【課題】 配線間容量およびＲＣ遅延量の増加を招くことなく、ビア埋め込みの不良に基づくビア導通の不良による信頼性劣化を改善することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＯ_２等による第１の層間絶縁膜１上の所定位置に下層配線３が埋め込まれ、この下層配線３はバリアメタル２で被覆されている。下層配線３とウェハ１の上面には、Ｃを主成分とするＰＡＥによる有機膜５が設けられ、有機膜５の全面にＳｉＯ_２、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等による第２の層間絶縁膜６が形成され、この第２の層間絶縁膜６に上層配線８及びビア９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】超小型電子相互接続構造の多層キャップ障壁を提供すること。
【解決手段】本明細書には、少なくとも１つの低ｋサブレイヤと少なくとも１つの空気障壁サブレイヤとを有する低ｋ多層誘電拡散障壁層を有する構造が記載される。多層誘電拡散障壁層は金属の拡散に対する障壁であり、かつ空気の透過に対する障壁である。この構造の生成に関連した方法および組成物も記載される。これらの低ｋ多層誘電拡散障壁層を利用する利点は、導電性金属フィーチャ間のキャパシタンスの低下によるチップ性能の増大、および多層誘電拡散障壁層が空気を通さず金属拡散を防ぐことによる信頼性の増大である。
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【課題】製造工程数を大幅に増加させることなく、Ｐ型ＭＯＳＦＥＴとＮ型ＭＯＳＦＥＴとで異なる仕事関数を有する金属ゲート電極を形成する。
【解決手段】Ｎ型ＭＯＳトランジスタとＰ型ＭＯＳトランジスタとが形成された半導体装置であって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極１０７ｎは、ゲート絶縁膜１０４に接するタングステン膜１０５ｎを具備し、Ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極１０７ｐは、ゲート絶縁膜１０４に接するタングステン膜１０５ｐを具備し、タングステン膜１０５ｎに含有される炭素の濃度が、タングステン膜１０５ｐに含有される炭素の濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エアーギャップ構造を利用したデュアルダマシン構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基体上にＳｉ犠牲膜４２０を堆積し、このＳｉ犠牲膜に下層配線用の溝を形成した後、この配線溝に導電性材料を埋め込み下層配線２６０とする。この下層配線と前記Ｓｉ犠牲膜上に多孔質ｌｏｗ−ｋ膜２８０とＳｉ犠牲膜４２４を順次堆積した後、これらの膜を貫通する開口部と、Ｓｉ犠牲膜４２４には上層配線用の溝とを形成し、前記開口部と配線溝に導電性材料を堆積させ上層配線２６２とする。この後Ｓｉ犠牲膜４２０、４２４をエッチングで除去し、エアーギャップ３１１，３１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プラグと配線との接続抵抗および絶縁膜の誘電率を効果的に低下させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板の上部に設けられ、銅含有金属により構成される第一配線１０８と、第一配線１０８の上部に設けられ、第一配線１０８に接続する導電性の第一プラグ１１４と、第一配線１０８の上部において、第一プラグ１１４が設けられた領域以外の領域に設けられたＣｕシリサイド層１１１と、第一プラグ１１４の上部に設けられたＣｕシリサイド層１１７と、第一配線１０８の側面から第一プラグ１１４の側面にわたって形成されるとともに、第一配線１０８の側面と、第一配線１０８の上部と、第一プラグ１１４の側面とを被覆する第一ポーラスＭＳＱ膜１０５と、を含む配線構造を有する。 （もっと読む）

【課題】銅配線と、その上部の接続プラグとのコンタクト箇所の信頼性を向上させる。
【解決手段】ＣｏＷＰからなるキャップメタル３４の上部に、キャップメタル窒化層３５を設ける。キャップメタル３４およびキャップメタル窒化層３５の膜厚は、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。キャップメタル３４の膜厚に対するキャップメタル窒化層３５の膜厚の比は、たとえば０．１〜１とする。また、ＳｉＯＣ膜１４ａの上には、ＳｉＯＣ膜１４ａの表面が窒化したＳｉＯＣＮ層１６が形成されている。ＳｉＯＣＮ層１６は、表面に窒素が偏析した領域からなる層であって、その厚みは、たとえば１ｎｍ〜１００ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】より高性能、高信頼性の記憶装置、及びその記憶装置を備えた半導体装置を低コストで、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と、第１の導電層の側端部と接して設けられる第１の絶縁層と、第１の導電層及び第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられる第２の導電層とを有し、第２の絶縁層は、絶縁性材料によって形成されており、絶縁性材料が流動化したときの流動化物に対するぬれ性は、第１の導電層より第１の絶縁層の方が高い。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低いと共にリーク電流が少ない有機シリコン系膜を得易い有機シリコン系膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 原料ガスとして少なくとも１種の有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜するにあたり、前記有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素、炭素、及び窒素を構成元素として含有していると共に、ケイ素原子と窒素原子とが互いに結合していない化合物を用いることによって、上記課題を解決した。 （もっと読む）

【課題】 製造許容値を緩和した相互接続構造を提供する。
【解決手段】 相互接続構造を製造する方法であって、誘電層に相互接続部を設けるステップと、相互接続部の一部が誘電層の上面よりも上に延出するように誘電層をくぼませるステップと、相互接続部の延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、を含む。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０）と、基板（１０）の少なくとも一部に配置された少なくとも１つの金属多層組織と、金属多層組織上に配置されており、少なくとも１つの接続孔を有する非伝導性層（５０）とを備え、接続孔には、少なくとも１つのナノチューブが、接続孔の底部にある金属多層組織上に成長しており、金属多層組織は、高融点金属層（２０）と、金属分離層（３０）と、触媒層（４０）とを含んでいる集積電子部品に関する。本発明はさらに、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための方法と、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための金属多層組織の使用とに関する。
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【課題】 半導体装置において配線等として用いられる種々金属導電層材料の表面の酸化膜を、周辺構造物に損傷を起こすことなく除去する。
【解決手段】金属導電領域12を還元処理室22内に入れ、酸素ポンプ30により、少なくとも酸素分圧を1×10^-13気圧以下に抑えた不活性ガスを還元処理室22内に導入する。金属導電領域12を加熱手段25により加熱することで、金属導電領域12の表面に形成されている酸化膜を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】 幅の異なる銅配線上に金属キャップ層を形成する際に、幅の広い銅配線の表面を十分覆うために、金属キャップ層を形成にかける時間を長くすると、幅の細い銅配線上に形成される金属キャップ層が、配線の幅からはみ出し、ショートを引き起こす。
【解決手段】 幅の狭い銅配線の表面に金属キャップ層を形成するための時間を、幅の広い銅配線の表面に形成するための時間よりも短くする。この特徴により、幅の広い銅配線表面を十分に金属キャップで覆うことができ、幅の細い配線上に形成された金属キャップ層によるショートの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】配線層の第１絶縁膜に対して選択的にエッチングできるもので接続孔が形成される第２絶縁膜を形成することで、配線信頼性の高い多層配線構造を有する半導体装置を可能とする。
【解決手段】第１絶縁膜１１と、前記第１絶縁膜１１に形成されたもので第１配線２１上のみにバリア膜２２が形成された第１配線２１と、前記第１配線２１を被覆して前記第１絶縁膜１１上に形成されかつ接続孔２３が形成された第２絶縁膜１２とを有し、前記第２絶縁膜１２の前記第１絶縁膜１１側は、前記第１絶縁膜１１に対して選択的にエッチング可能なものである。 （もっと読む）

【課題】複数の空孔を有する絶縁膜の形成方法を提案する。また、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。また、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて、前記多孔質の絶縁膜に導電性粒子を含む組成物を吐出し、焼成して配線を形成する。レーザ光としては、超短パルスレーザーレーザ光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】レーザ光によって加工を行う際に、被加工部分以外の部分が悪影響を受けない配線装置を提供する。
【解決手段】基板３０１上に、シリコン酸化膜からなる下部絶縁層３０２と、Ａｌからなる下部配線層３０３と、ポリイミドからなる上部絶縁層３０４と、Ａｌからなる上部配線層３０６とを有する。上記下部配線層３０３と、上部配線層３０６とが、接続配線３０８によって電気的に接続されている。下部絶縁層３０２は基板３０１に比べ熱伝導率が高く上部絶縁層３０４の開口形成時にレーザによる下部配線層３０３に溜った熱を放熱し下部配線層３０３の溶解や剥がれを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ダマシン法により配線１５を第１の絶縁膜１１中に形成する。そして、電解メッキ法等により、配線１５上のみに選択的に金属拡散防止膜１６を形成する。その後、第２の絶縁膜１９形成前に、第１の絶縁膜１１上に存在する部分的選択破れにより意図せず生じた金属拡散防止膜１６や、残留金属イオン１７等を除去するＣＭＰ工程をする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 アライメントずれが生じる場合に、配線にダメージを与えることがなく、また、AirGapと接続孔とが貫通することがない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１の絶縁膜１０１中に複数の下層配線１０３を形成する工程と、下層配線１０３間に存在する部分を除去して配線間ギャップ１０６を形成する工程と、下層配線１０３と配線間ギャップ１０６が形成された第１の絶縁膜１０１との上に、エアギャップ１０８が形成されるように、第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜１０７中に、下層配線１０３と接続するビア１０９を形成すると共に、ビア１０９と接続する上層配線１１０を形成する工程とを備える。ビア１０９は、エアギャップ１０８が隣り合って形成されていない下層配線１０３と接続するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ束の密度を向上し、電気抵抗や熱抵抗の低減を図るカーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージを提供する。
【解決手段】 第１配線層２１、層間絶縁膜２２、第２配線層２３が順次積層され、層間絶縁膜２２を貫通するビアホール２４に、第１配線層２１と第２配線層２３を電気的に接続するカーボンナノチューブ束２５が形成されてなるビア２６から構成する。カーボンナノチューブ束２５は、第１配線層２１の凹部２８の側面および底面に形成された触媒層２９から成長させ、側面から成長したカーボンナノチューブ２５ａによりカーボンナノチューブ束２５の密度を向上する。 （もっと読む）

本発明の実施例によって、第一ＩＬＤ層と第二ＩＬＤ層との間にハードマスク層を有する装置が与えられる。ハードマスク層は、第一ＩＬＤ層および／または第二ＩＬＤ層にほぼ等しいｋ値を有する。 （もっと読む）