【課題】半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の絶縁層２０３と、第一の絶縁層上の第一の配線層２０４と、半導体基板２０１を貫通し、底部に第一の絶縁層を厚さ方向に除去した部分的なエッチ部を備えた貫通孔２０１ａと、貫通孔の部分的なエッチ部の底部を除く内壁部から半導体基板の第二の面までを覆う第二の絶縁層２０６と、貫通孔の底部に、第一の配線層が露出するように第一の絶縁層に形成された開口部２０３ａと、該開口部で第一の配線層と接すると共に貫通孔の第二の絶縁層上から半導体基板の第二の面の第二の絶縁層上に亘る第二の配線層２０２とを有し、開口部に接する第一の絶縁層が、半導体基板に接する第一の絶縁層より小さい厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を厚くして電極間の寄生容量を低く抑えることができ、かつ、当該絶縁層に精度良く開口部を形成して作製される小型の半導体装置、その半導体装置の製造方法、及びその半導体装置を含むパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セル１６０は、基板１０４と、基板１０４上に形成されるドレイン電極１８０、ソース電極１８２、及びゲート電極１８４と、基板１０４及び各電極上に形成され、ドレイン電極１８０の表面を露出する開口部２２０が形成された絶縁層１４２とを含む。開口部２２０は、ドレイン電極１８０の表面から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら所定高さまで立上がる壁面２２２と、基板１０４の表面から当該所定高さで基板１０４の表面に平行となった踊り場状の平坦面２２４と、平坦面２２４から絶縁層１４２の表面に向かってその径を広げながら立ち上がる壁面２２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌを含む金属配線の形成において、サイドエッチ量を低減した微細な金属配線を形成でき、金属配線上に形成するビアホールが金属膜を突き抜けるのを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第一ＴｉＮ膜３、Ａｌを含む金属膜４、第二ＴｉＮ膜５を順次積層した金属配線層６を形成する工程と、前記金属配線層６の上にストッパー膜７、シリコン酸化膜８を順次積層したハードマスク層１２を形成する工程と、前記ハードマスク層１２を選択的にエッチングして前記金属配線層６の上にハードマスク１２ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａをマスクとしてエッチングし金属配線６ａを形成する工程と、前記ハードマスク１２ａおよび前記金属配線６ａの上に層間絶縁膜１４を形成する工程と、前記ストッパー膜７をエッチングストッパとして前記層間絶縁膜１４にビアホール１７ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】活性層を保護するとともにドレイン電極と画素電極との電気的導通を十分確保できるような保護層を設けたトランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】トランジスタアクティブ基板は、基板３０１、ゲート電極３０２、ゲート絶縁膜３０３、ソース電極３０４、ドレイン電極３０５および活性層３０６から構成される薄膜トランジスタ上に、保護膜３０７および画素電極３０８が配置されており、ドレイン電極３０５の表面粗さをＲａ（Ｍ）、保護膜３０７の膜厚をＤ（Ｉ）としたときに、Ｄ（Ｉ）≦Ｒａ（Ｍ）×１５の関係にある。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で画素電極とコンタクトホールとを形成するＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を成膜する工程と、絶縁膜の上に導電膜を成膜する工程と、導電膜をパターニングして開口が設けられた画素電極を形成する工程と、開口が設けられた画素電極をエッチングマスクとしてエッチング法により絶縁膜に開口と連通するコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続するにあたって、貫通孔底部の角部におけるリーク電流の発生や絶縁膜のクラック等を抑制する。
【解決手段】半導体装置１は貫通孔３を有する半導体基板２を備える。貫通孔３は半導体基板２の第１の面２ａに開口された第１の開口３ａの開口径が第２の面２ｂに開口された第２の開口３ｂに近い側の内径より大きくなるように、第１の面２ａの近傍を拡張させる拡張部４を備える。半導体基板２の第１の面２ａには第１の絶縁層５と第１の配線層６とが設けられている。貫通孔３には拡張部４を充填しつつ内壁面を覆う第２の絶縁層７が設けられており、さらに第１および第２の絶縁層５、７の開口を介して第１の配線層６と接続された第２の配線層８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】電極の断線が生じても動作可能であり、かつ大電力で動作することが可能な、小型の半導体装置を提供する。
【解決手段】セル１６０は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極１８２と、素子形成領域に、ソース電極１８２と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極１８０と、ソース電極１８２とドレイン電極１８０との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極１８４とを含む。ゲート電極１８４の各辺の中央部分からソース電極１８２に重畳するようにゲート引出電極１８６を形成し、ゲート引出電極１８６とソース電極１８２との間には絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に形成した空隙部を導電材料で充填して配線・接続部を形成する際に問題となる、下層の導電領域と配線・接続部との接続状態に起因する不都合を生ぜしめることなく、微細な配線及び接続部が所望の状態に正確且つ容易に実現されてなる信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】ダミー構造物１６を形成し、ダミー構造物１６の側面のみに側壁膜１７を形成する。このダミー構造物１６を覆うように層間絶縁膜１８を形成する。そして、側壁膜１７が残るようにダミー構造物１６のみを除去し、下層配線１４の表面の一部を露出させ、層間絶縁膜１８に形成された開口１８ａをＣｕで埋め込み、Ｃｕの表層を層間絶縁膜１８の表面に合わせて平坦化する。以上により、下層配線１４と直接的に接続されるＣｕ接続部２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜、金属からなるバリアメタル膜、及びＣｕ配線金属膜がこの順で積層された積層構造を具備してなり、バリアメタル膜の酸化物のＸ線回折測定による回折強度が、バリアメタル膜とＣｕ配線金属膜との化合物の回折強度の１０倍以下である。 （もっと読む）

【課題】後工程の熱によるクラックの発生を抑制し、製造歩留り及び製品品質を向上する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０（基板）の表面上にソース電極１２（表面電極）が形成されている。ＧａＡｓ基板１０の裏面からソース電極１２に達するようにビアホール１８が形成されている。ＧａＡｓ基板１０の裏面上及びビアホール１８内にストレス緩和層２０が形成されている。ＧａＡｓ基板１０の裏面上及びビアホール１８内に、ストレス緩和層２０を介して、Ａｕメッキ２２が形成されている。ストレス緩和層２０は、線膨張係数が６×１０^−６〜１４×１０^−６／Ｋの金属材料からなる。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合を有する半導体装置において、素子領域から電流がリークすることを抑制する。
【解決手段】 半導体装置１００は、バンドギャップを異にする窒化物半導体層６、１０が積層されている半導体積層部１１を有しており、半導体積層部１１が素子領域１００ａと素子領域１００ａの周囲に形成されている素子分離領域１００ｂを備えている。素子領域１００ａは、素子分離領域１００ｂにより他の領域から絶縁されている。半導体装置１００は、素子領域１００ａ内の半導体積層部１１の表面に、主電極に接続する一対の電極群２４，１６を形成する電極群形成工程と、素子分離領域１００ｂ内の半導体積層部１１の表面に、スパッタ法を用いてスパッタ層１２を形成するスパッタ工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ビアホールに起因し基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、長方形の基板１０と、楕円形状または直線部分をその長軸方向に有するトラック形状からなり、その長軸が基板１０の長辺方向に沿って配置されてなるビアホール１２と、を具備することを特徴とするである。本発明によれば、ビアホールに起因した基板に生じる亀裂を抑制し、かつチップ面積を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】細く深いバイアホールが設けられる場合でも、ソースインダクタンスを十分に低減し、高い放熱効率を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２を形成し、その後、化合物半導体領域２上にゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成し、更に、化合物半導体領域２上にソース電極４ｓに接続されるＡｕ膜１０を形成する。次に、ＳｉＣ基板１の裏面にレーザビームを照射して、ＳｉＣ基板１、化合物半導体領域２及びＡｕ層を貫通するバイアホール２１を形成する。次に、バイアホール２１の側面及びＳｉＣ基板１の裏面にわたってビア配線１４を形成する。次に、バイアホール２１内に溶融金属滴３２を充填し凝固させることにより、導通ビアを形成する。そして、溶融金属滴３２を充填する際に、ＳｉＣ基板１を溶融金属滴３２に対して相対的に振動させる。 （もっと読む）

【課題】微細プロセスよりも前に個片化用の溝を形成した場合でも、微細プロセスにおけるフォトリソグラフィで使用するフォトレジストを均一に形成することを可能にする。
【解決手段】配列された複数の素子形成領域ＡＲ１を含むｐ型半導体層１０３における隣り合う素子形成領域ＡＲ１間に平行な２つの溝ＴＲを形成し、個片化時には２つの溝ＴＲの間に形成された凸部１２０を切断する。この構成により、スクライブ領域ＳＲ全体に溝ＴＲを形成する必要が無くなるため、溝ＴＲの幅を例えばダイシングブレードの厚さやレーザスポットの径よりも小さくすることが可能となる。この結果、微細プロセスよりも前に個片化用の溝を形成した場合でも、微細プロセスにおけるフォトリソグラフィで使用するフォトレジストを均一に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の周囲に形成される空洞と保護膜に形成されるホールとの境界部分の開口を封止しやすい構造を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３と、高さが低い部分６Ａと高さが高い部分６Ｂとを有する階段状の空間６をゲート電極３の周囲に有する保護膜４と、高さが低い部分６Ａに接するように保護膜４に形成されたホール５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】安定した利得が得られるアンテナ素子を備えた半導体装置、通信モジュールおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０は、能動素子が形成された能動面１ａを有する半導体基板１と、能動面１ａ上に少なくとも１層以上の絶縁性樹脂層を介して設けられた第１の配線層８と、第１の配線層８に形成されたスロットアンテナ１１と、スロットアンテナ１１に接続された共振用キャパシタ１３とを備え、スロットアンテナ１１は、矩形状の開口部１１ｂを有する平面型のアンテナ素子である。 （もっと読む）

【課題】密着性ガードリングを有する積層構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層と、導電層を覆うように形成された絶縁層を有し、基板上に形成された濡れ性変化層において、導電層が複数形成される回路形成領域の周囲を囲むように、高表面エネルギー領域が形成され、高表面エネルギー領域上に絶縁層を形成することにより、濡れ性変化層と絶縁層との間に密着性ガードリング領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号の伝達も含めた配線抵抗を低減することができると共に、良好な遮蔽導体として機能する配線構造及びその配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 複数の配線層にそれぞれ設けられた配線１，３が互いに重複し、互いに電気的に複数層に亘り並列接続された配線構造であって、複数の配線層の少なくとも下層の一つの配線層が、少なくとも２本以上の並列配線に分離されて延伸しているスリット配線部を有し、上層の配線３からスリット配線部の並列配線の間隙に浸入して両側の並列配線と接続しているスリット接続部２ａを有する配線構造とする。 （もっと読む）