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Fターム[5F033KK15]の内容

Fターム[5F033KK15]に分類される特許

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本発明の実施例によって、第一ILD層と第二ILD層との間にハードマスク層を有する装置が与えられる。ハードマスク層は、第一ILD層および/または第二ILD層にほぼ等しいk値を有する。 (もっと読む)


【課題】 下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。
【解決手段】 インクジェット法を用いた層形成方法は、(a)第1レベル面上に位置する第1導電層21の側面が第1絶縁材料31Aで覆われるように、前記第1レベル面上に第1の濃度を有する前記第1絶縁材料31Aを吐出するステップと、(b)吐出された前記第1絶縁材料31Aを活性化または乾燥して、前記第1導電層21に接する第1絶縁層31Bを形成するステップと、(c)前記第1導電層21上と前記第1絶縁層31B上とに、前記第1の濃度よりも高い第2の濃度を有する第2絶縁材料を吐出するステップと、(d)吐出された前記第2絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第1導電層21と前記第1絶縁層31Bとを覆う第2絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置用のバックエンド工程伝送線路構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置用の伝送線路構造(300)を形成する方法は、第1のメタライゼーション層上に層間絶縁膜を形成するステップと、前記層間絶縁膜の一部を除去するステップと、前記層間絶縁膜の一部の除去により生じた一つ以上のボイド(308)内に犠牲材を形成するステップとを含む。前記層間絶縁膜上に形成された第2のメタリゼーション層中に信号伝送線路(302)が形成され、該信号伝送線路(302)は前記犠牲材上に設けられている。前記第2のメタリゼーション層中に含まれる誘電体の一部が除去されて前記犠牲材が露出され、このとき該犠牲材の一部は前記信号伝送線路(302)を貫通して形成された複数のアクセスホール(310)を介して露出される。前記犠牲材は除去され、それにより前記信号伝送線路(302)の下部にエアギャップが形成される。 (もっと読む)


無電解メッキを利用して、半導体基板に関連する電気的相互接続部を形成することができる。例えば、半導体基板は、その上に無電解メッキに適する表面を持つダミー構造を有するように、且つその上にダミー構造とほぼ同じ高さを有するディジット線を有するように形成することができる。層はダミー構造及びディジット線上に形成され、開口はその層を通ってダミー構造及びディジット線の上部表面まで形成される。続いて、導電性材料が開口内に無電解メッキされて、開口内に電気的接続部を形成することができる。ダミー構造まで延びる開口はキャパシタ電極を通ることができ、したがって、そのような開口内に形成される導電性材料を利用して、キャパシタ電極への電気的接続部を形成することができる。
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【課題】 低静電容量配線のための調節可能な自己整合型エアーギャップ誘電体を形成すること。
【解決手段】 調節可能で自己整合型の低静電容量集積回路のエアーギャップ構造は、相互接続層上で第二相互接続部に隣接する第一相互接続部と、該第一相互接続部及び該第二相互接続部の隣接する側部に沿って形成されたスペーサと、該第一相互接続部と該第二相互接続部との間に形成されたエアーギャップとを含む。エアーギャップは、第一相互接続部及び第二相互接続部の少なくとも一方の上面より上方で、かつ、該第一相互接続部及び該第二相互接続部の少なくとも一方の下面より下方に延び、スペーサ間の距離が該エアーギャップの幅を定める。エアーギャップは、第一相互接続部及び第二相互接続部の隣接する側部に自己整合する。 (もっと読む)


【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜103が多層形成され、絶縁膜103に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜103のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜103の層間にはバリア絶縁膜104を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 (もっと読む)


【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


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