説明

Fターム[5F033KK32]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続の下層配線層の材料 (17,020) | 化合物 (2,201) | 窒化物 (1,946)

Fターム[5F033KK32]の下位に属するFターム

TiN (909)
WN (236)

Fターム[5F033KK32]に分類される特許

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【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


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