説明

Fターム[5F033KK15]の内容

Fターム[5F033KK15]に分類される特許

81 - 100 / 187


【課題】半導体基板の表裏両面間を貫通配線層で接続した半導体装置において、グランド特性や放熱性を改善する。
【解決手段】半導体装置1は貫通孔3を有する半導体基板2を備える。半導体基板2の第1の主面2aには活性層4が設けられている。貫通孔3の内壁面、活性層4で塞がれた貫通孔3の底面、および半導体基板2の第2の主面2bは絶縁層5で覆われている。貫通孔3の底面に存在する絶縁層5には第1の開口部6が設けられている。半導体基板2の第2の主面2bに存在する絶縁層5には第2の開口部7が設けられている。第1の配線層8は貫通孔3内から半導体基板2の第2の主面2bに亘って設けられている。第2の配線層9は第2の開口部7を介して第2の主面2bと接続するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の貫通接続部において、表面側配線層の貫通孔底部での剥離および破断が防止され、接続不良等が改善された半導体装置と、そのような半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔3を有する半導体基板2の表面に、該貫通孔3と同径の開口4aを有する第1の絶縁層4が被覆され、その上に第1の配線層5が開口4aを覆い形成されている。また、貫通孔3内および半導体基板2の裏面に第2の絶縁層6が被覆されている。第2の絶縁層6は、第1の配線層5と内接するように形成され、内接部に第1の絶縁層4の開口4aよりも小径の複数の開口6aを有している。さらに、貫通孔3内に第2の配線層7が充填・形成され、この第2の配線層7は第2の絶縁層6の複数の開口6aを介して第1の配線層5に内接している。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での壁状付着物や有機マスク残渣の発生を防ぐことにより、貫通接続部の接続不良や機械的信頼性が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔3を有する半導体基板2の表面に、該貫通孔3よりも小径の開口4aを有する第1の絶縁層4が被覆され、その上に第1の配線層5が開口4aを覆い形成されている。また、貫通孔3内および半導体基板2の裏面に第2の絶縁層6が被覆され、その上には拡散防止機能を有する高抵抗金属からなる金属マスク層7が形成されている。第2の絶縁層6および金属マスク層7は、第1の絶縁層4の開口4aと同径の開口6a、7aを有している。さらに、貫通孔3内に第2の配線層8が充填・形成され、この第2の配線層8は第1の絶縁層4および第2の絶縁層6の開口4a、6aを介して第1の配線層5に内接している。 (もっと読む)


【課題】効果的に切断できるヒューズ構造物を有する半導体装置及びその形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板110上に位置するヒューズ構造物120を含む。層間絶縁膜130は、ヒューズ構造物120を覆う。第1コンタクトプラグ151、第2コンタクトプラグ152及び第3コンタクトプラグ153が層間絶縁膜130を貫通して、ヒューズ構造物120に連結される。第1コンタクトプラグ151及び第2コンタクトプラグ152とそれぞれ電気的に連結される第1導電パターン161及び第2導電パターン162が層間絶縁膜上130に配置される。 (もっと読む)


【課題】低コストでメタルキャップ膜が形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜1bに配線溝及び配線孔を形成し、バリアメタル2bを成膜した後、銅層3bを配線溝及び配線孔に埋め込むように形成する。次に、CMP法により表面を平坦化して銅配線層を形成する。この際、CMP用のスラリーに異種金属を有する水溶性金属化合物を添加してCMPを行う。次に、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を行うことにより、銅配線層の表面に、異種金属が添加された銅層9bを形成する。その後、異種金属が添加された銅層9bを覆うようにバリア絶縁膜5bを形成する。 (もっと読む)


【課題】複数の異なる配線箇所に単一のコンタクト電極を形成した構造を有する半導体装置において、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板1の主面の第1方向Aに延在し、その主面上にゲート絶縁膜GZ1を介して形成され、側壁にサイドウォールスペーサ5を備えたゲート電極GE3と、その側方下部である第1部分Jに達するソース/ドレイン領域p1Jと、半導体基板1の主面を覆うようにして順に形成された、エッチング速度の異なる窒化シリコン膜6および酸化シリコン膜7を有する半導体装置であって、第1部分Jにおいて、ゲート電極GE3はサイドウォールスペーサ5に覆われておらず、ゲート電極GE3の上面、側面およびソース/ドレイン領域p1Jは、シリサイド層4Jによって覆われることで電気的に接続され、シリサイド層4Jにはノードコンタクト電極NC2が電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】配線間の容量が低く、歩留りや信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ギャップ110の形成によりキャップ膜108厚が薄くなったまたは消失したとしても、ギャップ110を形成した後に、下層配線107上にキャップ膜111を選択的に成長させることにより、キャップ膜の厚さを確保することができるため、配線間の容量を十分に低減でき、かつ、歩留りや信頼性を高く維持することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体基板に貫通配線層を形成する際の貫通孔底部での配線層の薄膜化が防止され、貫通接続部の接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔3を有する半導体基板2の表面に、該貫通孔3と同径の開口4aを有する第1の絶縁層4が被覆され、その上に第1の配線層5が形成されている。また第1の配線層5の近傍に、貫通孔3とその内壁面等に形成された第3の絶縁層8および貫通孔3内に充填・形成された第3の配線層9から成る貫通接続部が形成されている。そして、この貫通接続部に内接された第2の配線層7と第1の配線層5とが電気的に接続され、貫通孔3の内壁面と第1の配線層5との間に第2の絶縁層6が介在し、第1の配線層5と貫通孔3内に充填・形成された第3の配線層9とが離間されるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の貫通配線部において、貫通孔底部での絶縁層の被覆性が向上され、電気的絶縁性の低下や接続不良が改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】貫通孔3を有する半導体基板2の表面に、該貫通孔3と同径の開口4aを有する第1の絶縁層4が被覆され、その上に第1の配線層5が開口4aを覆い形成されている。また、貫通孔3内および半導体基板2の裏面に第2の絶縁層6が被覆されている。第2の絶縁層6は、第1の配線層5と内接するように形成され、内接部に第1の絶縁層4の開口4aよりも小径の開口6aを有している。さらに、貫通孔3内に第2の配線層7が充填・形成され、この第2の配線層7は第2の絶縁層6の開口6aを介して第1の配線層5に内接している。 (もっと読む)


【課題】 nチャネル導電型電界効果トランジスタ及びpチャネル導電型電界効果トランジスタの電流駆動能力の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板の一主面の第1の領域にチャネル形成領域が構成されたnチャネル導電型電界効果トランジスタと、前記半導体基板の一主面の第1の領域と異なる第2の領域にチャネル形成領域が構成されたpチャネル導電型電界効果トランジスタとを有する半導体装置であって、前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力と、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力とが、各々で異なっている。前記nチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は引っ張り応力であり、前記pチャネル導電型電界効果トランジスタのチャネル形成領域に発生する内部応力は圧縮応力である。 (もっと読む)


【課題】Cuを含有する配線層及びAlを含有するビアプラグ層を備える半導体装置に関し、配線層及びビアプラグ層の信頼性を向上させること。
【解決手段】Cuを含有する配線層と、前記配線層上に形成された層間絶縁膜と、前記配線層上の前記層間絶縁膜内に形成されたビアホールと、前記ビアホール内における前記配線層上に形成された第1のバリア層と、前記第1のバリア層上及び前記ビアホールの側壁に形成された第2のバリア層と、前記第2のバリア層上に形成され、Alを含有する導電層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 (もっと読む)


【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第1の層と第2の層とを有した多層構造のうちの前記第1の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも2つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第1の層にエンボス処理を施す工程(a)と、前記深い部分の底部で、前記第2の層の下地表面が露出するように、前記第1の層を介して前記第2の層をエッチングする工程(b)と、前記浅い部分の底部で前記第2の層の表面が露出するように、前記第1の層をエッチングする工程(c)と、を包含している。 (もっと読む)


【課題】 集積度が低下することを最大限抑制しつつ、必要に応じて大きい電流容量の確保を可能にしたコンタクトプラグを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1上にソース・ドレイン領域8を形成後、層間絶縁膜10を堆積し、ソース・ドレイン領域8の上面が露出するようにコンタクトホールを開口する。このとき、比較的小電流容量で機能を奏するロジック素子形成領域上面においては最小加工寸法で規定される程度の小さい孔径で開口する一方、大電流容量を必要とする保護素子形成領域上面においては、第1孔径よりも大きい第2孔径で開口する。その後、これらのコンタクトホールを完全に充填するように、コンタクトプラグ材料膜13を層間絶縁膜10の堆積膜厚以上成膜する。その後、コンタクトプラグ材料膜13に対して平坦化処理を行った後、配線層を形成する。 (もっと読む)


【課題】写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合う配線用導電層5はエアギャップ8を挟んでおり、材質に銅を含んでいる。導電性のキャップ層6は、配線用導電層5上に選択的に形成され、かつ配線用導電層5中の銅の拡散のバリアとして機能する。絶縁膜7は、配線用導電層5、キャップ層6およびエアギャップ8の上に延在し、かつキャップ層6の上面および側面を覆っている。上層配線用のビアホールはキャップ層6に達し、かつ絶縁膜7を貫通していない。 (もっと読む)


【課題】ホールサイズが小さい場合でも、ホール底部の表面にCNTを成長せしめることができるCNT成長用微細ホール形成方法、CNT成長用基板及びCNT成長方法の提供。
【解決手段】CNT成長用基板の主面上に母線層、CNT成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にCNT成長用の微細ホールを形成する。このCNT成長用微細ホールが形成されている基板。このCNT成長用微細ホールの底部表面に、CVD法によりCNTを成長せしめる。 (もっと読む)


【課題】配線間絶縁膜からビア間絶縁膜への水分の移動を抑制し、配線間の実効誘電率に与える影響の少ない絶縁膜を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置1は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線2bと、前記配線2bと同じ層に形成された配線間絶縁膜4bと、前記配線2bの下面に接続された第1のビア7aと、前記第1のビア7aと同じ層に形成された第1のビア間絶縁膜8aと、前記配線2bの上面に接続された第2のビア7bと、前記第2のビア7bと同じ層に形成された第2のビア間絶縁膜8bと、前記配線間絶縁膜4bと前記第1のビア間絶縁膜8aとの間、および前記配線間絶縁膜4bと前記第2のビア間絶縁膜8bとの間の少なくともいずれか一方に形成されたCuSiN膜9と、を有する。 (もっと読む)


歪みが強化された半導体デバイス30とその製造方法が提供される。1つの方法において、デバイスチャネル70、72に歪みを誘発するために、デバイスのソース領域103、107とドレイン領域105、109とに歪み誘発半導体材料102、106が埋め込まれる。誘発された歪みを緩和しないように、ソースおよびドレイン領域に対して薄い金属シリサイドコンタクト112が形成される。導電性材料114、116の層が薄い金属シリサイドコンタクトに接触して選択的に蒸着され、金属化されたコンタクト122が導電性材料に対して形成される。
(もっと読む)


【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板1の表面に形成したマスク17を用いて絶縁性基板1の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝18を形成する。マスク17を除去せずに絶縁性基板1の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜20を形成する。マスク17の剥離により膜20の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝18の内部に膜20を残す。加熱により溝18内の膜20を本硬化させ所望のゲート配線2を得る (もっと読む)


【課題】コンタクトブロックを用いた炭素元素からなる線状構造体を材料とする配線を、できるだけ工程数を削減して、低コストで容易且つ確実に形成する。
【解決手段】コンタクトブロック1,2の対向面1a,2aを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のCNT3a,3bを成長させてゆき、CNT3a,3bを交差するように接触させて両者を電気的に接合してCNT束3を形成する。そして、電気的に接合されたCNT束3の間隙を金属材料4で埋め込み、CNT束3と金属材料4との複合状態とされてなる配線5を形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をTiNとし、シリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりTiN微粒子12を、直径3nm程度に設定して堆積した後、TiN微粒子12が堆積されたシリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりCo微粒子13を、TiN微粒子12と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径1nm程度に設定して堆積する。 (もっと読む)


81 - 100 / 187