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Fターム[5F033LL09]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜材料の特徴点 (1,721) | 組成比 (303)

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【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第1のゲート絶縁膜4と第1のゲート絶縁膜4上に形成された第1のメタルゲート電極5とを備える第1のトランジスタが形成される半導体基板上の第1の領域と、高誘電率材料を含む第2のゲート絶縁膜4と第2のゲート絶縁膜上に形成された第2のメタルゲート電極12とを備え、第1のトランジスタとは閾値電圧の異なる第2のトランジスタが形成される半導体基板上の第1の領域に並ぶ第2の領域と、電位の異なる第1および第2の配線と、を有し、第1の領域と第2の領域との境界が、第1および第2の配線の少なくとも一方としか重ならない。 (もっと読む)


【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるCuと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Mo合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Cuを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−x−y−Ni−Ti、10≦x≦50、3≦y≦30、x+y≦53で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】テーパー形状のAl配線膜を容易かつ安定的に得る。
【解決手段】Al配線膜101は、AlもしくはAl合金から成る第1のAl合金層101aと、その上に配設され、Ni、PdおよびPtのいずれか1以上の元素を含み第1のAl合金層101aとは異なる組成のAl合金から成る第2のAl合金層101bとから成る二層構造を有する。フォトレジスト102の現像処理に用いるアルカリ性薬液により、第2のAl合金層101bはエッチングされ、その端部はフォトレジスト102の端部よりも後退する。その後、フォトレジスト102をマスクとするウェットエッチングを行うことにより、Al配線膜101の断面はテーパー形状となる。 (もっと読む)


【課題】 Moの持つSiバリヤ性、ITOコンタクト性という利点を維持しながら、耐酸化性を改善し、尚且つCuとの積層時や信号ケ−ブルの取り付け等の加熱工程を経ても低い電気低抵値を維持できる、電子部品用積層配線膜を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Cuでなる主導電層と、該主導電層の一方の面および/または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がMo100−XNi、10≦X≦70で表され、残部不可避的不純物からなるMo−Ni合金である電子部品用積層配線膜。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を使用する薄膜トランジスタの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ表示板を提供する。本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板は、基板の上に配置するゲート配線層、前記ゲート配線層の上に配置する酸化物半導体層、及び前記酸化物半導体層の上に配置して、前記ゲート配線層と交差するデータ配線層を含み、前記データ配線層は銅を含む主配線層、及び前記主配線層の上に配置して、銅合金を含むキャッピング層を含む。 (もっと読む)


【課題】還元性雰囲気による特性劣化を抑制することができる構造の強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】強誘電体キャパシタ積層構造8は、強誘電体膜3と、強誘電体膜の一方表面に接する下部電極2と、強誘電体膜3の他方表面に接する上部電極4とを含む。上部電極4および下部電極2のうちのうちの少なくともいずれか一方が、酸化物導電体層と金属層とを交互に積層した積層電極構造を有している。この積層電極構造は、酸化物導電体層および金属層のうちの少なくともいずれか一方を2層以上含む。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられた半導体装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が500nm〜5μmであることを特徴とする半導体装置用Al合金膜。(a)Alマトリックスの最大粒径が800nm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造工程で高温下に曝された場合であっても、ヒロックの発生が抑制されて耐熱性に優れ、かつ膜自体の電気抵抗率が低く抑えられたAl合金膜を有する半導体電極構造を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、高融点金属の窒化物薄膜と、Al合金膜とを備えた半導体電極構造であって、前記Al合金膜は、500℃で30分間保持する加熱処理を行った後に下記(a)〜(c)を全て満たし、かつ膜厚が300nm〜5μmであることを特徴とする半導体電極構造。(a)Alマトリックスの最大粒径が1μm以下(b)ヒロック密度が1×10個/m未満(c)電気抵抗率が10μΩcm以下 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソース、ドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25が成膜対象物21又は半導体層30に密着している。NiとMoを100原子%としたときに、バリア膜25は、Moを7原子%以上70原子%以下含有し、ガラスからなる成膜対象物21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。 (もっと読む)


【課題】Cu合金層と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに半導体層との密着性に優れており、且つ電気抵抗率が低減された配線構造を提供すること。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Cu合金層とを備えた配線構造であって、前記Cu合金層は、基板側から順に、合金成分としてMnと、X(Xは、Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、SnおよびNiよりなる群から選択される少なくとも一種)を含有する第一層と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層、とを含む積層構造である。 (もっと読む)


【課題】微細配線においてボイドの発生を確実に防ぐ。
【解決手段】層間絶縁膜102、103に形成された開口部12の底面及び側壁、並びに、開口部12以外の層間絶縁膜103上にあるフィールド部に、第一の金属を含むシード膜を形成し、シード膜上にレジストを形成して、開口部12をレジストで埋め込んだ後、開口部12の底面上に形成されたシード膜にレジストを残しつつレジストの一部を除去して、開口部12の側壁202A、Bの上部からフィールド部203にわたって形成されたシード膜を露出させ、開口部12の側壁の上部、及び、フィールド部203に位置するシード膜上に、第一の金属よりも抵抗率が高い第二の金属を含むカバー膜を形成した後、レジストを除去してシード膜を露出させ、露出させたシード膜に、第一の金属を含むめっき膜を形成するものである。 (もっと読む)


【課題】 はんだからなるバンプの形成工程中やフリップチップ実装時に、スズのようなはんだ成分がバンプ電極のアンダーバリアメタルを透過してその下のパッド電極と反応し、バンプとパッド電極間の接合信頼性が低下することを防止する。
【解決手段】 半導体基板1上に形成されたパッド電極3とはんだからなるバンプ8間にアンダーバリアメタル6が形成される。アンダーバリアメタル6は保護絶縁膜4に形成された開口5に露出するパッド電極3上から開口5周囲の保護絶縁膜4上までを被覆する。しかしバンプ8の底面はアンダーバリアメタル6より小さく、望ましくは開口5より小さく、且つ開口5内部領域の垂直上方に形成される。 (もっと読む)


【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてX群元素(Xは、希土類元素、Ge、Si、Sn、Hf、Zr、Mg、Ca、Sr、Al、Zn、Mn、Co、Fe、及びNiよりなる群から選択される少なくとも一種の元素)を3〜50原子%、および/または酸素を0.2〜3.0質量%含有し、残部Tiおよび不可避不純物からなるTi合金層(第1層)と、Al系膜からなる第2層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗(配線抵抗)も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】Geを0.01〜2.0原子%と、Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re、およびOsよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素とを含み、450〜600℃の加熱処理を行なったとき、下記(1)の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Al合金膜である。
(1)Alと、前記X群から選択される少なくとも一種の元素と、Geとを含む第1の析出物について、円相当直径50nm以上の析出物が200,000個/mm2以上の密度で存在する。 (もっと読む)


【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】導電性ビアおよびそれを形成する方法に関する。
【解決手段】導電性ビアが、導電性接触構造と該導電性接触構造上に配置された誘電体層の突出部との間に配置された部分を含む。1つの実施形態において、突出部は、導電性接触構造上にアンダーカット層を形成し、次に、該導電性接触構造およびアンダーカット層上に誘電体層を形成することによって形成される。誘電体層に空洞を形成し、誘電体層の突出部を形成するようにアンダーカット層の材料が該空洞を通して除去される。導電性ビアの導電性材料は次に、突出部の下および空洞に形成される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるCuにAlを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。そして、第二の銅合金配線のAlの濃度は、第一の銅合金配線の前記Alの濃度未満である。 (もっと読む)


【課題】p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の1つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅(Cu)からなる第1ターゲット30a,30aとニオブ(Nb)およびタンタル(Ta)からなる群から選択される1種類の遷移元素からなる第2ターゲット30b,30bとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板10上に第1酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程、及びその第1酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第2酸化物膜(不可避不純物を含み得る)を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 (もっと読む)


【課題】配線金属膜の酸化を防止し、さらに、酸化防止を行うことで新たに発生した電解腐食も防止する。
【解決手段】基材としてのフィルム2上に、ITO膜3が形成され、その上に金属膜4が形成される。金属膜は、NiCu合金膜からなる第2保護膜41、Alよりも抵抗値が低く配線パターンとなる金属配線膜(Al−Nd合金)42、および、NiCu合金膜からなる第1保護膜43の順に積層されて構成される。 (もっと読む)


【課題】半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なCuの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション(EM)耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】Mn0.05〜5wt%を含有し、Sb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上の元素の総量が10wtppm以下、残部Cuである自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 (もっと読む)


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