【課題】 相互接続構造の信頼性及び拡張性を改善する相互接続構造のための冗長金属拡散バリア層を提供する。
【解決手段】 冗長金属拡散バリア層は、誘電体材料内に設けられた開口内に配置され、且つ開口内に存在する拡散バリア層及び導電性材料の間に配置される。冗長拡散バリア層は、Ｒｕ並びに純粋なＣｏ若しくはＮ，Ｂ及びＰのうちの少なくとも１つを含むＣｏ合金からなる単層若しくは多層構造である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法における新規な平坦化処理を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の上に絶縁膜を形成する第１の工程と、前記絶縁膜に第１の穴を形成する第２の工程と、前記絶縁膜に前記第１の穴より浅い第２の穴を形成する第３の工程と、前記第１の穴に導電部材を埋め込むことにより導電部を形成するとともに、前記第２の穴に前記導電部材を埋め込むことにより平坦化補助部を形成する第４の工程と、前記導電部、前記絶縁膜、及び前記平坦化補助部を前記平坦化補助部が除去されるまで研磨することにより、前記導電部及び前記絶縁膜のそれぞれの上面を平坦化する第５の工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電極部と貫通電極層の間の抵抗値ばらつきに依存しない信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板表面２ａの第１絶縁膜８の中に、外部接続端子を有する電極部１８が形成され、基板をビアホール１０が貫通し、ビアホール側壁１０ａ及び基板裏面の第２絶縁膜１２とビアホール底面の第１絶縁膜とに貫通電極層１１が形成され、電極部と貫通電極層との間にシリサイド層９を接続形成し、ビアホール中心軸を含む平面で切断された断面において、シリサイド層の幅Ａ≦ビアホール底部の幅Ｂである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。また、該薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層を介して電気的に接続されるように薄膜トランジスタを形成する。また、バッファ層に逆スパッタ処理及び窒素雰囲気下での熱処理を行うことにより、酸化物半導体層より導電率の高いバッファ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】個片化時に切断部分が欠けてしまうことを防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子領域と複数の素子領域を区画する区画領域とを具える上面（第１面）と、上面（第１面）の反対側の裏面（第２面）とを有する半導体ウエハ１０１Ａを準備する工程と、上面（第１面）の各素子領域上に、上層配線１０２をそれぞれ形成する工程と、裏面（第２面）側から半導体ウエハ１０１Ａを例えばＤｅｅｐ−ＲＩＥなどによりエッチングすることで、上層配線１０２を露出する貫通孔Ａ２を形成すると共に、上面（第１面）の区画領域に対応する裏面（第２面）の領域に半導体ウエハ１０１Ａを貫通する溝Ｂ２２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線構造における強度の向上と層間絶縁膜の低誘電率化との両立を図れるようにする。
【解決手段】半導体基板１００の上に絶縁膜１０４を形成し、該絶縁膜１０４の上に金属からなる犠牲膜１０５を形成する。その後、犠牲膜１０５を選択的にエッチングすることにより犠牲膜１０５にトレンチパターン１０５ａを形成する。続いて、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に対して紫外線又は電子線を照射する。その後、トレンチパターン１０５ａが形成された犠牲膜１０５をマスクとして、絶縁膜１０４に配線形成溝１０４ａを形成し、該配線形成溝１０４ａに金属膜１０６ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線遅延の増大を防止すると共に、配線信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板の上に形成され、第１の配線２を有する第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１及び第１の配線２の上に形成された第２の絶縁膜３と、第２の絶縁膜３の上に形成された第３の絶縁膜４とを有している。第２の絶縁膜３は、空孔を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】その表面をケイ化銅に転化することにより、銅相互接続構造の露出銅表面を直接不動態化するための方法を提供すること。
【解決手段】その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。銅相互接続構造の銅表面全体をケイ化する場合もあれば、銅表面の一部分を露出するように上に重なる誘電体に開口部を形成した後で表面の局部部分をケイ化する場合もある。 （もっと読む）

【目的】プロービング試験での導電パッド下に配置された金属配線上の絶縁膜のクラック発生を抑制することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、導電パッドと、前記導電パッド上に配置され、前記導電パッドの一部が露出するように開口領域が形成された第１の絶縁膜と、前記導電パッドの下方に配置された第２の絶縁膜と、銅（Ｃｕ）を用いた配線を有し、前記第２の絶縁膜を介して前記導電パッドの下方に配置され、前記開口領域と重なる領域での最上層における前記配線の最大配線幅ｗ（ｎｍ）と前記配線の被覆率Ｒ（％）とがある条件を満たすように配置された少なくとも１層の配線層と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗なＡｌ配線材料を用いて、生産コストの低下および生産性の向上を図ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、Ａｒガスを用いたスパッタリングによって純ＡｌまたはＡｌ合金を第１層として成膜する工程と、前記第１層の上層に、Ａｒ＋Ｎ₂混合ガスまたはＡｒ＋ＮＨ₃混合ガスを用いたスパッタリングによって、前記第１層の材料に加えて窒化アルミニウムも部分的に含む第２層を成膜する工程と、別途形成するコンタクトホールを介して透明膜電極と第１電極の前記第２層とを電気的に接続する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び／又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕダマシン多層配線構造におけるセミ・グローバル配線の形成方法において、ダマシン配線構造を形成する際、ドライ・エッチングによりビア底のエッチ・ストップ絶縁膜を除去した後、ビア底表面上のカーボン系堆積物等を抑制する為に、窒素プラズマ処理を行うことが一般的である。その後、連続放電によって窒素プラズマ除電を行ってウエハ搬送するシーケンスを実行すると、ビア・チェーン終端部にて、ある閾値以上の長さを有するパッド引き出し配線に接続された終端部のビア底で、Ｃｕえぐれが発生ことが、本願発明者らの検討によって明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、ダマシン・セミ・グローバル配線等のビア・ホール形成工程において、ビア底エッチ・ストップ膜に対するドライ・エッチング処理後、同処理室内で行われる窒素プラズマ処理に引き続いて、アルゴン・プラズマによる除電処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好でかつ高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にウエハＷを収容し、チャンバー１内にカルボン酸第１銅錯体、例えばＣＨ_３ＣＯＯＣｕとこれを還元する還元剤とを気相状態で導入して、ウエハＷ上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シールリングの構造を最適化して、ダイシング部の切断面からの水分の侵入やクラックの伸展に対する障壁としての機能を確保したシールリングを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の回路形成領域とダイシング領域との間にシールリング１００が配設されている。シールリング１００は、断面形状がＴ字型をなすシール層が積層された部分と、断面形状が矩形をなすシール層が積層された部分とを有している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成領域にＳｉＯｘを含む酸化物半導体層を用い、電気抵抗値の低い金属材料からなるソース電極層及びドレイン電極層とのコンタクト抵抗を低減するため、ソース電極層及びドレイン電極層と上記ＳｉＯｘを含む酸化物半導体層との間にソース領域またはドレイン領域を設ける。ソース領域またはドレイン領域は、ＳｉＯｘを含まない酸化物半導体層または酸窒化物膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】パターンの不良が減少した薄膜トランジスタ表示板の製造方法およびこれに使用されるネガティブフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】基板上に導電性物質からなる導電膜を形成する段階と、導電膜上にネガティブフォトレジスト組成物からなるエッチングパターンを形成する段階と、エッチングパターンをエッチングマスクとして利用して導電膜をエッチングし、導電膜パターンを形成する段階とを含み、ネガティブフォトレジスト組成物は、アルカリ現像液に溶解性を有するヒドロキシル基を含有するノボラック樹脂１０〜５０重量部、第１光酸発生剤（特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、第２光酸発生剤（第１光酸発生剤とは構造の異なる特定構造のスルホニルオキシイミド化合物）０．５〜１０重量部、架橋結合剤１〜２０重量部および溶媒１０〜９０重量部を含む。 （もっと読む）