説明

Fターム[5F033LL08]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜材料の特徴点 (1,721) | 結晶性 (266) | 結晶粒径 (108)

Fターム[5F033LL08]に分類される特許

1 - 20 / 108



【課題】基板の表裏を導通する導通部における電気特性を向上した貫通電極基板及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の貫通電極基板の製造方法は、ウェハ状の基板に前記基板を貫通しない複数の有底孔を形成し、前記基板及び前記有底孔の表面に絶縁膜を形成し、前記有底孔が開口する側の前記基板及び前記有底孔の絶縁膜上に金属からなるシード膜を形成し、前記シード膜に第1の時間直流電流を供給する電解めっき法により、前記シード層が形成されている面の前記有底孔の底部に金属層を形成し、前記シード膜及び前記金属層にパルス電流を供給する電解めっき法により、前記有底孔内に金属材料を充填して導通部を形成し、前記有底孔が形成されている側と反対側の前記基板の表面を、前記導通部の表面が露出するまで研磨する。 (もっと読む)


【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上に形成された第1の導電層20と、層間絶縁層30と、第2の導電層70とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール40を介して前記第1の導電層と前記第2の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第1の領域50と、前記コンタクトホールを含み、該第1の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第2の領域60とを有し、
前記第1の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第2の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第2の導電層は、前記層間絶縁層の前記第2の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第1の導電層と接続されている。 (もっと読む)


【課題】低抵抗の微細配線構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第1配線420は、半導体基板100上に設けられている。第1ビア440は、第1配線420上に設けられている。また、第1ビア440の底面は、第1配線420に接している。第1絶縁層330は、半導体基板100上に設けられ、少なくとも第1配線420の上面および第1ビア440の側面と接している。第1配線420および第1ビア440のうち各々の側面の少なくとも一部は、各々の金属の結晶粒を分断している。 (もっと読む)


【課題】配線の低抵抗化を図る。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、半導体基板10を覆う第1の層間絶縁膜上に設けられる配線60と、配線60の上面上に設けられるキャップ層68と、配線60と第2の層間絶縁膜との間に設けられるバリア膜62と、を含む。配線60は高融点導電層を含み、配線60の配線幅W1は、キャップ層68の幅W2よりも小さい。バリア膜62は、高融点導電層60が含む元素の化合物からなり、配線60を覆う層間絶縁膜69,70に起因する不純物が配線60内に拡散するのを抑制する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が300nm〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が500nm〜5μmであることを特徴とする半導体装置用Al合金膜。(a)Alマトリックスの最大粒径が800nm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】本発明は、絶縁膜を金属に密着させることができる半導体装置の製造方法と半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に多結晶の金属を形成する工程と、該金属の表面粗さRaが0.051μmより大きくなり、かつ該金属の表面に1〜10μm径のランダムな方向に伸びる複数の穴が形成されるように、該金属の表面を1.0μm/min未満のエッチングレートでウェットエッチする工程と、該金属の表面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜に形成されるヴィアホールの直径を縮小化することが可能で、高密度化に寄与することのできる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、基板10上に第1導電体を形成する第1導電体形成工程と、第1導電体を被覆する様にゲート絶縁膜21を成膜する第1絶縁膜成膜工程と、第1導電体上のゲート絶縁膜21に貫通孔32を開口して、当該貫通孔32を介して第1導電体の表面および基板の表面を部分的に露出させる貫通孔形成工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体の表面を撥液化させる撥液化工程と、貫通孔32内に露出する第1導電体以外の領域に第2絶縁膜を形成する第2絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】非破壊かつオンラインで金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する方法を実現する。
【解決手段】結晶組織を有し特定の面方位においてX線に対して回折ピークを持つ金属層にX線を照射して得られる回折ピークを入手するステップA、回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求めるステップB、面積平均コラム長及び体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求めるステップCを具備する。 (もっと読む)


【課題】タングステン膜を使用した部分の抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板内に設けた開口部内、又は基板上にタングステン膜を形成する。タングステン膜の形成後、エッチバック又はエッチングを行う前にタングステン膜に対してアニール処理を行う。これにより、タングステン膜の結晶状態を変化させる。 (もっと読む)


【課題】応力による半導体回路の特性劣化を抑制した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】縦導体は、半導体基板の厚み方向に設けられた微細孔を満たし、第1結晶組織301と第2結晶組織302とを含むナノコンポジット結晶構造を有する。ナノコンポジット結晶構造において、第1結晶組織301及び第2結晶組織302の少なくとも一方は、ナノサイズである。 (もっと読む)


【課題】所望のパターンが形成でき、製造工程の迅速化を図ることが可能なパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、下地10の上に第1の膜11を選択的に形成する工程と、前記第1の膜11および前記第1の膜に覆われていない前記下地10の上に、第2の膜13を形成する工程と、前記第2の膜13の平均結晶粒径を前記第2の膜13の膜厚以上に調整する工程と、前記第1の膜11のエッチャントを前記第2の膜13の表面に晒し、前記第1の膜11の上に形成された前記第2の膜13を前記下地上から選択的に除去する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 製造工程の増加を招くことなく、タングステン配線を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、TiW膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステン膜からなる配線層を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】従来の、真空装置を用いた形成方法に比べて簡便かつ安価に形成され、しかもインクジェット印刷方法によって形成されるもの比べて、断線等を生じることなしに、より細線化された金属配線を提供する。
【解決手段】Ag粒子、またはAgを50原子%以上含む合金粒子を含む分散液を塗布して塗膜を形成し、乾燥後にパターン形成したのち焼成して形成され、その縁部2における、基材の表面方向の、想定される外形線4からの凹入量の最大値と突出量の最大値との和が50nm以下、前記縁部2における、基材3の表面方向の、想定される外形線4と直交し、かつ金属配線1の厚み方向の断面のうち、前記厚み方向の外形線の、前記基材3の表面と接する部分の、前記基材3の表面との交差角度が70°以下で、かつ抵抗率が14μΩ・cm以下である。 (もっと読む)


【課題】ボイドとヒロックの発生の双方を抑制してCu配線を形成する。
【解決手段】半導体基板上の層間絶縁膜に溝パターンを形成する工程(S1)、めっき法によりCu膜を形成する工程(S2,S3)、130〜180℃で第1アニールを行う工程(S4)、CMPにより溝パターン以外の銅膜を除去する工程(S5)、300〜350℃でグレイン成長のための第2アニールを行う工程(S6)とを備える。 (もっと読む)


【課題】特性のばらつきを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1の上方に絶縁膜4を形成し、絶縁膜4に、絶縁膜4下に位置する導電領域3dを露出する開口部6を形成し、導電領域3d上及び開口部6の側面上に、Tiを含有するグルー膜17を形成する。また、グルー膜17の表面に存在する自然酸化膜を除去して、グルー膜17の表面を露出し、グルー膜17の表面を一定の条件下で酸化し、酸化が行われたグルー膜17上に、Wを含有する導電膜を形成する。なお、酸化を、グルー膜17の表面が露出した状態で開始する。 (もっと読む)


【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部8を有する被処理体Wの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜16して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜18を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 (もっと読む)


1 - 20 / 108