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Fターム[5F033LL07]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜材料の特徴点 (1,721) | 結晶性 (266) | 結晶面 (49)

Fターム[5F033LL07]に分類される特許

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【課題】ワード線抵抗を低減し、かつ、周辺回路のトランジスタの特性変化を抑制することができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板と、複数のメモリセルと、周辺回路とを備える。メモリセルは、半導体基板の上方に設けられたフローティングゲートと、フローティングゲート上に設けられたゲート間絶縁膜と、ゲート間絶縁膜上に設けられたコントロールゲートとを含む。周辺回路は、互いに電気的に接続されたフローティングゲートおよびコントロールゲートと、少なくともフローティングゲートとコントロールゲートとの間の電気的接触部分に設けられ該フローティングゲートと該コントロールゲートとの間の電気的接続を妨げない絶縁薄膜とを含むトランジスタを含む。複数のメモリセルは、コントロールゲート内に絶縁薄膜を含まない。メモリセルおよび周辺回路において、コントロールゲートの少なくとも上部はシリサイド化されている。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥が可及的に少なく、従来よりも抵抗率の低い高質のグラフェンを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に設けられた配線とを具備する。前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の(111)面もしくは前記六方最密構造の(002)面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向しているか、または、前記助触媒層のうち前記触媒層と接触している部分は、アモルファス構造もしくは微結晶構造を有する。前記触媒層は、面心立方構造もしくは六方最密構造を有し、かつ、前記面心立方構造の(111)面もしくは前記六方最密構造の(002)面が前記半導体基板の表面と平行になるように配向する。 (もっと読む)


【課題】クレバスの面積比が小さく、低抵抗を維持した薄膜の状態で、配線層を構成する銅又はアルミニウム等の拡散を防止できるルテニウムバリア膜とその作製方法及び該ルテニウム膜を有する半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。
【解決する手段】ルテニウムバリア膜は、ルテニウムを主成分とする金属からなり、表面上に観測されるクレバス(溝、割れ目又は深く鋭いくぼみ)の占める面積比が、前記バリア膜表面の全面積に対して15%以下であり、広角X線回折測定によって得られるX線回折プロファイルにおいて、ルテニウムの結晶配向面(002)及び(100)に起因するスペクトルのそれぞれのピーク強度比であるRu(002)/Ru(100)が10以上であり、また、スパッタリング法によって、温度を500℃以上に加熱した状態の半導体基板の配線溝上に成膜されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アルミ膜を用いて生産コストの低減を図りながら、歩留りおよび信頼性を両立できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板1上に形成された酸化膜3上に指向性スパッタによってチタン膜41が形成される。このチタン膜41上に通常のスパッタによって窒化チタン膜42が形成される。さらに、窒化チタン膜42上に、通常のスパッタによってアルミ膜43が形成される。チタン膜41は、(002)配向し、アルミ膜43は(111)配向する。 (もっと読む)


【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、被処理体306と接する電極301に第1のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体306の上にTiNxからなる第1のバリア層404を成膜する手順と、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、電極301に第1のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第2のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第1のバリア層の上にTiNxからなる第2のバリア層405を成膜する手順と、第2のバリア層405の上に、Tiからなる第3のバリア層409を成膜する手順と、第3のバリア層409の上に低融点金属406を充填する手順と、を有する。 (もっと読む)


【課題】より低コストで、より信頼性の高いMIMキャパシタを有する、より信頼性の高い半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本製造方法は、半導体基板SUBを準備する工程と、半導体基板SUBの一方の主表面上に、アルミニウム層AC1を有する第1の金属電極LEL1と、第1の金属電極LEL1上の誘電体層DECと、誘電体層DEC上の第2の金属電極UELとを形成する工程とを備える。第1の金属電極LEL1を形成する工程においては、表面がRmax<80nm、Rms<10nm、Ra<9nmの関係を満たすように、アルミニウム層AC1が形成される。第1の金属電極LEL1を形成する工程には、少なくとも1層の第1のバリア層T1を形成する工程と、第1のバリア層T1上に、アルミニウム層AC1を形成する工程と、アルミニウム層AC1を構成する結晶を再結晶化する工程とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部8を有する被処理体Wの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜16して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜18を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 (もっと読む)


【課題】従来から、チタン膜の結晶配向性は(002)、スパッタリングを行う成膜室の水素分圧に比例して、高まることが知られている。しかし水素ガスは危険性が高いため、ボンベから直接供給することが難しい。水をプラズマ分解して水素発生させる方法があったが、同時に発生する酸素がチタン膜の膜質を低下させるため、問題であった。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法により、水をプラズマ分解して水素と酸素を発生させたのち、酸素を酸化膜生成用ガスと反応させて酸化物にすることで、成膜室から除去することができる。成膜室には水素のみが残留し、この状態でスパッタリングすることにより結晶配向性(002)の高いチタン膜が得られ、この上部に窒化チタン膜、第2のチタン膜、アルミニウムを連続して成膜することにより、エレクトロマイグレーション耐性の高いアルミニウムが得られる。 (もっと読む)


【課題】特性インピーダンスを小さくできるために、超高周波又は超高速信号の伝送時においても反射や放射が少なく、かつ低損失である回路材料を提供する。
【解決手段】単一元素からなる原子層が単層若しくは複数層で構成する導体層と、導体層を構成する元素同士間の原子間結合よりもより安定な結合を形成する単一又は復数の元素からなる原子層が単層若しくは複数層で構成する拘束層とからなり、前記導体層と拘束層の原子同士が原子的整合状態(ヘテロ構造)で積層することを特徴とする回路材料の電気抵抗低下方法。 (もっと読む)


【課題】配線からのCuの拡散を防止する。
【解決手段】例えば、UDC拡散バリア膜22、ポーラスシリカ膜23、UDCミドルストッパ膜24、ポーラスシリカ膜25およびUDC拡散バリア膜26の積層構造にビア溝27aと配線溝27bを形成したときに、内部に露出するUDC拡散バリア膜22、UDCミドルストッパ膜24、UDC拡散バリア膜26の表面に対し、水素プラズマを照射する。これにより、各SiC膜の露出表面をSiリッチにする。そして、プラズマ照射後のビア溝27aと配線溝27bにTa膜28を形成し、Cuで埋め込む。Ta膜28と接触することとなるSiC膜の表面をあらかじめSiリッチな状態にしておくことにより、Ta膜28をCuの突き抜けが抑えられるような結晶構造に制御することが可能になる。これにより、配線からのCuの拡散を防止することが可能になる。 (もっと読む)


【課題】素子の特性の変動を抑えること。
【解決手段】面方位が(100)面のシリコン基板1の表面に、1nm以下の酸化膜10を形成する。そして、この酸化膜10の表面に、スパッタリングによってアルミニウムを積層することで、全面が(111)面のアルミニウム膜2を形成する。そして、アルミニウム膜2の表面に、無電解めっき処理によりニッケルめっき層を形成する。また、アルミニウム膜2を形成した後、シリコン基板1とアルミニウム膜2とをシンタリングする際に、酸素濃度に合わせて、熱処理温度を調整する。 (もっと読む)


【課題】不均一な結晶相の形成を抑制してオーミック接触を実現する電極コンタクト構造を提供する。
【解決手段】電極コンタクト構造は、エピタキシャル層100と、エピタキシャル層100上に形成されたコンタクトメタル電極120と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜140と、コンタクトメタル電極120上に形成され、コンタクトメタル電極の結晶配向性と整合する結晶配向性を有する拡散障壁層200と、拡散障壁層200上に形成されたAl配線160を有する。電極コンタクト構造は、自己走査型発光素子アレイのカソード電極やゲート電極の構造として用いられる。 (もっと読む)


【課題】電気的抵抗が低い相互接続構造、および、かかる相互接続構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造は、少なくとも1つの開口を含む誘電物質を含む。少なくとも1つの開口内には、任意のバリア拡散層、結晶粒成長促進層、凝集めっきシード層、任意の第2のめっきシード層、および導電性構造が配置される。典型的にはCuである金属含有導電性物質を含む導電性構造は、バンブー微細構造を有し、平均グレイン・サイズが0.05ミクロンよりも大きい。いくつかの実施形態では、導電性構造は、(111)結晶方位を有する導電性結晶粒を含む。 (もっと読む)


【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングターゲット及びこれを利用して製造される半導体素子を提供する。
【解決手段】重量%で0.01%以上から1%未満のNi、及び残部としてW及びその他の不回避な不純物で構成されるスパッタリングターゲットであり、また、バリア層と、バリア層上のシード層と、シード層上の導電層と、を備え、導電層は、重量%で0.01%以上から1%未満のNi、及び残部としてW及びその他の不回避な不純物で構成される、タングステンとニッケルとの合金薄膜を備える半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】金属相互接続線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板にトレンチを画定するエッチング・ステップと、金属の電着によって前記トレンチを充填するステップとを含み、金属の結晶粒で充填された前記トレンチの上に金属侵入層を形成するステップを含み、さらに、トレンチに沿った結晶粒方位の第1の方向と、トレンチに垂直な方向での結晶粒方位の第2の方向とを決定するステップと、前記金属の結晶格子内でのイオン・チャネリングの第3の方向を決定するステップと、前記金属侵入層内でのイオン注入ビームの向きDiの少なくとも1つの方向を決定するステップと、イオン注入ビームの向きDiの1つに応じて、侵入層にイオン・ビームによってイオン注入するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】表層部の銅を主体としてなる層の表面の結晶面の種類を低減することができ、それにより、銅配線本体の内部に存在する結晶粒界の密度を低減して、銅配線の電気抵抗を低減することができ、またEM耐性やSM耐性を改善して信頼性も向上することができるようにする。
【解決手段】この発明は、絶縁層10に銅からなる配線本体を備えてなる銅配線を形成する銅配線形成方法において、絶縁層10に開口部11を設ける工程と、開口部の内周面に、銅より酸化されやすい金属元素を含む銅合金被膜12を形成する銅合金被膜形成工程と、銅合金被膜に加熱処理を施して当該銅合金被膜からバリア層を形成するとともにその表面を構成する結晶面の種類を減じる加熱処理工程と、バリア層上に銅を被着させ、銅からなる配線本体を形成する配線本体形成工程と、を有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】シリコン基板1上に強誘電体キャパシタ37を形成する際、下部電極膜25の上に、アモルファス又は微結晶の酸化導電膜26を形成する。酸化導電膜26を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜27の初期層27Aの形成時に酸化導電膜26を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第2の導電膜26Aを形成する。強誘電体膜27は、MOCVD法により形成し、その初期層27Aは第2の導電膜26Aの結晶配向に倣って成長する。これにより、強誘電体膜27の表面モフォロジが良好になる。 (もっと読む)


【課題】銅を構成材料として用いた電気ヒューズの切断を確実に行うとともに、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】電気ヒューズ100は、被切断配線102と、被切断配線102の両端にそれぞれ設けられた第1の端子120および第2の端子122とを含む。被切断配線102は、銅を主成分とするとともに(111)面に配向した第1の配向膜104と、第1の配向膜104中に、第1の配向膜104を分断するように、第1の端子120から第2の端子122に向かう方向に対して直角な方向の幅全体にわたって設けられた、銅を主成分とするとともに(511)面に配向した第2の配向膜106と、を含む。 (もっと読む)


【課題】アクティブマトリクス基板の開口率と消費電力とを向上させる。
【解決手段】アクティブマトリクス基板101Aは、透明基板10と、透明基板10上に形成された配線(L,L,L,L1,L2等)と、この配線(L,L,L,L1,L2等)の少なくとも一部を覆う透明半導体層44と、配線(L,L,L,L1,L2等)および透明半導体層44の少なくとも一部を覆う透明な絶縁膜と、を備える。配線(L,L,L,L1,L2等)は、主配線としての第1メタル配線41Mと、これから分岐する副配線としての透明な配線(41,42,43等)と、を含む。主配線としての第1メタル配線41Mは、少なくとも一部が副配線としての配線(41,42,43等)よりも高い導電性を備えた材料を用いて形成される。 (もっと読む)


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