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Fターム[5F033KK25]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続の下層配線層の材料 (17,020) | シリサイド (1,324)

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【課題】ゲート高さが低いため製造容易で、ゲート−コンタクト間の容量を抑制し、ゲート−コンタクト間の短絡を抑制した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は基板上にFin型半導体層を形成する。Fin型半導体層に交差するダミーゲートが形成される。Fin型半導体層にソースおよびドレインが形成される。ダミーゲート上に層間絶縁膜を堆積した後、ダミーゲートの上面を露出させる。ダミーゲートを除去してゲートトレンチを形成する。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の上部をリセスする。ゲートトレンチ内のFin型半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する。ゲート電極をゲートトレンチ内に充填する。ゲート電極をエッチングバックすることによってゲート電極を形成する。ゲート電極の上面の高さはソースおよびドレインにおけるFin型半導体層の上面の高さ以下かつゲートトレンチ内のFin型半導体層の上面の高さ以上である。 (もっと読む)


【課題】貫通電極の形成時スループットやコスト悪化を回避する。
【解決手段】シリコン基板1に、貫通電極用のホール26を形成する。さらにホール26
上を含んで絶縁膜22,23をエッチングして溝35を形成する。この後、バリアメタル
層41とシード層42を積層させてから、CMP法による研磨でホール26の内壁及び溝
35内のみにシード層42を残す。シリコン基板1をめっき槽に浸漬させ、溝35を介し
てホール26内に電流を供給すると、ホール26内と溝35のみにCu膜47が成長する
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【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体装置の設計フローは、プラグPGに接続された配線M1を含むチップレイアウトを設計するステップと、設計されたチップレイアウトにおけるプラグPGに対する配線M1のマージンを、プラグPGに対する配線M1のリセス量に応じて修正するステップとを有している。この修正ステップは、テストウエハに試験用プラグとそれに3次元的に接続された試験用配線とを含むテストパターンを形成するサブステップと、試験用配線の配線幅および配線密度と試験用プラグに対する試験用配線のリセス量との相関を調べるサブステップを有している。更に、得られた相関に基づいてプラグPGに対する配線M1のリセス量を予測するサブステップと、予測されたリセス量に応じてプラグPGに対する配線M1のマージンを修正するサブステップを有している。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明の半導体装置は、(a)素子分離領域STIにより囲まれた半導体領域3よりなる活性領域Acに配置されたMISFETと、(b)活性領域Acの下部に配置された絶縁層BOXとを有する。さらに、(c)活性領域Acの下部において、絶縁層BOXを介して配置されたp型の半導体領域1Wと、(d)p型の半導体領域1Wの下部に配置されたp型と逆導電型であるn型の第2半導体領域2Wと、を有する。そして、p型の半導体領域1Wは、絶縁層BOXの下部から延在する接続領域CAを有し、p型の半導体領域1Wと、MISFETのゲート電極Gとは、ゲート電極Gの上部から接続領域CAの上部まで延在する一体の導電性膜であるシェアードプラグSP1により接続されている。 (もっと読む)


【課題】貫通ビアを用いた実装における端子間のショートや実装精度の低下を防止する。
【解決手段】半導体チップ88の貫通ビア86の上に、他の半導体チップ101を実装する。半導体チップ101のバンプ103は、4つの貫通ビア86で囲まれた領域に導かれて接合される。各貫通ビア86は、バンプ103に面する側面及び上面の保護膜31がエッチングによって除去されており、バンプ103のハンダ材料への濡れ性が保護膜31で覆われた領域よりも良好になっている。このために、ハンダ材料のはみ出しによる他の電極との間のショートが防止される。さらに、1つのバンプ103に複数の貫通ビア86からなる接続端子を配置するので、バンプ103に確実に接合できる。 (もっと読む)


【課題】隣接するSOI領域とバルクシリコン領域とが短絡することを防止する。
【解決手段】一つの活性領域内にSOI領域およびバルクシリコン領域が隣接する半導体装置において、それぞれの領域の境界にダミーゲート電極8を形成することにより、BOX膜4上のSOI膜5の端部のひさし状の部分の下部の窪みにポリシリコン膜などの残渣が残ることを防ぐ。また、前記ダミーゲート電極8を形成することにより、それぞれの領域に形成されたシリサイド層14同士が接触することを防ぐ。 (もっと読む)


【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第1トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第1コンタクトを備える。基板1上には、層間絶縁層4、5が設けられている。第1トランジスタ3aは、半導体基板1に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第1トランジスタは、少なくともゲート電極32及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子19は、多層配線層内に設けられている。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、ゲート電極32の上面と接しており、層間絶縁層4内に埋設されている。第1コンタクト10aは、第1トランジスタ3aの拡散層に接続しており、層間絶縁層4内に埋設される。金属配線(ゲート裏打ち配線)30は、第1コンタクト10aと同じ材料で構成されている。 (もっと読む)


【課題】高信頼性のBSV方式のTSVを実現する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置は、表面及び裏面を有し、表面側にLSIが形成される半導体基板11と、表面側において半導体基板11内に形成され、開口部を有する絶縁層12と、表面側において開口部上に形成され、LSIに接続される導電層13と、裏面側から開口部を介して導電層13に接続されるビア17とを備える。ビア17のサイズは、裏面から半導体基板11と絶縁層12の界面までの範囲内において開口部のサイズよりも大きく、開口部内において開口部のサイズに等しい。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を効率良く形成する。
【解決手段】シリコン基板1にビアホール25を形成し、絶縁膜22を形成した後、ビアホール25に低誘電率膜31を埋め込む。ビアホール25内の低誘電率膜31の膜厚を異方性ドライエッチングによって所望の値に減少させる。この異方性ドライエッチングによって、絶縁膜22上の低誘電率膜31が除去される。続いて、ビアホール25内に導電材を埋め込み、トランジスタT1,T2上に多層配線を形成する。この後、シリコン基板1の裏面側を研磨して導電材を露出させると、貫通電極が形成される。 (もっと読む)


【課題】論理素子のnチャネルMOSトランジスタに十分な膜厚の引張応力膜を形成し、メモリ素子がゲート電極間の層間絶縁膜の埋込不良を生じない製造方法の提供。
【解決手段】論理素子は、第1及び第2のnチャネルMOSトランジスタを含み、第1のゲート高さGH1及び第1のゲート長を有するゲート電極を有し、ゲート電極は第1の間隔Dを有し、メモリ素子は、第3および第4のnチャネルMOSトランジスタを含み、ゲート高さGH2および第2のゲート長を有するゲート電極を含み、論理素子及びメモリ素子は第1の引張応力膜64で覆われ、論理素子は、さらに第2の引張応力膜65で覆われ、論理素子及びメモリ素子のゲート間に形成された引張応力膜の最小距離は各々第1の距離L及び第1の距離Lで隔てられ、第1のアスペクト比(GH1/L)と、第2のアスペクト比(GH2/L)とは略等しい。 (もっと読む)


【課題】局所配線を有する半導体装置に関し、位置ずれに起因する電気特性や歩留まりの低下を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、隣接して配された第1の配線及び第2の配線を形成し、第1の配線の側壁に第1の側壁絶縁膜を、第2の配線の側壁に第2の側壁絶縁膜を形成し、第1及び第2の配線、第1及び第2の側壁絶縁膜が形成された半導体基板上に導電膜を形成し、第1及び第2の配線上の導電膜を選択的に除去し、第1の配線と第2の配線との間の領域に、導電膜により形成され、第1及び第2の側壁絶縁膜によって第1及び第2の配線から隔てられた第3の配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗の微細配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1配線420は、半導体基板100上に設けられている。第1ビア440は、第1配線420上に設けられている。また、第1ビア440の底面は、第1配線420に接している。第1絶縁層330は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも第1配線420の上面および第1ビア440の側面と接している。第1配線420および第1ビア440のうち各々の側面の少なくとも一部は、各々の金属の結晶粒を分断している。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の素子形成領域へのクラックなどの伝播を確実に防止する。
【解決手段】ウェハ1上の素子形成領域を覆うガード領域4の外側に、n型拡散層15を形成する。n型拡散層15の上には、導電性リング33,48,58を形成する。最上層の導電性リング48の上に、導電層65を形成する。導電層65の端面65Sは、導電性リング58の端面58Sから距離L1だけ内側に形成し、導電性リング58の上面の一部を露出させる。この後、半導体基板をアミン系薬液に浸すと、n型拡散層15と導電層65の間の導電性プラグ33,48,48の導電性材料を溶出し、スリットが形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極7の少なくとも上層は、第2金属シリサイド膜としてのWSix膜72からなり、第1金属シリサイド膜としてのNiSi2膜18に含まれる第1金属(Ni)とシリコンとの結合エネルギーが、WSix膜72に含まれる第2金属(W)とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、WSix膜72の組成MSix(Mは第2金属を示す)において、xが1.5以上2.0未満であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】メモリセルの制御性を向上した不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、構造体と、複数の半導体層と、メモリ膜と、接続部材と、導電部材と、を備える。前記構造体は、メモリ領域と非メモリ領域とを有する基板の前記メモリ領域の上に設けられる。前記構造体は、前記基板の主面に対して垂直な第1軸に沿って積層され複数の電極膜を含む。前記半導体層は、前記構造体を前記第1軸に沿って貫通する。前記メモリ膜は、前記複数の電極膜と前記半導体層との間に設けられる。前記接続部材は、前記基板と前記半導体層との間に設けられる。前記接続部材は、隣り合う2つの前記半導体層のそれぞれの端部と接続される。前記導電部材は、前記基板と前記接続部材との間で、前記メモリ領域から前記非メモリ領域に延在して設けられる。前記導電部材は、前記非メモリ領域の上に設けられた凹部を有する。前記凹部内には、第1シリサイド部が設けられる。 (もっと読む)


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