する貫通部91を備える絶縁体層9を形成する第2の工程と、貫通部91内の底部付近のゲート絶縁体層44上、および、貫通部91の周囲の絶縁体層9上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層44上に形成された電極を用いて、ゲート電極45を形成するとともに、絶縁体層9上に形成された電極を用いて、画素電極6を形成する第3の工程とを有する。また、平面視で、貫通部91の開口部の縁が、当該貫通部91の底部の縁より内側に位置する。 (もっと読む)


【課題】銅ピラーを有するウェハ裏面構造を提供する。
【解決手段】集積回路構造は、前面および背面を有する半導体基板と、半導体基板を貫通する導電ビアとを含む。導電ビアは、半導体基板の背面に延伸する後端を含む。再分配線(RDL)が半導体基板の背面上にあり、導電ビアの後端に電気的に接続される。パッシベーション層がRDL上にあり、パッシベーション層には開口があり、RDLの一部が開口を通して露出される。銅ピラーは開口内に一部を有し、RDLに電気的に接続される。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗の電気的接続構造を提供する。
【解決手段】 ビアホールの底部の導電体上に導電性触媒担持体層を設け、予め微粒子化した触媒微粒子を当該導電性触媒担持体層上に堆積し、その後リフトオフ法により前記ビアホール底部以外の前記触媒粒子を除去して触媒微粒子層となし、当該触媒微粒子層上に炭素細長構造体を設ける電気的接続構造の製造方法において、前記触媒微粒子が、Co、Ni、Feからなる群から選ばれた金属の微粒子であること。 (もっと読む)


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