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Fターム[5F033LL02]の内容

Fターム[5F033LL02]に分類される特許

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【課題】 ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多層ライナは、誘電体材料のパターン付けされた表面から外側に、拡散障壁、マルチ材料層、及び金属含有ハード・マスクを含む。マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第1材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第2材料層とを含む。本発明はまた、誘電体材料内に形成されたビア開口の下部分内に多層ライナを含む相互接続構造体を形成する方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】配線の凹凸やコンタクト不良を大幅に低減した配線の作製方法を用いることによって半導体装置の信頼性を向上させること。
【解決手段】層間絶縁膜207に設けられた開口部に液滴吐出法を用いてノズル208から導電性組成物が分散された液滴209を滴下し配線210を形成する。さらに、加熱処理を行うことで配線210をリフローする。これにより、配線表面を平坦化し、且つ配線のコンタクト不良を改善することができる。 (もっと読む)


【課題】低温での熱処理後も十分に低い電気抵抗率を示し、かつ直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減されると共に、耐食性および耐熱性に優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、該Al合金膜は、Niを0.05〜0.5原子%、Geを0.4〜1.5原子%、および希土類元素群から選ばれる少なくとも1種の元素を合計で0.05〜0.3原子%含有すると共に、NiおよびGeの合計量が1.7原子%以下である。 (もっと読む)


【課題】低温での熱処理を適用した場合でも十分に低い電気抵抗率を示すと共に、直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性に優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、該Al合金膜は、Coを0.05〜0.5原子%、およびGeを0.2〜1.0原子%含み、かつAl合金膜中のCo量とGe量が下記式(1)を満たすことを特徴とする表示装置用Al合金膜。
[Ge]≧−0.25×[Co]+0.2 …(1)
(式(1)中、[Ge]はAl合金膜中のGe量(原子%)、[Co]はAl合金膜中のCo量(原子%)を示す) (もっと読む)


【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、アルミニウム合金薄膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、低電気抵抗率と耐熱性を両立し、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液やアルカリ性現像液に対する腐食性を改善できるアルミニウム合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】アルミニウム合金薄膜と透明電極との直接コンタクトを可能にするために、Alマトリクス中に、所定の元素を添加するとともに、300℃以下の低温プロセスにおいても透明電極との安定コンタクトを実現し、耐食性を改善するために、アルミニウム中でNi、Ag、Zn、Coとの間に金属間化合物を形成・析出する元素を添加する。これらの金属間化合物のサイズが最大径150nm以下となっているアルミニウム合金薄膜を備えた表示デバイスが提供される。 (もっと読む)


【課題】生産性が向上し、かつ寸法精度が良い金属配線の製造方法、TFTの製造方法、及びそれを用いて製造されたTFTを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる金属配線の製造方法では、まず、主成分金属に、主成分金属より酸化物の生成エネルギーが低い添加金属が添加された第2の金属膜30を成膜する。そして、第2の金属膜30を酸化させて金属酸化物を形成し、第2の金属膜30の表面に酸化層32を形成する。次に、酸化層32上にフォトレジスト31を形成して、第1のドライエッチング条件により、酸化層32をエッチングする。そして、第1のドライエッチング条件の場合と比較して、主成分金属の金属酸化物に対する選択比が高い第2のドライエッチング条件により、下層の第2の金属膜30をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられる導電膜を、エッチングを用いて作製する。
【解決手段】膜厚1μm以上10μm以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑えることで、膜厚1μm以上10μm以下といった厚膜のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜であっても、端部の勾配が急峻であり、所望の膜厚を確保することができ、マスクパターンとの形状の差が抑えられるようにエッチングすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】出力電流の大きい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のリード端子1a1、11b、11cを有するリードフレーム11と、主面に形成された第1電極パッド12と、主面と反対面側に形成された第2電極パッド13とを有し、第2電極パッド13がリードフレーム11の第1リード端子11aに当接するように、リードフレーム11の第1リード端子11a上に載置された半導体チップ14と、一端部15aが第1電極パッド12に接続され、他端部15bがリードフレーム11の第2リード端子11bに接続された帯状の接続導体15と、を具備し、接続導体15の一端部15aおよび他端部15bのうち、少なくとも接続導体15の一端部15aの厚さが接続導体15の中央部15cの厚さより小さい。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は、半導体基板(図示略)と、半導体基板上に設けられた第一の電気ヒューズ12と、第二の電気ヒューズ13とを備える。第一の電気ヒューズ12は、異なる配線層に形成された第一の上層配線121および第一の下層配線122と、第一の上層配線121および第一の下層配線122を接続するビア123とを有する。第二の電気ヒューズ13は、異なる配線層に形成された第二の上層配線131および第二の下層配線132と、第二の上層配線131および第二の下層配線132を接続するビア133とを有する。半導体装置1は、第一の電気ヒューズ12の前記第一の上層配線121と、第二の電気ヒューズ13の第二の下層配線132とを接続する接続部14を有する。この接続部14は、第一の電気ヒューズ12および第二の電気ヒューズ13を直列に接続する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の異なる回路領域にそれぞれの要求特性を満足する配線を形成する。
【解決手段】所定基板上に配線の主要部を構成する第1の金属膜を形成し(ステップS1)、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するTi,Zr等の不純物元素を含む第2の金属膜を形成する(ステップS2)。次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第2の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第2の金属膜を部分的に除去する(ステップS3)。その後、熱処理により、残る第2の金属膜の不純物元素を下の第1の金属膜に拡散させる(ステップS4)。これにより、不純物元素濃度の異なる第1の金属膜を基板上に形成できる。これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】 密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極およびその製造方法、ならびに前記反射電極を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】 銀(Ag)を主成分として、マグネシウム(Mg)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)および金(Au)から選ばれる1種類以上の元素を添加成分として含むとともに、窒素を1.3at%以上5.5at%以下の含有率で含むAg合金膜を備えて、反射電極を構成する。このようなAg合金膜を備えることによって、比抵抗値および反射率値を大幅に低下させることなく、基板との密着性および熱耐食性を改善することができるので、密着性および熱耐食性に優れるとともに、安定な電気特性および良好な光反射特性を有する反射電極を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。
【解決手段】半導体層1、ソース電極2、ドレイン電極3、透明導電膜4を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極2とドレイン電極3は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたSiおよび/またはGe:0.1〜1.5 原子%、Niおよび/またはCo:0.1〜3.0原子%、Laおよび/またはNd:0.1〜0.5 原子%を含有するAl合金薄膜より成り、半導体層1と直接接続している。 (もっと読む)


【課題】配線間の容量を増大させることなく、配線の信頼性をさらに向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜1内上部に配線溝2を形成する工程(a)と、工程(a)の後に、配線溝2内及び層間絶縁膜1上にバリアメタル膜3を形成する工程(b)と、工程(b)の後に、配線溝2内に銅5を埋め込み、配線を形成する工程(c)と、工程(c)の後に、Si及びNを層間絶縁膜1及び配線に注入する工程(d)と、工程(d)の後に、層間絶縁膜1上のバリアメタル膜3を除去する工程(e)とを有する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗物質からなると同時に低抵抗の接触特性を有する配線の接触構造及びその製造方法の提供にある。本発明の他の課題は、接触特性の良い配線の接触構造を含む薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手段】基板上に開口部を有する配線を形成する工程、前記配線を覆う絶縁膜を積層する工程、前記絶縁膜をパターニングし前記開口部を露出する接触孔を形成する工程、及び前記絶縁膜上に前記接触孔を通じて前記配線と接触する第1導電層を形成する工程を含む配線の接触構造形成方法。 (もっと読む)


本発明は、ニッケル元素の化合物及びモリブデン元素の化合物、第二級及び第三級環式アミノボランから選択される少なくとも1つの第一の還元剤、及び少なくとも1つの錯化剤を含み、pHが8.5〜12の、金属表面上にバリア層を析出するための溶液に関する。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ガラス基板1の上に形成されたゲート電極膜2と、前記ガラス基板1およびゲート電極膜2の上に形成された窒化珪素膜3と、前記窒化珪素膜3の上に形成されたアモルファスSi膜4と、前記アモルファスSi膜4の上に形成されたCu、SiおよびOからなる銅含有珪素酸化膜またはCu、Si、MおよびOからなる銅M含有珪素酸化膜19と、前記銅含有珪素酸化膜または銅M含有珪素酸化膜19の上に形成された純銅または銅合金からなるドレイン電極膜5およびソース電極膜6と、前記ドレイン電極膜5およびソース電極膜6の上に形成された酸化ケイ素または酸化アルミニウム膜16と、前記酸化ケイ素または酸化アルミニウム膜16の上に形成された窒化珪素膜13とからなる。 (もっと読む)


【課題】細幅配線におけるTDDB寿命の低下と、広幅配線におけるSIVとを同時に効果的に防ぐことの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置100は、基板102と基板上の層間絶縁膜104内に形成された、銅を主成分として銅とは異なる不純物金属を含む第1の金属配線114と、第1の金属配線よりも幅が広く、銅を主成分として銅とは異なる不純物金属を含む第2の金属配線116とを含む。第1の金属配線の第1の配線メタル112aは、表面から内部中央にかけて不純物金属の濃度が低くなる濃度プロファイルを有し、その表面の不純物金属の濃度は第2の金属配線の第2の配線メタル112bの表面の不純物金属の濃度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】フッ素:0.01〜5原子%を含有し、さらにCa、MgおよびZnの内の1種または2種以上を合計で0.01〜2.5原子%含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する密着性に優れた銅合金薄膜。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜3に形成した配線溝4内に、バリアメタル膜5を介して、CuMnシード膜6及びCu膜7を有する配線部1を形成した後、SiH4とNH3のガスに曝し、その配線部1の表面にOを含有しないSiNの保護層8を形成する。この上にキャップ膜9を形成する。キャップ膜9の形成時には、配線部1のバリアメタル膜5との界面領域にはMnO層10が形成される一方、配線部1の上面には保護層8があることでMnの析出が抑制される。配線部1のMn含有量を高めても、配線部1とキャップ膜9との間にMnを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】積層された各半導体チップが備える導体ポスト同士の接合が、低温下の処理でも、導電性に優れ、かつ、高い寸法精度で強固に行われている信頼性の高い半導体装置、かかる半導体装置を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置1は、インターポーザー2と、第1の電気配線34および厚さ方向に貫通して設けられた第1の導体ポスト33とを有する第1の半導体チップ3と、第2の電気配線44および厚さ方向に貫通して設けられた第2の導体ポスト43とを有する第2の半導体チップ4とを備える。第1の導体ポスト33と第2の導体ポスト43とは、接合膜433を介して接合されている。この接合膜433は、導電性を有し、かつ、所定の処理を施すことにより接着性を発現する特定の材料で構成されており、その表面に発現した接着性によって、これら導体ポスト33、43同士を接合している。 (もっと読む)


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