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Fターム[5F033KK16]の内容

Fターム[5F033KK16]に分類される特許

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【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器151内に電着液152を収容し、電着液152の中で、白金からなる対向電極153に基板101の金属パターン104形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源154により、対向電極153に正電圧を印加し、シード層102に負電圧を印加する。ここで、金属パターン105に必要な配線を接続することで、シード層102に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン104および金属パターン105の露出している面(上面)に、電着液152中の電着成分が付着(析出)し、電着絶縁膜106が形成される。 (もっと読む)


【課題】活性層を保護するとともにドレイン電極と画素電極との電気的導通を十分確保できるような保護層を設けたトランジスタアクティブ基板を提供する。
【解決手段】トランジスタアクティブ基板は、基板301、ゲート電極302、ゲート絶縁膜303、ソース電極304、ドレイン電極305および活性層306から構成される薄膜トランジスタ上に、保護膜307および画素電極308が配置されており、ドレイン電極305の表面粗さをRa(M)、保護膜307の膜厚をD(I)としたときに、D(I)≦Ra(M)×15の関係にある。 (もっと読む)


一又は複数のナノ構造の作成方法が開示されており、当該方法は:基板の上部表面上に導電層を形成すること;導電層上に触媒のパターン層を形成すること;触媒層上に一又は複数のナノ構造を成長させること;及び一又は複数のナノ構造の間及び周囲の導電層を選択的に除去することを含んでなる。デバイスもまた開示されており、該デバイスは、基板、ここで基板は一又は複数の絶縁領域によって隔てられた一又は複数の露出金属島を含んでなる;一又は複数の露出金属島又は絶縁領域の少なくともいくつかを覆う基板上に配された導電性補助層;導電性補助層上に配された触媒層;及び触媒層上に配された一又は複数のナノ構造を含んでなる。 (もっと読む)


【課題】ホールサイズが小さい場合でも、ホール底部の表面にCNTを成長せしめることができるCNT成長用微細ホール形成方法、CNT成長用基板及びCNT成長方法の提供。
【解決手段】CNT成長用基板の主面上に母線層、CNT成長用触媒層としての触媒金属の酸化物層、及び絶縁層をこの順番に設け、絶縁層をエッチングして絶縁層にCNT成長用の微細ホールを形成する。このCNT成長用微細ホールが形成されている基板。このCNT成長用微細ホールの底部表面に、CVD法によりCNTを成長せしめる。 (もっと読む)


【課題】 埋込配線が形成される絶縁性基板の材料が耐熱性の高いものに限定されず、当該埋込配線の端子部の耐食性を向上でき、パターニングが少ない工程で且つ良好な膜厚精度で確実に行われる埋込配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板1の表面に形成したマスク17を用いて絶縁性基板1の表面を選択的に除去し、配線パターンに対応する平面形状を持つ溝18を形成する。マスク17を除去せずに絶縁性基板1の表面全体に金属ナノ粒子インクを塗布し、加熱により仮硬化させて金属ナノ粒子インク膜20を形成する。マスク17の剥離により膜20の当該マスク上にある部分を選択的に除去して溝18の内部に膜20を残す。加熱により溝18内の膜20を本硬化させ所望のゲート配線2を得る (もっと読む)


【課題】コンタクトブロックを用いた炭素元素からなる線状構造体を材料とする配線を、できるだけ工程数を削減して、低コストで容易且つ確実に形成する。
【解決手段】コンタクトブロック1,2の対向面1a,2aを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のCNT3a,3bを成長させてゆき、CNT3a,3bを交差するように接触させて両者を電気的に接合してCNT束3を形成する。そして、電気的に接合されたCNT束3の間隙を金属材料4で埋め込み、CNT束3と金属材料4との複合状態とされてなる配線5を形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をTiNとし、シリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりTiN微粒子12を、直径3nm程度に設定して堆積した後、TiN微粒子12が堆積されたシリコン基板11上に、例えばレーザーアブレーション法によりCo微粒子13を、TiN微粒子12と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径1nm程度に設定して堆積する。 (もっと読む)


本発明の種々の実施形態は、非単結晶基板上にナノ構造物を形成する方法、並びにその結果得られるナノ構造物及びナノスケール機能デバイスに関する。本発明の一実施形態では、ナノ構造物を形成する方法は、金属層(100)及びシリコン層(104)を含む多層構造物(106)を形成することを含む。多層構造物(106)は、熱工程にかけられ、それにより金属シリサイド晶子(110)が形成される。金属シリサイド晶子(110)上にはナノ構造物(114)が成長される。本発明の別の実施形態では、構造物は、非単結晶基板(102)及び非単結晶基板(102)上に形成された層(108)を含む。層(108)は、金属シリサイド晶子(110)を含む。金属シリサイド晶子(110)上にいくつかのナノ構造物(114)が形成されてもよい。開示の構造物は、電子デバイス及び/又は光電子デバイスで使用されるいくつかの異なるタイプの機能デバイスを形成するために使用することができる。
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【課題】カーボンナノチューブを有する電気配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】集積回路装置は、カーボンナノチューブを含む導電性配線を含む。電気配線は、第1金属領域を含む。第1導電性バリア層が前記第1金属領域の上部表面上に提供され、第2金属領域は、前記第1導電性バリア層上に提供される。前記第1導電性バリア層は、前記第1金属領域からの前記第1金属の外部拡散を抑制する物質を含み、前記第2金属領域は、内部に触媒金属を含む。内部に開口を有する絶縁層が前記第2金属領域上に提供される。多数のカーボンナノチューブが、前記開口内に垂直電気配線として提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程において、フォトレジストを用いたリソグラフィー工程を簡略化する半導体装置の製造技術を提供して、製造コストを低減し、スループットを向上させる。
【解決手段】基板上に第1材料層、第2材料層を順次積層して被照射体を形成する。当該被照射体に、第1材料層に吸収される第1のレーザビームと、第2材料層に吸収される第2のレーザビームを重畳するように照射し、該重畳するようにレーザビームが照射された領域の一部或いは全部をアブレーションさせ、開口を形成する。 (もっと読む)


【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】TFT及びそれを用いる電子回路並びにTFTによって形成される表示装置の製造工程において、フォトリソグラフィ工程を使用せず、さらに工程を簡略化し、生産能力を向上させる技術を提供する。
【解決手段】レーザビームを射出するレーザ発振器と、前記レーザビームを被照射体の表面において線状ビームに形成する光学系と、前記光学系と前記被照射体との間に設けられたマスクと、を有し、前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記被照射体に照射される。 (もっと読む)


本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および/または熱の散逸体に適切である。
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【課題】 加圧することにより溶剤を被加工試料に強制的に浸透せしめるリフトオフ加工方法およびリフトオフ加工装置を提供することで、従来の技法では不可能であった微細構造においてもリフトオフ加工の実施を可能とする。
【解決手段】 被加工試料Wを溶剤Gに浸し、加圧することのできる密閉容器1と、該密閉容器1内を加圧する加圧手段2とを備えてなり、被加工試料Wが溶剤Gに浸した状態で密閉容器1内に入れられ、加圧手段2を用いて加圧されるようにして、常圧では浸透できない被加工試料Wの狭隘な隙間まで溶剤Gが押し込まれ、リフトオフ試料物であるレジストマスクを膨潤させることができるようにし、微小なパターンでもリフトオフが可能となるようにしている。 (もっと読む)


【課題】 表面にキャップメタル膜が形成された銅配線を含む半導体装置において、ビア接続の歩留まりや抵抗の均一性を良好にする。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された絶縁膜に、配線溝を形成する工程(S100)と、絶縁膜上全面に、バリアメタル膜を形成する工程(S102)と、バリアメタル膜上全面に、配線溝内を埋め込むように銅膜を形成する工程(S104)と、絶縁膜表面に、バリアメタル膜が残る条件で、配線溝部外の銅膜を研磨により除去する工程(S106)と、銅膜を研磨により除去する工程の後に、配線溝部内に形成された銅膜上に、選択的にキャップメタル膜を形成する工程(S108)と、キャップメタル膜を研磨により平坦化する工程(S110)とを含む。 (もっと読む)


【課題】 1.5以上の高アスペクト比である微細ホールに対しても、金属配線膜を埋め込むことができるように、ホールへの金属配線膜の埋め込み性を従来よりも向上させる。
【解決手段】 TiN膜の成膜工程63で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってTiN膜を成膜する。このとき、成膜温度を、従来よりも低温の150℃とすることで、アモルファス構造のTiN膜を形成する。その後、スパッタ工程64、65で、アモルファス構造のTiN膜の表面上にAl合金膜を形成することで、TiN膜を下地とした状態で、Al合金膜をコンタクトホールの内部に埋め込む。このように、Al合金膜の下地となるTiN膜をアモルファス構造にすることで、TiN膜の表面エネルギーを大きくし、TiN膜のAl合金膜に対する濡れ性を従来よりも向上させることができ、ホールへのAl合金膜の埋め込み性を従来よりも向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】液滴吐出法などのマスクレスプロセスを用いて円形薄膜トランジスタを作製することにより、工程の簡略化、作製時間の短縮、及び作製費用の低減を図ると共に、従来よりもその形状が制御された円形薄膜トランジスタの作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の電極を有する円形薄膜トランジスタを形成する。また、液滴吐出法等のマスクレスプロセスを用いて、基板上に同心円状の薄膜を積層し、円形の半導体層を有する円形薄膜トランジスタを形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】より高性能、高信頼性の記憶装置、及びその記憶装置を備えた半導体装置を低コストで、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第1の導電層と、第1の導電層の側端部と接して設けられる第1の絶縁層と、第1の導電層及び第1の絶縁層上に設けられる第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に設けられる第2の導電層とを有し、第2の絶縁層は、絶縁性材料によって形成されており、絶縁性材料が流動化したときの流動化物に対するぬれ性は、第1の導電層より第1の絶縁層の方が高い。 (もっと読む)


本発明は、基板(10)と、基板(10)の少なくとも一部に配置された少なくとも1つの金属多層組織と、金属多層組織上に配置されており、少なくとも1つの接続孔を有する非伝導性層(50)とを備え、接続孔には、少なくとも1つのナノチューブが、接続孔の底部にある金属多層組織上に成長しており、金属多層組織は、高融点金属層(20)と、金属分離層(30)と、触媒層(40)とを含んでいる集積電子部品に関する。本発明はさらに、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための方法と、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための金属多層組織の使用とに関する。
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【課題】 下地層の段差を吸収して平坦な面を提供する絶縁層であって、コンタクトホールを有する絶縁層を、インクジェット法で形成すること。
【解決手段】 インクジェット法を用いた層形成方法は、(a)第1レベル面上に位置する第1導電層21の側面が第1絶縁材料31Aで覆われるように、前記第1レベル面上に第1の濃度を有する前記第1絶縁材料31Aを吐出するステップと、(b)吐出された前記第1絶縁材料31Aを活性化または乾燥して、前記第1導電層21に接する第1絶縁層31Bを形成するステップと、(c)前記第1導電層21上と前記第1絶縁層31B上とに、前記第1の濃度よりも高い第2の濃度を有する第2絶縁材料を吐出するステップと、(d)吐出された前記第2絶縁材料を活性化または乾燥して、前記第1導電層21と前記第1絶縁層31Bとを覆う第2絶縁層を形成するステップと、を含んでいる。 (もっと読む)


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