【課題】大量生産上、大型の基板に適している半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、チャネルを含む島状半導体層と、島状半導体層上に形成されたドレイン配線およびソース配線とを有し、島状の半導体層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏを含み、ドレイン配線及びソース配線は島状半導体層をキャリアの移動方向と垂直に横断し、チャネルの長さはドレイン配線およびソース配線の間隔に等しいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の一方の面上に第１の絶縁層１２を介して位置する第１の配線層１３と、半導体基板の他方の面から第１の配線層に至る接続孔１９を形成する。接続孔の側面から他方の面に亘って半導体基板上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の絶縁層１４を形成する。接続孔の側面上から他方の面上に亘って第２の絶縁層上に位置し、接続孔内で第１の配線層に接する第２の配線層１６を形成する。この形成において、第２の絶縁層を、膜質の異なる２種の絶縁膜１４ａ、１４ｂ又はそれ以上の絶縁膜の積層体から構成する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性を有するビア・ライン間相互接続構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性ビアの上層金属ライナと、下方の金属ラインの下層金属ライナとの間に、ライナ・ライナ間接触を形成する。ライナ・ライナ間接触は、急激なエレクトロマイグレーションによる故障を抑制し、金属相互接続構造体のエレクトロマイグレーション耐性を強化する。少なくとも１つの誘電体材料部分は、上層金属ライナと下層金属ライナの間の直接接触を保証するように配置された複数の誘電体材料部分を含むことができる。代替的に、少なくとも１つの誘電体材料部分は、リソグラフィ・オーバーレイ変動の許容範囲内でライナ・ライナ間直接接触が形成されるのを保証するのに十分な、導電性ビア領域との横方向の重なりを有する領域の単一の誘電体部分を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】水分の浸入による半導体装置の信頼性低下を抑制した装置の提供。
【解決手段】ＧａＡｓ系半導体、ＩｎＰ系半導体、及びＧａＮ系半導体のいずれかからなる半導体層２と、半導体層２上に設けられ、端部４ａが半導体層２上に位置する第１窒化シリコン膜４と、第１窒化シリコン膜４の端部４ａを覆うように、半導体層２上及び第１窒化シリコン膜４上に設けられたポリイミドまたはベンゾシクロブテンのいずれかからなる保護膜１２と、半導体層２の上面及び第１窒化シリコン膜４の端部４ａに接するように、半導体層２と保護膜１２との間から第１窒化シリコン膜４の端部４ａと保護膜１２との間にかけて連続的に設けられた第１Ｔｉ層１４と、を具備することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】マトリクス状に配置した光電変換素子が捉える光の強度分布を、再現よく電気信号に変換して取り出せる大型のエリアセンサおよび、エリアセンサを搭載した書き込み速度が速く、表示ムラが少ない表示装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタは、大面積基板にマトリクス状に配置することが容易であり、また特性にバラツキが少ない。インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで構成した特性にバラツキが少ない増幅回路と表示素子の駆動回路を用いて、マトリクス状に配置したフォトダイオードが捉える光の強度分布を再現よく電気信号に変換して取り出し、マトリクス状に配置した表示素子をムラなく駆動する。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と電極パッドとの界面から水分が浸入することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】半導体層２と、半導体層２上に設けられたＡｕからなる電極パッド１０と、電極パッド１０上にその端部が位置するように、半導体層２上及び電極パッド１０上に設けられた窒化シリコン膜６と、電極パッド１０の上面の一部及び窒化シリコン膜６の端部に接し、かつ電極パッド１０の上面の他部が露出するように設けられたＴｉ、Ｔａ及びＰｔのいずれかからなる金属層１４と、を具備する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを多数積層した半導体装置において、生産性を損なうことなく高性能化する。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に順に形成された複数の素子、層間絶縁膜２およびパッド３と、パッド３に電気的に接続するバンプ電極４と、シリコン基板１の裏面ｓ２に形成され、バンプ電極４に電気的に接続する裏面電極６とを有する半導体装置である。バンプ電極４は、パッド３を貫通し、シリコン基板１側に向かって突出するような突出部ｄ１を有する。また、裏面電極６は、シリコン基板１の裏面ｓ２側から主面ｓ１側に向かって、バンプ電極４の突出部ｄ１に達し、パッド３には達しないような裏面電極用孔部７の内側を覆うようにして形成されていることで、バンプ電極４と電気的に接続されている。 （もっと読む）

第１の薄膜メタライゼーション層と第２の薄膜メタライゼーション層とを電気的に接続する回路ビアの形成のための手法が述べられる。ビアの形成では、第１のメタライゼーション層の陽極酸化に先立って、ビア接続領域に配置される陽極酸化バリア及び／又は補助パッドを使用する。バリアを形成するために使用される材料は、陽極酸化の際に陽極酸化液を実質的に透過せず、導電層とバリアとの間に酸化物が形成されることを阻止するものである。補助パッドは非陽極酸化性であり、陽極酸化の際に、パッドを通じて電流が流れることを実質的に防止するためにバリアによって覆われる。陽極酸化の後に、バリアは除去される。補助パッドが充分な導電性を有する場合には、バリアの除去後に第１のメタライゼーション層上に残存されてもよい。第２のメタライゼーション層が陽極酸化層上に配置され、ビア接続領域において第１の導電層と電気的に接触する。
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【課題】モールドストレスによる絶縁ゲート型電界効果トランジスタの特性変動を抑制する。
【解決手段】半導体基板上に設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタと離間し、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを取り囲むように前記半導体基板の表面に設けられ、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタのボディと同じ導電型の高不純物濃度層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及び前記高不純物濃度層上の一面に、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタを覆うように設けられ、ビア及び下層配線を介して前記高不純物濃度層と電気的に接続される最上層配線とを具備することを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】動作の安定した積層半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンのベース部と、ベース部の上の絶縁層と、絶縁層の上の単結晶シリコン層と、単結晶シリコン層に形成され絶縁層に達する分離溝構造と、分離溝構造で囲まれた単結晶シリコン層のボディ領域と、ボディ領域に形成されるトランジスタと、少なくともベース部および絶縁層を貫通し、ボディ領域に電気的に結合する貫通結合部とを有する第１半導体装置と、貫通結合部に接する外部接続部を有する第２半導体装置と、を備え、第２半導体装置は、貫通結合部を介して第１半導体装置のボディ領域の電位を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の貫通電極を有する半導体装置を低温プロセスによって製造する。
【解決手段】 半導体基板１の表面側に配置された第１の電極３と裏面側の第２の電極６は、接続孔４に充填された導電物７と、接続孔４内に延在する第２の電極６の延在部６ａとによって電気的に接続される。接続孔４が高アスペクト比であっても、第２の電極６を接続孔４の底部まで形成する代わりに導電物７を用いることで、低温プロセスによる成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 集積回路デバイスのヒューズ構造を提供する。
【解決手段】 本発明のヒューズ構造は、半導体基板の一部の上に配置された金属含有導電性材料のストリップを含み、ストリップは、第１方向に沿って延伸し、均一な線幅を有する。誘電体層は、導電層を覆う。誘電体層内は、第１ビアと第２ビアを有し、第１インターコネクトと第２インターコネクトをそれぞれ含む。第１インターコネクトは、ストリップ上の第１位置と物理的且つ電気的に接触しており、第２インターコネクトは、ストリップ上の第２位置と物理的且つ電気的に接触している。導電ストリップ上の第１と第２位置は、シリコンを含まない。誘電体層の上方は、第１インターコネクトに電気的に接続された第１配線構造と、第２インターコネクトに電気的に接続された第２配線構造である。 （もっと読む）

【課題】孔のないキャリア（支持基板）を用いても、キャリアの取り外し時の半導体チップの散乱を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された素子形成基板の表面に、接着剤１１を用いてキャリア（支持基板）１２を貼り付ける。その後、素子形成基板の裏面から、素子形成基板の途中まで延びる複数のスルーホール１ｂを互いに離間して形成する。次に、裏面の処理として、裏面の研磨及びＡｕ層２３の形成等を行う。次に、複数のスルーホール１ｂを接着剤１１まで到達させる。そして、複数のスルーホール１ｂから接着剤１１の溶解液を接着剤１１まで浸透させて、接着剤１１を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置及びその製造方法において、半導体装置の収量を増加させると共に、製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】半導体基板１０の表面における所定の領域内に複数のパッド電極１２を形成した後、半導体基板１０の表面に接着剤層１４を介して支持体１５を貼り合わせる。次に、半導体基板１０であって上記所定の領域と重畳する領域に開口部１０Ａを形成する。そして、開口部１０Ａ内で各パッド電極１２と電気的に接続された配線層１８を形成する。その後、所定の工程を経て、最後に、半導体基板１０及び支持体１５を含む積層体を、開口部１０Ａの外側に延びるダイシングラインＤＬに沿ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】溶剤乾燥や熱硬化のための熱処理工程を用いずに形成した欠陥の少ない絶縁層を有する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】バンプ１０７と、バンプ１０７により貫通される層間絶縁層１０５とを含む薄膜トランジスタにおいて、バンプ１０７がフッ素化合物を含み、層間絶縁層１０５がフィルム状ホットメルト接着剤の加熱圧着により形成され、バンプがフッ素化合物を含み、フッ素含有量が、０．０１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】絶縁体に蓄積した電荷が放電を起こすことにより、アンテナ又は薄膜トランジスタを有する回路を破壊してしまう問題（静電気破壊の問題）を解決することを目的とする。
【解決手段】第１の絶縁体と、前記第１の絶縁体上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路と、前記回路上に設けられ、前記回路と電気的に接続されたアンテナと、前記アンテナ上に設けられた第２の絶縁体と、を有し、前記第１の絶縁体と前記回路との間に第１の導電膜が設けられ、前記第２の絶縁体と前記アンテナとの間に第２の導電膜が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 貫通穴が設けられたウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、前記貫通穴の開口の径が大きい側から貫通穴に金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、枠状に形成される第一の吸引部と、貫通穴から金属材料を吸引し第一の吸引部に嵌め込まれる第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部に沿って形成され、流路と吸引穴と第三の貫通孔とが形成されたアダプター部と、吸引穴に接続される吸引手段と、吸引配管の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引しているウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、第三の貫通孔接続される吐出手段と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】 容易に貫通穴を埋めることができ、環境負荷を小さくする。
【解決手段】 テーパ状の貫通穴を有するウェハの貫通穴の開口の径が小さい側の主面を把持し、貫通穴の開口の径が大きい側から、貫通穴に球状の金属材料を埋め込むウェハの金属材料埋込装置であって、ウェハの表面を吸引把持する第一の吸引部と、ウェハの貫通穴から金属材料を吸引する第二の吸引部とを有する把持本体部と、第一の吸引部と第二の吸引部とに配管を介して接続される吸引手段と、配管を流れる流体の流量と圧力とを検出する検出手段と、金属材料が吸引されて貫通穴を塞ぐことで変化した流量と圧力の値が所定の値となっているか否かを判定する判定手段と、判定手段によって値が所定の値であると判定された場合に把持本体部で吸引している前記ウェハからはみ出て入る金属材料を所定の加圧平面に押し当てる加圧手段と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中にコンタクトホールを形成せずに、絶縁膜の表面と裏面の間に導電領域を形成することを課題とする。
【解決手段】基板上の半導体素子及び第１の電極上に絶縁膜を形成し、絶縁膜中に第１の加速電圧で第１のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さに第１の欠陥の多い領域を形成し、第１の加速電圧とは異なる第２の加速電圧で、第２のイオンを添加して、絶縁膜中の第１の深さとは異なる第２の深さに第２の欠陥の多い領域を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域上に、金属元素を含む導電材料を形成し、第１及び第２の欠陥の多い領域のうちの上方の領域から下方の領域に、金属元素を拡散させることにより、絶縁膜中に、第１の電極と、金属元素を含む導電材料とを電気的に接続する導電領域を形成する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】別々の配線から電源電力が供給される半導体素子が形成された互いに独立した複数のウェルを配線の延設方向に沿って隣り合わせて配置することを可能とする。
【解決手段】半導体基板２０の第１ウェル領域２２に形成された複数の半導体素子の少なくとも一部に電源電力を供給する第１配線３６と、第１配線３６上に形成された第１絶縁層４６と、半導体基板２０の第１ウェル領域２２とは独立している第２ウェル領域２４に形成された複数の半導体素子の少なくとも一部に電源電力を供給する第２配線３８と、を設け、第１配線３６と第２配線３８とを第１絶縁層４６によって電気的に絶縁する。 （もっと読む）