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Fターム[5F033KK15]の内容

Fターム[5F033KK15]に分類される特許

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【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第1トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第1コンタクトを備える。基板1上には、層間絶縁層4、5が設けられている。第1トランジスタ3aは、半導体基板1に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第1トランジスタは、少なくともゲート電極32及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子19は、多層配線層内に設けられている。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、ゲート電極32の上面と接しており、層間絶縁層4内に埋設されている。第1コンタクト10aは、第1トランジスタ3aの拡散層に接続しており、層間絶縁層4内に埋設される。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、第1コンタクト10aと同じ材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高いコンタクト構造を提供する。
【解決手段】電子装置は第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の表面に形成された配線溝と、Cuよりなり前記配線溝を充填する配線パタ―ンと、前記配線パタ―ンの表面に形成され、Cuよりも大きな弾性率を有する金属膜と、前記第1の絶縁膜上に形成された第2の絶縁膜と、Cuよりなり、前記第2の絶縁膜中に形成され、前記金属膜とコンタクトするビアプラグと、を備える。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第1の触媒金属膜と、前記第1の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した第2の触媒金属膜と、前記第2の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、埋設導電部間のショートが起き難くすること。
【解決手段】半導体素子を有する素子領域と貫通電極が形成される貫通電極領域とを有する基板の上に第1絶縁膜を形成し、前記素子領域上の前記第1絶縁膜に凹部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜にダミー凹部を形成し、前記第1絶縁膜上、前記凹部内、および前記ダミー凹部内に第1導電材を形成し、前記第1導電材および前記第1絶縁膜の上部を研磨して、前記凹部内に導電部を形成すると共に前記ダミー凹部内にダミー導電部を形成し、前記貫通電極領域上の前記第1絶縁膜および前記貫通電極領域をエッチングして前記基板内に至る貫通電極ホールを形成した後、前記貫通電極ホール内に第2導電材を形成し、前記貫通電極ホール内に形成された第2導電材が露出するまで前記基板の裏面を研磨して、前記貫通電極を形成すること。 (もっと読む)


【課題】ダイシング工程におけるチッピング不良を低減させる。
【解決手段】一面側に複数の回路素子3が形成され、この回路素子が形成された領域間に第一スクライブライン領域R1が設けられたウエハ状の半導体基板2と、この半導体基板の他面2bから半導体基板の一面2aまで貫通する貫通孔7と、この貫通孔の内面及び半導体基板の他面側に形成された絶縁膜5と、この絶縁膜上に形成された配線6とを備えた半導体ウエハにおいて、半導体基板の他面側に形成された絶縁膜に、第一スクライブライン領域に沿って絶縁膜が離間した領域である第二スクライブライン領域R2が設けられている半導体ウエハを提供する。 (もっと読む)


【課題】 実施形態は、製造工程が簡便な手法によって製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、実施形態にかかる半導体装置は、基板と、基板上に触媒金属膜と、触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと前記コンタクトホールにカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に又は前記層間絶縁膜を貫通するカーボンナノチューブを水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる1種以上のガスのプラズマで処理した前記触媒金属膜上に備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高品質な配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1の領域100及び第2の領域200に設けられた第1の絶縁層10と、第1の領域に設けられた第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層11aと、第2の領域200に設けられた第1の絶縁層上に形成され、第2の絶縁層と略同一の高さを有する第3の絶縁層11cと、第1の領域に設けられた第1の絶縁層上及び第2の絶縁層の両方の側壁に形成された第1の配線層13aと、第2の領域に設けられた第1の絶縁層上、及び第3の絶縁層の上面及び側壁上に形成された第2の配線層13bと、第1の絶縁層、第2の絶縁層、第1の配線層、及び第2の配線層を覆う第4の絶縁層15と、第1の領域に設けられた第4の絶縁層内に形成され、第1の配線層に接続された第1のコンタクトプラグ17aと、第2の領域に設けられた第4の絶縁層内に形成され、第2の配線層に接続された第2のコンタクトプラグ17bと、を備える。 (もっと読む)


【課題】TATの短縮及び製造コストの低下を図る。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置の製造方法は、下地層上にピラーを形成する工程と、GCIB法を用いて、下地層上に、ピラーを覆い、かつ、上面の最も低い部分がピラーの上面よりも下にある絶縁層を形成する工程と、CMP法を用いて、絶縁層及びピラーを、絶縁層の上面の最も低い部分まで研磨する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の反射率に依存せず、アライメントマークの識別性を確保することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、シリコン基板24と、シリコン基板24上に少なくともNiCoパターン31とアルミ電極30とを含んで形成される回路部3と、シリコン基板24上に回路部3のNiCoパターン31と同工程において形成される低反射パターンとしてのNiCoパターン22と、NiCoパターン22上に形成され、回路部3のアルミ電極30と同工程において形成される高反射パターンとしてのアルミパターン20とを有する。 (もっと読む)


【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層(絶縁層106)を形成する工程。絶縁層106の一部を選択的に除去して凹部(配線溝107及び配線溝110)を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜112と金属膜114とをこの順で埋め込むことにより配線(配線115a、115b)を形成する工程。配線(配線115a、115b)を残しつつ、絶縁層106を除去する工程。絶縁層106を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線(配線115a、115b)の周囲を埋設する層間絶縁層118を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒(アルコール及び水を除く)と、を含むことにより特定される。 (もっと読む)


【課題】従来のルテニウムバリア材と同様に優れた銅拡散の抑制効果を有し、供給性の点で問題がなく、比較的低コストの金属又はその金属を含む金属間化合物からなる新規な半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路用バリア材を提供する。
【解決する手段】バリア膜若しくはバリア膜とシード膜からなる複合膜の上に銅配線層を有する半導体集積回路装置の前記バリア膜を構成するバリア材として、単位結晶格子の最近接原子間距離(D)がルテニウムの単位結晶格子の最近接原子間距離(DRu)に近い領域、具体的には、オングストローム(Å)単位で−0.200Å<(D―DRu)<0.12Åの関係にあって、かつ融点若しくは変態点が650ケルビン(K)以上である金属又は金属間化合物を選択することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】実効誘電率が低く、かつ信頼性の高いバリア絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。
【解決手段】半導体装置100は、層間絶縁膜10と、層間絶縁膜10中に設けられた配線20と、層間絶縁膜10上および配線20上に設けられたSiN膜30と、を備え、FTIRによって測定したSiN膜30のSi−N結合のピーク位置が845cm−1以上860cm−1以下である。これにより、配線金属の拡散を防ぐためのバリア絶縁膜である窒化シリコン膜において、リーク電流を抑制することができる (もっと読む)


【課題】半導体基板上に形成するインダクタのインダクタンスを大きくすること。
【解決手段】半導体基板上に形成された少なくとも1層からなるコイル配線のコイル中央孔に別基板に形成されたコアを挿入する。コアをコイル中央孔に固定した後、別基板は分離する。コアは別基板に接合材を介してコア材(磁性体)の薄板を付着させて、パターニングする。半導体基板上に形成されたコイル中央孔は流動性接着剤が入っていて、コアを挿入した後に流動性接着剤が硬化してコアが固定される。コアが固定された後に接合剤の接着力を低下させて別基板を分離する。コア材はバルクと同じ高透磁率を有するので、非常に大きなインダクタンスを持つインダクタを形成できる。 (もっと読む)


【課題】半導体構造同士を直接結合する方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態は、半導体構造同士を直接結合する方法を含む。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ間の境界面に、キャップ層を提供することができる。いくつかの実施形態では、半導体構造の直接結合された金属フィーチャ内に、不純物が提供される。そのような方法を使用して、結合された半導体構造が形成される。 (もっと読む)


【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して、信頼性の高い半導体
装置を作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上に導電層を形成し、該導電層上に光透過層を形成し、該光透過層上か
らフェムト秒レーザを照射して、該導電層及び該光透過層を選択的に除去する工程を有す
る。なお、該導電層の端部は、該光透過層の端部より内側に配置されるように該導電層及
び該光透過層を除去されていてもよい。また、フェムト秒レーザを照射する前に、該光透
過層表面に撥液処理を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】グラフェン配線は、配線溝を有する絶縁膜13と、前記配線溝内の両側面の前記絶縁膜上に形成された第1触媒膜15と、前記配線溝内の両側面の前記第1触媒膜上に形成され、両側面に対して垂直方向に積層された複数のグラフェンシートで構成された第1グラフェン層16と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第1のCu配線102と、第1のCu配線102の上に設けられ、第1のCu配線102からCuの拡散を防ぐ第1のバリア絶縁膜103とを備える。また、第1のバリア絶縁膜103の上には、第2のCu配線105と、第1のCu配線105の上に設けられ、第2のCu配線105からCuの拡散を防ぐ第2のバリア絶縁膜106と、を備える。第1、第2のバリア絶縁膜103、106は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 (もっと読む)


【課題】低伝導度領域ができるだけ少なくなるグラフェン配線構造が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、触媒金属膜220と、グラフェン膜230と、コンタクトプラグ240と、調整膜250と、を備える。触媒金属膜は、基板上に形成される。グラフェン膜は、触媒金属膜上に形成される。コンタクトプラグは、グラフェン膜と接続する。調整膜は、前記グラフェン膜表面のうち、前記コンタクトプラグと接続する領域以外の領域上に形成され、ディラック点位置をフェルミ準位に対してコンタクトプラグと接続する領域と同方向に調整する。 (もっと読む)


【課題】異方性エッチングを利用して、1つの銅膜に配線パターンとビアパターンとを同時に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア膜100上に、銅膜101を形成する工程と、銅膜101上に、第1のマスク材を形成する工程と、第1のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をバリア膜100が露出するまで異方的にエッチングする工程と、第1のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、第2のマスク材を形成する工程と、第2のマスク材をマスクに用いて、銅膜101をその途中まで異方的にエッチングする工程と、前記第2のマスク材を除去した後、異方的にエッチングされた銅膜101上に、絶縁物を堆積させ、異方的にエッチングされた銅膜101周囲に、層間絶縁膜106を形成する工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】配線構造における電気特性の向上を図る。
【解決手段】カーボンナノチューブ配線の製造方法は、第1導電層200上に、絶縁膜18を形成し、前記絶縁膜内に、前記絶縁膜を貫通するホール40を形成し、前記ホール内の底面の前記第1導電層上および前記ホール内の側面の前記絶縁膜上に、触媒下地膜19を形成し、前記ホール内の側面の前記触媒下地膜上に、触媒不活性膜20を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒下地膜上および前記ホール内の側面の前記触媒不活性膜上に、触媒膜21を形成し、前記ホール内の底面の前記触媒膜上から複数のカーボンナノチューブ22を成長させる。 (もっと読む)


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