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Fターム[5F033LL02]の内容

Fターム[5F033LL02]に分類される特許

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【課題】Al合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するAl合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Al合金は、Alよりもイオン化傾向が小さい金属元素を0.1〜1.0原子%の割合で含有し、且つAl合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するAl合金薄膜表面は、最大高さ粗さRzで5nm以上の凹凸が形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】多層基材を調製するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は、バリア領域と銅領域を含む第1層を提供する工程と、該第1層上に銅を含む第2層を堆積する堆積工程とを含み、該堆積工程が、前記バリア領域上に約20Å〜約2,000Åの第1の厚さと、前記第1層の前記銅領域上に約0Å〜約1,000Åの第2の厚さとを含む第2層を提供し、該第1の厚さが該第2の厚さよりも大きい、第1層と第2層を含む多層基材を提供する。 (もっと読む)


【課題】デュアルダマシン構造にも適用出来る好ましくはカーボンで作られるナノチューブによるビアの形成法を提供する。
【解決手段】底部と、側壁とを備える、少なくとも1つのビアを、金属材料の2つの層4及び12を隔てる絶縁材料層5の中に形成する。次いで接着層7及び/又は保護層8の上に触媒層9を堆積する。さらに抑止層11を、前記ビアの前記底部における前記触媒層9の部分を除く、前記ビアの前記ビアの側壁の上と、前記絶縁材料層5の上に方向性堆積によって形成する。ナノチューブを前記抑止層11のない前記ビア底部の前記触媒層9の部分から成長させて前記金属材料の2つの層4及び12を電気的に接続する。 (もっと読む)


【課題】Mn含有膜やCuMn含有合金膜等を、CVD等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内で、遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと酸素含有ガスとにより被処理体Wの表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばMn含有膜やCuMn含有合金膜等を、CVD等の熱処理によって形成する際に、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】表面形状および/または伝熱特性が一様でない基板でも、基板上に形成された塗布層の任意の部位に均一なレーザ光の照射スポットを形成でき、かつ熱エネルギの制御を行える配線形成方法および配線形成装置を提供すること。
【解決手段】表面の形状および/または特性が一様でない基板1上に、導電性微粒子を含有する分散溶液を塗布して塗布層3を形成する工程と、基板1表面の各位置における形状および/または特性を示す基板属性情報に基づいて、レーザ光6を塗布層3の配線形成領域に連続的に供給して、導電性微細配線4を形成する工程と、塗布層3中の導電性微細配線4以外の領域の材料を除去する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板のステップカバレージを均一にし、金属層を平坦にする方法を提供し、サブハーフミクロンの適用分野において連続してボイドのない接点またはバイアを形成することを目的とする。
【解決手段】本発明の1つの態様において、耐熱性層が、高アスペクト比の接点またはバイアを有する基板上に堆積される。CVDによる金属層が、低温で耐熱性層上に堆積され、PVD金属に対して共形のウェッティング層を提供する。次に、PVD金属が、前に形成されたCVD金属層上に、その金属の溶融点より低い温度で堆積される。結果として生じるCVD/PVD金属層は、実質的にボイドのないものである。金属被覆法は、統合された処理システムで実施されるのが好ましく、そのシステムは、PVDおよびCVD処理チャンバの両方を含み、基板が真空環境に入ると、バイアおよび接点の金属被覆が、CVDによるAl層上に酸化物層を形成することなく行うことができる。 (もっと読む)


【課題】Al合金膜と透明画素電極との接触電気抵抗を低減でき、耐熱性にも優れているため、Al合金膜を透明画素電極に直接接触させることができ、しかも、Al合金の電気抵抗率も一層低減され、生産性もより高められたダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】基板上にて、酸化物透明導電膜とAl合金膜が直接接触する構造を備えた表示装置の製造方法である。Al合金膜は、Ag、Zn、Cu、およびNiよりなる群から選択される少なくとも一種の合金元素を0.5原子%以下含有し、基板の温度を合金元素の析出温度以上に制御してAl合金膜の形成を行う。 (もっと読む)


【課題】Al合金膜の腐食を抑制できる表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】Al合金膜上に、フォトリソグラフィー法によって絶縁膜をパターン形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、前記Al合金膜は、Alより貴な金属元素を含むものであり、アミン類を含む有機剥離液で絶縁膜上のフォトレジストを除去し、次いでヒドロキシル基とホルミル基とを有する芳香族化合物および/またはヒドロキシル基とカルボキシル基とを有する芳香族化合物を含む洗浄水で洗浄することを特徴とする表示装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Al合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Al合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる技術を提供する。
【解決手段】Al合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置において、該Al合金膜が、Niを0.05〜2.0原子%と、Inおよび/またはSnを合計で0.05〜1.0原子%含有するように調整する。 (もっと読む)


【課題】酸化物透明導電膜とAl合金膜との接触電気抵抗を増加させることなくAl合金が直接接続し、配線抵抗が小さく、現像液などの電解質液中でガルバニック腐食が生じにくい積層構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物透明導電膜とAl合金膜とが直接接続されてなる積層構造を製造する方法であって、基板上に前記酸化物透明導電膜を形成する第1の工程と、該酸化物透明導電膜上にアルミニウムよりもイオン化傾向の小さい合金成分を含有するAl合金膜を形成する第2の工程と、前記Al合金膜をアルミニウムと前記合金成分よりなる金属間化合物の析出温度以上に加熱する第3の工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム膜の流動性の低下を抑制しつつ、耐熱性を向上させる。
【解決手段】イオンビームデポジションなどの方法にて高純度アルミニウム膜15を絶縁層13上に形成した後、イオンビームデポジション法にて、添加元素17を含む添加元素膜16を高純度アルミニウム膜15上に形成し、添加元素膜16の熱処理を行うことで、添加元素膜16に含まれる添加元素17を高純度アルミニウム膜15に拡散させ、高純度アルミニウム膜15に添加元素17を添加する。 (もっと読む)


【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 (もっと読む)


【課題】液晶表示デバイスの大型化にも対応すべく、Al合金膜と透明画素電極との間の接触抵抗を低減できるエッチング条件を特定し、応答速度の速い表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にAl合金膜を形成する工程と、Al合金膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、Al合金膜に接触するように透明導電膜を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程は、少なくとも六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、及び希ガスを含む雰囲気中で行われるドライエッチング工程を含むとともに、0.4≦(酸素ガスの流量)/[(六フッ化硫黄ガスの流量)+(酸素ガスの流量)]≦0.9の条件を満足させる。 (もっと読む)


【課題】 Cu配線から低誘電率材料(Low−k材料)絶縁膜へのCuの拡散を防止することができるとともに、Cu配線の抵抗の増大を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置1では、SiOCからなる層間絶縁膜5には、配線溝8が形成されている。配線溝8の内面(ビアホール6の側面6Bおよびトレンチ7の側面7B)には、SiO2からなる第1バリア膜9が形成されている。配線溝8の内面(第1バリア膜9の表面、トレンチ7の底面7Aおよび第1Cu配線2の露出面)には、第2バリア膜10が形成されている。配線溝8には、Cu配線部19が埋設されている。Cu配線部19の配線溝8との対向面(Cu配線11の底面11Aおよび側面11B、ならびに接続ビア18の底面18Aおよび側面18B)は、第2バリア膜10で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】配線溝や層間接続路表面に形成されたTaNからなるバリア層との密着性が良好なCu配線と、このCu配線を製造できる方法を提供する。また、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているCu配線と、このCu配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたCu配線を、(1)配線溝側または層間接続路側に形成されたTaNからなるバリア層と、(2)Pt、In、Ti、Nb、B、Fe、V、Zr、Hf、Ga、Tl、Ru、ReおよびOsよりなる群から選ばれる1種以上の元素を合計で0.05〜3.0原子%含有するCuからなる配線本体部とで構成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、半導体層あるいは画素電極との密着性が高い酸化被膜を形成して、配線材料等の酸化を防止できると共に、導電率が高いソース電極あるいはドレイン電極を備えた液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明では、液晶表示装置を構成するTFT基板上のTFT電極において、ソース電極あるいはドレイン電極が、銅を主体とした層と、該銅を主体とした層を被覆する酸化物からなることを特徴とする。さらに、本発明は、前記TFT電極において、半導体層あるいは画素電極と、前記ソース電極あるいはドレイン電極とが、オーミック接合していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板102上に集積回路100とアンテナ101とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層108をアンテナ101の導体に用いた場合に、アンテナ101の下地層107に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】 密着性の確保と抵抗値の上昇を抑制した下地膜あるいはカバ−膜を有する金属薄膜配線を提供する。
【解決手段】 Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜の下地膜として、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。また、Ag膜、Cu膜、Au膜あるいはこれらを主体とする合金膜のカバー膜として、Tiを2〜50原子%含有し、残部Moおよび不可避的不純物からなるMo合金膜が積層されてなる金属薄膜配線である。 (もっと読む)


【課題】銅薄膜にダメージを与えないエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明では処理対象物10上でフッ素系ガスのプラズマを発生させ、電極溝18内に露出する銅薄膜(例えばソース電極21、ドレイン電極22)にフッ素化合物薄膜を予め形成しておくので、ハロゲンガスのプラズマでシリコン層17をエッチングする際に、銅薄膜がハロゲンガスのプラズマで腐食されない。シリコン層17をエッチングした後に、O2ガスのプラズマに曝すか、水洗すれば、銅薄膜表面に残留するハロゲンガスが除去されるので保存性も高くなる。 (もっと読む)


【課題】 X線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの出力を安定化させる為には、フォトセンサーに備えられるTFTアレイ基板におけるゲート配線およびデータ線、バイアス線の抵抗を低くする必要がある。またその後の絶縁膜形成に用いるプラズマCVDの熱履歴に耐える為に耐熱性が必要、およびコンタクト特性に優れた材料が必要である。
【解決手段】 この発明にかかるフラットパネルのフォトセンサーにおいては、データ線およびバイアス線を低抵抗で耐熱性が良く、他の導電性膜とのコンタクト特性に優れたNiを含むAl合金を含む単層あるいは積層膜で形成する。 (もっと読む)


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