金属ベースの相互接続線に対して導電性キャッピング層（１０６）を設けることで、エレクトロマイグレーションに対するパフォーマンスを強化することができる。さらに、銅ベースの材料などの下方の金属（１０５ｂ）を露出せずにビア開口部（１１０）をキャッピング層（１０６）に確実にエッチングし、これによりエレクトロマイグレーションパフォーマンスを具体的には銅線とビアの間の遷移において強化することができる。
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【課題】 密着性を高める機能を併せ持つバリア層が形成されるまでの期間に、配線部材の十分な密着性を確保し、配線部材の剥離を防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）半導体基板上に、凹部が設けられた層間絶縁膜を形成する。（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。（ｃ）密着層の表面を、第１の金属元素を含むＣｕ合金からなる補助膜で被覆する。（ｄ）凹部内に、第１の金属元素以外の第２の金属元素を含む導電部材を充填すると共に、補助膜の上に導電部材を堆積させる。（ｅ）熱処理を行うことにより、補助膜内の第１の金属元素の原子を、凹部の内面に偏析させる。この密着層は、層間絶縁膜の表面上に補助膜を直接堆積させた場合に比べて、補助膜の密着性を高める元素を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部接続用のパッド電極が損傷を受けることを防止する。
【解決手段】半導体基板１上に電子回路３０と、電子回路３０と接続された第１のパッド電極３と、第１のパッド電極３と接続された第２のパッド電極４とが形成される。また、第１のパッド電極３を被覆するとともに、第２のパッド電極４上にのみ開口部を有する第１の保護膜５が形成される。そして、半導体基板１を貫通するビアホール８を通して第１のパッド電極３の裏面に接続され、ビアホール８から半導体基板１の裏面に延在する配線層１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の構築に用いられる有機絶縁膜として、低誘電率でCuとの高い密着性を示す有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】炭素の三重結合を有する有機シランを原料ガスとして用いて作られた有機絶縁膜を提案する。 （もっと読む）

【課題】現在、一般的に検討されているＳｉＣやＳｉＣＮは比誘電率が４．５から５程度、ＳｉＯＣは２．８から３．０程度である。デバイスの縮小化により、配線サイズと配線間隔の微細化が更に進むと、比誘電率の更なる低減が求められている。また、ＳｉＯＣとＳｉＣＮ及び、ＳｉＣとのエッチング選択比がちいさいために、エッチングストッパ膜として、ＳｉＣＮ及びＳｉＣを用いた場合、金属配線層の表面が、フォトレジストを除去する際に酸化し、接続抵抗が高くなるという問題がある。
【解決手段】少なくともＣ／Ｓｉ比が５以上で、且つ、分子量が１００以上の有機シランを原料として形成された、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＣＮＨ及び、ＳｉＣＨからなる有機絶縁膜、及び、該有機絶縁膜を用いた半導体装置、特に、溝構造を有する半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびその製造方法が開示される。このデバイスは、１以上の導電性ゲート（１１）を具えた活性半導体領域（１Ａ）と、前記活性半導体領域（１Ａ）の周辺に位置し主としてフィールド酸化領域（３）よりなるコンタクト領域（１Ｂ）とを具える。周辺コンタクト領域（１Ｂ）上、および、少なくとも一部の活性半導体領域（１Ａ）上に、導電性ゲート（１１）の間にコンタクト窓（１９ａ）が形成された絶縁層（１７）が積層される。絶縁層（１７）上に積層された金属コンタクトパッド（２３）が、前記コンタクト領域（１Ｂ）に設けられる。この金属コンタクトパッド（２３）は、導電性のパターンを介して、絶縁層（１７）の下に埋設されているコンタクトストリップ（１５）に接触し、この導電性のパターンは、コンタクト窓（１９ｂ）充填物の複数個で構成されており、コンタクトパッド（２３）の実質的な領域を横切って延びている。このパターンは平行な一連のトレンチに充填されたもので構成されているのが好ましい。
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【課題】結合容量の低下、機械的、電気的特性が向上した導体トラック配列及び製造方法の提供。
【解決手段】基材１、２と、少なくとも２つの導体トラック４と、空洞６と、導体トラック４を覆い、空洞６を塞ぐレジスト層５とを含む、導体トラック配列に関する。導体トラック４の幅Ｂ１よりも小さい幅Ｂ２のキャリアトラックＴＢを形成することにより、結合容量と信号遅延を低減するためのエアギャップが、導体トラック４の下にその側面に沿ってセルフアライン技術により形成される。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリ素子のデトラップ・リテンション特性の劣化を防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 プラグ１６を形成した絶縁膜１４上にシリコンリッチな酸化膜よりなる層間絶縁膜１７およびＴＥＯＳ膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。そして、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８を貫通する溝１９を設け、この溝１９内へ埋め込むように配線２０ａを形成する。すなわち、第１配線層を層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８に埋め込んだ埋め込み配線とする。さらに、第１配線層を構成する配線２０ａ〜２０ｃと同層の層間絶縁膜１７として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。
【解決手段】溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。この底面部のメッキ促進添加剤含有膜は、メッキ促進添加剤を含む溶液に、メッキ形成用の開口基板を浸漬しつつ脱気して開口部内の気泡を除去した後、スピン・リンス法と乾燥処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】金属配線同士の間の絶縁膜の実効的な比誘電率を低減すると共に、金属配線と有機絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１００の上に金属配線パターン１０１を形成した後、Ｃ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第１の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１００の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第１の密着層１０２を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、有機絶縁膜１０３の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第２の密着層１０４を堆積する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に非常に小さいトレンチを形成する方法を提供する。
【解決手段】これら小さいトレンチの形成は、第１誘電体層の特性を局部的に化学的に変換することに基づいており、前記第１誘電体層内のパターニングされた穴の側壁が局部的に変化させられ、第１エッチング物質によりエッチング可能となる。その後、パターニングされた構造内に第２誘電体層が積層され、小さいトレンチが得られるように第１誘電体材料のダメージを受けた部分が除去される。誘電体層の特性を化学的に変化させることにより得られた小さなトレンチは、（１０−３０ｎｍ単位の）非常に小さいトレンチ内でのバリアーの積層、銅メッキ及びシード層の積層の研究をするための試験手段として用いることができる。 （もっと読む）

【課題】
素子を形成する基板の湾曲量が小さく、信頼性が高い誘電体分離構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
本発明の半導体装置は、ＳＯＩ基板（Silicon on Insulator）の主表面に形成された１つ以上の閉ループパターンのトレンチがあり、このトレンチ側壁部を覆う絶縁膜で多結晶シリコン膜が挟まれており、トレンチ開口部では絶縁膜と多結晶シリコン膜とが同じ平面で露出している。このトレンチによって、ＳＯＩ基板上に形成された複数の半導体素子が誘電体分離されている。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンパターンの抵抗値を制御しつつ、多結晶シリコンパターンの上層に金属配線層を配置する。
【解決手段】半導体基板１上に多結晶シリコンパターンからなる抵抗体２３と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２７と、層間絶縁膜２７上に形成された金属配線層３１を備え、抵抗体２３として、同じ多結晶シリコンからなり、その上部に金属配線層３１が配置されているものと配置されていないものとを含み、両抵抗体２３，２３の上部は層間絶縁膜２７上に形成された第１窒化膜２９で被われており、抵抗体２３の上部に配置されている金属配線層３１は第１窒化膜２９上に形成され、抵抗体２３の上部かつ金属配線層３１の近傍領域での第１窒化膜２９直上に第２窒化膜３３が存在している。上部に金属配線層３１が配置されている抵抗体２３のシート抵抗値と上部に金属配線層３１が配置されていない抵抗体２３のシート抵抗値が等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】 電極サイズが大きい場合でも、アルミニウムを含むメタル配線に変質、変形等の悪影響を与えることなく、界面準位を十分に低減できるようにした半導体導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１５両側のシリコン層５にＳ／Ｄ１９とを形成する工程と、Ｓ／Ｄ１９とが形成されたシリコン層５上に層間絶縁膜２１を形成する工程と、層間絶縁膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールｈ１〜ｈ３を形成する工程と、コンタクトホールｈ１〜ｈ３の底面にＴｉＮ／Ｔｉ膜２３を形成する工程と、ＴｉＮ／Ｔｉ膜２３が形成されたＳＯＩ基板１０に水素シンターを施す工程と、水素シンターの後でＴｉＮ／Ｔｉ膜２３上にアルミニウムを含むメタル配線３１を形成する工程と、を含む。長チャネルトランジスタについては、メタル配線３１に悪影響を与えることなく、シリコン層５とゲート絶縁膜１３との間の界面準位を低減できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイス用デュアルダマシン構造を製造する方法に関する。基板中に形成されたトレンチまたはバイア内の、拡散バリア層の堆積の間中、ハロゲン系前駆物質が使用される。前記堆積からの残留ハロゲンは、前記バリア層上に残ることができ、前記トレンチまたはバイアを充填するために、前記バリア層上に位置する金属層の成長を触媒するのに用いられる。
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【課題】配線の初期ボイドを低減させることができるとともに配線の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、ウェハＷ上に、表面にビアホール１ａ及び配線溝１ｂを有する層間絶縁膜１を形成する工程と、層間絶縁膜１上に、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれるようにめっき膜４を形成する工程と、めっき膜４上に、めっき膜４の空格子点密度より低い空格子点密度を有する空格子点低密度膜５を形成する工程と、めっき膜４及び空格子点低密度膜５に熱処理を施す工程と、空格子点低密度膜５及びビアホール１ａ及び配線溝１ｂに埋め込まれた部分以外のめっき膜４を除去して、ビアホール１ａ及び配線溝１ｂ内にビアプラグを有する配線８を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置は、コンタクトホールの底部に段差部があり、これにより、コンタクトホール内で配線金属が分断してしまうという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、コンタクトホールの底部にもっとも近い部分の層間膜の開口径より半導体層の開口径が大きく、その開口径の差で生じる層間膜と半導体層との間の段差部を絶縁膜で埋める構成を有している。このような構成によって、コンタクトホールの内壁の縦端面と絶縁膜の表面とが段差のない連続したなめらかな曲面を形成し、コンタクトホール内での配線金属の分断を防止する。 （もっと読む）

【課題】銅配線を用いて配線を行う半導体装置において、接続孔のバリアメタル層の除去の際に、上層配線溝におけるバリアメタル層の除去による層間絶縁膜への銅の拡散を抑えることができる半導体装置を得ること。
【解決手段】所定の形状にパターン形成された銅配線３６を有する第１の配線層３０と、所定の形状にパターン形成され、銅配線３６と電気的に接続される銅配線５７を有する第２の配線層５０と、を備える半導体装置において、第２の配線層５０は、所定の形状の配線溝６２に銅配線５７が埋め込まれた上部層間絶縁膜５４と、銅配線５７と銅配線３６とを接続する接続孔６１に銅配線５７が埋め込まれた下部層間絶縁膜５１と、上部層間絶縁膜５４の配線溝６２の下部と下部層間絶縁膜５１との間に、銅の拡散を防止する所定の厚さの銅拡散防止用絶縁膜５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁層を有し、前記絶縁層にこれを貫通して埋め込まれた銅および銅を含む合金からなる配線層を備え、少なくとも配線層の上部に配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する窒素含有層を有し、さらにその上に、配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する有機絶縁材料で構成される層を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に集積回路の配線の製造において銅拡散防止層をコーティングするための、電気めっき用組成物に関する。
【解決手段】
本発明によれば、本組成物は、溶媒中の溶液に、０．４〜４０ｍＭの濃度の銅イオン源と；１級脂肪族アミン、２級脂肪族アミン、３級脂肪族アミン、芳香族アミン、窒素複素環化合物およびオキシムからなる群から選択される少なくとも１種の銅錯化剤とを含み；
銅／錯化剤のモル比は０．１〜２．５、好ましくは０．３〜１．３であり；かつ、
上記組成物のｐＨが７未満、好ましくは３．５〜６．５であることを特徴とする。 （もっと読む）